INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD CULHUACÁN

INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

PRÁCTICA N. 7:

“FET”

PROFESOR: Vargas Reyes Orlando

INTEGRANTES: Guzmán Reyes Néstor Josué

Alcántara Martínez Cristian

Medrano Olmos José Jair

SEMESTRE: 4º GRUPO: 4CV24

A 10 de diciembre del 2021

EXPOSICIÓN
 La diferencia más notable entre los dispositivos al vacío o gaseosos y los semiconductores,
es que los primeros son controlados por tensión y los segundos por corriente. Por ejemplo,
el tubo tríodo amplifica tensiones y el transistor común, PNP o NPN, amplifica corrientes;
sin embargo existe una excepción importante; el transistor de efecto de campo (FET) que se
desarrolló en 1960. La operación del FET es ligeramente distinta a la de los demás
dispositivos semiconductores, debido a que puede amplificar tensión; en efecto, la
operación del FET es similar a la de un tubo al vació y puede realmente ser substituido en
circuitos de tubos, con pequeñas modificaciones, sin embargo, en la actualidad el FET tiene
limitaciones para manejar las altas corrientes necesarias en algunos circuitos, como por
ejemplo, en amplificadores de potencia.

Repase la acción de la unión PN en el diodo semiconductor que se describió en la

EXPOCISIÓN del Experimento No. 2. Cuando los materiales P y N se polarizan
inversamente, los electrones y huecos se alejan de la unión PN y forman una región de
vaciamiento o colina de potencial, el potencial eléctrico de la región de vaciamiento
produce una caída de tensión que es aproximadamente igual a la tensión inversa de
polarización aplicada.

En la Fig. 16-1 se ilustra la construcción de un FET de canal N.

CONTRUCCION FISICA
Fig. 16-1

Se produce un flujo de corriente directa de la fuente a la salida, debido a las polaridades

indicadas del potencial externo (véase la Fig. 16-2A). El flujo de electrones que se produce
a través del FET y que se debe al exceso de electrones en el material tipo N, se mueve sin
dificultad de la terminal negativa externa de la fuente a la terminal posita de la salida o
drenaje.
En condiciones normales de operación en un circuito, se aplica a la compuerta un potencial
externo negativo (vea la Fig. 16-2B), de modo que la compuerta queda polarizada
inversamente con respecto a la fuente y al drenaje. La polarización inversa hace que se
forme una región de vaciamiento alrededor del material P (compuerta), restringiendo así la
corriente que pude fluir de la fuente al drenaje, Si a la compuerta se le aplica una
polarización inversa lo suficientemente grande, se formará una región de vaciamiento
igualmente grande que reducirá el flujo de corriente de la fuente al drenaje, hasta cero. Esta
tensión es similar a la de corte de un tubo al vacío, En condiciones normales de operación
la compuerta jamás se polariza en sentido directo.

Fig. 16-2

Si se compara el FET con un tubo al vacío, se pueden establecer las siguientes

equivalencias; fuente con cátodo, compuerta con rejilla y drenaje con placa.
El FET actúa como un tubo al vació debido a que la corriente relativamente grande que
circula de la fuente a la salida, puede controlarse con una tensión de compuerta
relativamente pequeña; el FET produce un defasamiento de 180º entre las formas de onda
de entrada y de salida.

INTRUMENTOS Y COMPONENTES
Fuente de energía, 0-20 Vcd
Fuente de energía, 0-20 Vcd
Amperímetro, 0-1-10 mAcd
Voltímetro, 0-25 Vcd
Osciloscopio
Generador de AF
Q1 - Transistor de efecto de campo (FET) MPF 102
R1 – 470 K ohms, ½ W
R2 – Potenciómetro 100 K ohms, ½ W
R3 – 100 k ohms, ½ W
C1 – Capacitor electrolítico 10µF
C2 – 0.02µF
C3 – 0.01µF
Base para experimentos.

EXPERIMENTO
1. Construya el circuito que se ilustra en la Fig. 16-3, observando la polaridad
correcta de las fuentes de energía. No conecte ninguna tensión a la compuerta
y la fuente (EGS) por ahora. Ajuste la tensión entre el drenaje y la fuente (E DS)
 a 20 V. No sobrepase esta tensión con la fuente de E DS o correrá el peligro de
dañar al FET.

Mida y anote la corriente entre el drenaje y fuente (I DS) según se observa en

el miliamperímetro.
IDS = 10 mA cd

Esta medición indica la corriente de electrones de la fuente al drenaje con

una tensión de compuerta igual a cero.

Fig. 16-3

2. Con EDS a 20 V, aplique y aumente lentamente la tensión de unión compuerta

fuente (EGS) hasta que no fluya corriente alguna en el circuito de salida, según
se observa en el miliamperímetro y anote la tensión EGS, que indica el
voltímetro. No exceda el valor de 30 V cd con la fuente de EGS, porque puede
dañarse el FET.

EBS (corte) = 1 Vcd

Esta tensión entre la compuerta y la fuente corresponde a la de corte del

FET (similar a la tensión de corte de un tubo al vació).

3. Con EGS en el nivel de corte, haga variar E DS entre 5 y 20 V observando el

voltímetro y la corriente que registra el miliamperímetro en el circuito del
drenaje. Anote sus observaciones.
R = La corriente se sigue manteniendo en 0 mA

¿Debe haber un flujo de corriente entre la fuente y el drenaje a la tensión de

corte?
R = No porque el transistor se cierra.
4. Con la tensión entre el drenaje y la fuente (EDS) a 20 V, haga variar
alternativamente EGS arriba y debajo del nivel de corte registrando en el punto
2.
NOTA: No sobrepase el valor de 30 V. Observe el miliamperímetro del
circuito del drenaje conforme varía EGS.
Anote sus observaciones: Si se le dan valores arriba de 1 V el
miliamperímetro sigue estando en 0, pero si se le dan valores menores la
corriente de drenaje aumenta considerablemente.

¿Puede una pequeña tensión de compuerta controlar una gran corriente de

salida? Si

¿Cree usted que el FET podría funcionar como amplificador? Funciona como
un amplificador de corriente controlado por tensión.

Construya el circuito que se ilustra en la Fig. 16-4. El potenciómetro R 2 debe

colocarse en su posición media.

Fig. 16-4
Ajuste la tensión entre el drenaje y la fuente (EDS) a 20 V, sin conectar aún el
generador de AF a la entrada ni el osciloscopio a la salida.
Anota la tensión de polarización el amplificador con FET indicada en
voltímetro.
Epolarización = 0.96 Vcd
 5. Conecte el generador de AF al circuito amplificador con el FET y el
osciloscopio calibrado (con la punta de medición de 10X) a la salida del
generador; ajuste el generador a AF para obtener una salida de 0.4 volts de
pico a pico a 400 Hz, según se observa en el osciloscopio. Ahora conecte el
osciloscopio a las terminales de salida y ajuste R2 para obtener una señal
máxima sin distorsión. Mida u dibuje la forma de salida, así como la tensión
de pico a pico que haya observado en el osciloscopio.

FORMA DE ONDA DE SALIDA

E salida = 7.80 volts de pico a pico

¿Es la forma de onda de salida una reproducción real de la de entrada?

No

6. Calcule la ganancia de tensión de amplificador con FET usando los datos

obtenidos en el punto 6.

AE = 19.5

PRUEBE SUS CONOCIMIENTOS

1. ¿Cuál es la principal diferencia entre un tubo al vacío y un transistor PNP o NPN?

 En un transistor NPN, el flujo de corriente va desde el terminal del colector al
terminal del emisor, mientras que en un PNP, el flujo de corriente va desde el
terminal del emisor al terminal del colector y un tubo al vacío contiene dos
electrodos: el Cátodo, un filamento caliente o un pequeño tubo de metal caliente que
emite electrones a través de emisión termoiónica, y el Ánodo, una placa que es el
elemento colector de electrones
2. ¿Qué amplifica el FET, tensión o corriente?
Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión para
valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.
3. ¿Qué es la región de vaciamiento?
El movimiento por difusión de portadores n hacia el material P forma una zona de
carga con iones positivos cerca del borde. Lo mismo sucede con los huecos que se
mueven hacia el material N, formando en este caso una zona de Z d cargas con
iones negativos
4. ¿Cuáles son los elementos del FET que son comparables al cátodo, la rejilla y la
placa de un tubo al vacío? Un semiconductor de silicio
5. ¿Cómo se polariza normalmente la unión compuerta-fuente del FET, directa o
inversamente con relación al drenaje y la fuente? Un un JFET de canal n, la tensión
del drenador debe ser mayor que la del surtidor. para que exista un flujo de corriente
a través del canal. Además, la puerta debe tener una tensión mas negativa que la
fuente para que la unión p-n se encuentre polarizada inversamente.
6. ¿Hay un desfasamiento de 180º entre las formas de onda de entrada y salida cuando
se usa un FET? No, el desfase dependen de la configuración del transistor en el
circuito.
7. NOTAS:
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