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CONCEPTOS BASICOS Los transistores de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) son importantes dispositivos que, al igual

que los bipolares, se utilizan como amplificadores e interruptores lgicos. Entre los varios tipos de FET. Los ms importantes son los MOSFET (metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor, transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor) de acumulacin, que es el dispositivo primordial que ha propiciado los rpidos avances acaecidos en electrnica digital en las ltimas dcadas. Otros dos tipos de FET son el MOSFET de deplexin y el JFET (Junction field effect transistor, transistor de efecto de campo de unin).

Comparados con los bipolares, los FET ocupan menos rea de chip y su fabricacin requiere menos pasos. Frecuentemente, circuitos digitales complejos, como memorias y microprocesadores, se implementan nicamente con MOSFET. Por otra parte, los bipolares pueden generar unas corrientes de salida elevadas, necesarias para la conmutacin rpida de cargas capacitivas, como las pistas de circuitos impresos que interconectan chips digitales. Cada tipo de dispositivo tiene aplicaciones en las que funciona mejor que los dems.

TRANSISTOR MOSFET La estructura fsica del transistor de efecto de campo MOSFET de acumulacin de canal n (tambin conocido por transistor NMOS) puede verse en la Figura abajo. Los terminales del dispositivo son el drenador (D), la puerta (G), la fuente ( S) y el sustrato (B). En funcionamiento normal, por el terminal del sustrato pasa una corriente despreciable. En el estudio del NMOS se va a suponer que el sustrato est conectado a la fuente, por lo que se tendra un dispositivo de tres terminales. La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dixido de silicio y por el terminal de la puerta fluye una corriente despreciable. Cuando se aplica a la puerta una tensin (positiva) en relacin a la fuente, los electrones se ven atrados a la regin situada bajo la puerta, inducindose un canal de material de tipo n entre el drenador y la fuente. Entonces, si se aplica una tensin entre drenador y fuente, fluir una corriente que sale de la fuente, y va a travs del canal, hacia el drenador. La corriente de drenador est controlada por la tensin que se aplica a la puerta.

La longitud L y la anchura W del canal se muestran en la misma figura. La longitud suele ser de 0,2 a 10 um, y la anchura oscila entre 0,5 y 500 um. Recuerde que 1 um=10x10-6 m. La capa de dixido de silicio tiene un espesor de entre 0,05 y 0,1 um. En los primeros momentos de la tecnologa MOS, la puerta se fabricaba de aluminio. Sin embargo, en los dispositivos ms modernos, la puerta es de una capa de un tipo especial de silicio, llamado polisilicio.

Las caractersticas del dispositivo dependen de L, W y de parmetros de fabricacin tales como el nivel de dopaje y la anchura del xido. Normalmente, los parmetros de fabricacin ya estn predeterminados, pero el diseador de circuitos puede ajustar L y W para obtener el dispositivo que mejor se adapte para una determinada aplicacin.

El smbolo esquemtico del MOSFET de acumulacin de canal n puede verse en la siguiente figura.

Figura 1. Estructura de un mosfet

Simbolo esquematico de un transistor MOSFET de canal n

TRANSISTOR JFET La estructura fsica de un transistor de efecto de campo de unin (JFET: junction field-effect transistor) de canal n se muestra en la Figura 2 y su smbolo de circuito puede verse tambien. El dispositivo consiste en un canal de semiconductor tipo n, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo, llamados drenador y fuente. A los lados del canal hay regiones de material semiconductor tipo p conectadas elctricamente entre s y al terminal denominado puerta. La puerta es negativa con respecto al canal durante la operacin normal de un JFET de canal n.

La unin pn entre la puerta y el canal es un contacto. En casi todas las aplicaciones, la unin entre la puerta y el canal est polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna corriente a travs del terminal de la puerta. para que haya una polarizacin inversa en una unin pn, el lado p debe ser negativo con respecto al lado n. Por tanto, la puerta es negativa con respecto al canal durante el funcionamiento normal de un JFET de canal n. Por el contrario, para el trabajo en la regin de saturacin o en la hmica, la puerta de un NMOS de acumulacin debe ser positiva con respecto al canal.

Como se indico, al aplicar una polarizacin inversa entre la puerta y el canal, una capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora. A esta capa se la llama zona de carga espacial o de deplexin . Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona de deplexin. Al final, la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, y se dice que ocurre un fenmeno llamado estrangulamiento (pinch-off). Este fenmeno se ilustra en la Figura 3. Se observa que, en el corte transversal, el rea ocupada por la seccin conductora que va de drenador a fuente depende de la cantidad de polarizacin inversa entre puerta y canal. Por tanto, la resistencia entre drenador y fuente depende de la polarizacin puerta-canal.

La tensin de estrangulamiento Vw de un determinado dispositivo es el valor de la polarizacin puerta-canal que se necesita para que la zona de deplexin ocupe toda la anchura del canal. Normalmente suele ser de unos pocos voltios, y es negativa en los dispositivos de canal n. Para ser coherentes con SPICE, usaremos el smbolo Vw tanto para la tensin de estrangulamiento de un JFET como para la tensin umbral de un MOSFET.

Durante el trabajo normal de un dispositivo de canal n, el drenador es positivo con

respecto a la fuente. La corriente entra en el drenador a travs del canal, procedente de la fuente. Como la resistencia del canal depende de la tensin puerta-fuente, la corriente de drenador se controla con esa tensin.

Figura 2

figura 3

USO DEL MANUAL ECG El Manual ECG es un libro de referencia de uso general y estandarizado que permite identificar dispositivos electrnicos, especificaciones tcnicas, parmetros de diseo y de usos especficos, de acuerdo a las necesidades del diseo.

El Manual esta organizado por secciones, donde en la primera pagina se identifica las mismas de acuerdo al tipo de componentes o clasificacin de dispositivos en un ndice.

Las secciones del manual se clasifican como sigue a continuacin: Produc index Replacement Procedures. Transistors. Surface Mount Transistor selector Guide Hi voltage Devices Diodes.rectifiers. SCR/TRIAC Special purpose Devices Transient Supressors Crystals Opto Devices Thermal Cut-offs Ind Poer modules Linear Integrated Circuits Digital Integrated Circuits Interface Integrated Circuits CROSS REFERENCE La bsqueda de un dispositivo de reemplazo a un determinado numero de parte, se inicia aqu en la seccin CROSS REFERENCE. El orden de bsqueda es alfanumrico, una vez obtenido el numero de reemplazo ECG, se dirige a la seccin Product Index para hallar la pgina y ubicacin exacta del reemplazo encontrado, donde se indican las especificaciones y parmetros del producto