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Laboratorio N°3
Multiplicador de frecuencia con FET
“Característica cuadrática”
Informe Previo
Auqui Pampa Carlos Christian Andrés – carlos.auqui.p@uni.pe
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

I. INTRODUCCION 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + )
𝑉𝑃
Los transistores efecto de campo, (FET) son Reemplazando 𝑉𝐺𝑆
componentes unipolares debido a que su acción solo 𝑉1 (cos(𝑤𝑜 𝑡) − 1)
2

depende de un tipo de portador de carga. Los FET 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 + )

𝑉𝑃
pueden ser del tipo unión (JFET) y el tipo de óxido
𝐼𝐷𝑆𝑆
metálico semiconductor (MOSFET). Podemos citar 𝐼𝐷 = (𝑉𝑃 − 𝑉1 + 𝑉1 (cos(𝑤𝑜 𝑡))2
𝑉𝑃 2
entre las características del FET, las más saltantes que
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉12 𝑉12
la corriente de drenaje ID está controlada por el voltaje 𝐼𝐷 = 2 ((𝑉𝑃 − 𝑉1 )2 + + 2(𝑉𝑃 − 𝑉1 )𝑉1 (cos(𝑤𝑜 𝑡) + (cos(2𝑤𝑜 𝑡))
𝑉𝑃 2 2
de compuerta de fuente VGS, mientras que el transistor 𝐼𝐷 = 𝐼𝑜 + 𝐼1 cos 𝑤𝑜 𝑡 + 𝐼2 cos 2𝑤𝑜 𝑡
bipolar la corriente de colector está controlada por la
corriente base. Solo la componente fundamental:
2𝐼𝐷𝑆𝑆
II. DESARROLLO DEL INFORME 𝐼𝐷 = (𝑉𝑃 − 𝑉1 )𝑉1
𝑉𝑃 2
𝐼´ 𝐼1 𝐼1
1. Diseñar la red de polarización del circuito que se = → 𝐼´ = 𝑁1
𝑁1 𝑁3 𝑁3
muestra en la figura, determinando los valores de
Reemplazando:
RB y CB, tal que CB se cargue al valor pico de
𝑁1 2𝐼𝐷𝑆𝑆
V1(t), considerar la frecuencia del generador igual 𝑉0(𝑡) = ( (𝑉 − 𝑉1 )𝑉1 ) 𝑅𝐿 cos 𝑤𝑜 𝑡
𝑁3 𝑉𝑃 2 𝑃
a 1 MHz.

𝑽𝒑
 𝑽𝟏 = 𝟐
(En el límite de la zona cuadrática)
De la primera parte
𝑉𝑃 − 𝑉1 = 𝑉1
𝐼𝐷𝑆𝑆
𝐼𝐷 =
2
𝑁1 𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑉0(𝑡) = ( ) 𝑅𝐿 cos 𝑤𝑜 𝑡
𝑁3 2

𝑽𝒑
Fig. 1 Circuito  𝑽𝟏 > 𝟐
(Fuera de la zona cuadrática)
RB=1MΩ Sabemos:
∞
CB=100Pf 𝐼𝑛
𝑉1 (𝑡) = 𝑉1 𝑐𝑜𝑠 (𝑤0 𝑡) 𝐼𝐷 = 𝐼𝑃 ∑ cos 𝑤𝑜 𝑡
𝐼𝑃
𝑛=0
fo = 1MHz −𝑉𝑝 + 𝑉1
𝜑 = sin−1 ( )
𝑉1
2. Determinar una expresión general de Vo(t);
Solo con la componente fundamental
asumir datos de la bobina y del FET.
Si
𝑽𝒑
𝐼𝑃 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
 𝑽𝟏 < (En la zona cuadrática) 3 sin 3𝜑
𝟐
𝐼1 2 4 sin 𝜑 + 12 − 𝜑 cos 𝜑
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉1(𝑡) − 𝑉𝐷𝐶 = 𝑉1 cos(𝑤𝑜 𝑡) − 𝑉1 = [ ]
𝐼𝑃 𝜋 (1 − cos 𝜑)
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉1 (cos(𝑤𝑜 𝑡) − 1)

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 2

𝑁1
𝑉0(𝑡) = 𝐼1 𝑅 cos 𝑤𝑜 𝑡
𝑁3 𝐿
Reemplazando:
3 sin 3𝜑
𝑁1 2𝐼𝐷𝑆𝑆 4 sin 𝜑 + 12 − 𝜑 cos 𝜑
𝑉0(𝑡) = ( [ ]) 𝑅𝐿 cos 𝑤𝑜 𝑡
𝑁3 𝜋 (1 − cos 𝜑)

3. Explicar en forma clara y especifica dos (02)

métodos para determinar los parámetros del FET;
uno para determinar experimentalmente la tensión
de estrangulamiento Vp y el otro para determinar
la corriente de drenador en la región de saturación
para VGS = 0, IDSS.

Determinación del voltaje de estrangulamiento (𝑉𝑝 )

Procedimiento:
a) Alimentar el circuito con 15 V
b) Aumentar 𝑉3 desde cero hasta que el voltaje
del multímetro se haga cero
𝐼𝐷𝑆𝑆 ≈ 0
Entonces: 𝑉𝑝 = 𝑉𝐺𝑆 |𝐼𝐷=0

Fig. 2

Determinación de la corriente de drenador a fuente con

la puerta en cortocircuito con la fuente (𝐼𝐷𝑆𝑆 ):
Procedimiento:
a) Cortocircuitar entre puerta y fuente.
b) Aumente 𝑉2 desde cero a valores positivos,
cuidando de no sobrepasar el voltaje de
ruptura 𝑉(𝐵𝑅)𝐺𝑆𝑆 , hasta que 𝐼𝐷 alcance su nivel
de saturación; es decir, 𝐼𝐷𝑆𝑆 .
𝑉𝑚𝑒𝑡𝑒𝑟 |𝑉𝐺𝑆=0
Entonces: 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝑅𝐷

Fig. 3

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