UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

INFORME PREVIO

“AMPLIFICADOR BÁSICO CON TRANSISTOR FET DE UNIÓN O

JFET”

LABORATORIO N°3

Nombre: Seclén Yberos Carlos Bernardo

Curso: Electrónica

Profesor: Ing. Edilberto Huamaní

Sección: “A”

Código: 20174137F

PERÚ, 21 de AGOSTO 2020

 OBJETIVOS

 Construir y operar un circuito AMPLIFICADOR BÁSICO con un Transistor FET

de Unión o JFET. Reconocer en la práctica la configuración de SURTIDOR
COMÚN.
 Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del Transistor de Efecto de Campo,
su trabajo en DC y en AC.
 Operar el circuito amplificador básico para determinar el correspondiente punto
de operación del transistor, sus componentes: corriente de drenador ID, y voltaje
entre drenador (D) y fuente o surtidor (S). Reconocer la ganancia de corriente del
JFET a partir de valores medidos.
 Operar el circuito amplificador básico con pequeña señal, determinar la ganancia
de tensión a partir de valores medidos. Reconocer la máxima excursión simétrica
y las razones por las cuales hay distorsión en la tensión de salida.
 FUNDAMENTO TEÓRICO
EL TRANSISTOR FET DE UNIÓN

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que
usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal
que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido
como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados
puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal
equivalente a la base del transistor de unión bipolar (BJT), de cuyo funcionamiento se
diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la
corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal
P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.

CARACTERÍSTICAS

 Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

 No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
 Es menos ruidoso.
 Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
 Es muy sensible
AMPLIFICACIÓN DEL TRANSISTOR FET DE UNIÓN.

El análisis de un amplificador mediante su asimilación a un cuadrípolo (red de dos

puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de
parámetros relativamente simples que nos proporcionan información sobre su
comportamiento.

TIPO DE TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos
por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento

entre el canal y la puerta:

 El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente

SiO2).
 El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
 El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con
una barrera Schottky.
 En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado
HFET (FET de estructura heterogénea), la banda de material dopada con huecos
forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.
 Los MODFET (FET de modulación dopada)
 Los IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) es un dispositivo para control de
potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenador-fuente
está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los
dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenador-fuente de 1 a 200
de voltaje (V).
 Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación
ultra rápida del transistor.
 Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,
usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales.
 Los TFT, que hacen uso de silicio amorfo o de silicio policristalino.
EL TRANSISTOR JFET

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por
un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a
través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.
Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de
modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los
terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región
de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada,
la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta
determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre
los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o
corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden
de 1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los
componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.

Curvas de características del amplificador JFET de fuente

común
ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR A USAR
BIBLIOGRAFÍA

2N5457 : N-Channel JFET General Purpose Amplifier/Switch

Calogic, LLC

https://es.wikipedia.org/wiki/JFET

http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-de-fuente-
comun.html