REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA

EDUCACIÓN UNIVERSITARIA, CIENCIAS Y
TECNOLOGÍA.
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO “SANTIAGO MARIÑO”
EXTENSIÓN MATURÍN.

UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO J .F.E.T.

Autor (a):
LUZMARIS GUERRA – C.I: 28.081.055
Profesor:
EVER DUARTE

MATURÍN, ENERO DEL 2021

 INTRODUCCIÓN.
Como transistor de efecto campo la idea es controlar la corriente que circula por un canal
semiconductor mediante un campo eléctrico aplicado a un terminal de puerta. A diferencia
del MOSFET, la estructura que nos encontramos ahora en la puerta es una unión polarizada
en inverso (para evitar que haya corriente a través de ella).

El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal
denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material
se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los
dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal
de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en
esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarización.

En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones
lineal y de saturación. En la región lineal, para una determinada VGS, la corriente crece
proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar
a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo depende de VGS.
1.- Explique las gráficas del F.E.T:

1.1.- Canal N

 Grafica Io Vs Vds

Al elevar VDS, ID deja de crecer linealmente => se entra en la zona de contracción => se
alcanza la anchura mínima del canal (δ). Al aumentar más VDS, el canal no se estrecha más
(δ permanece constante) y aumenta la longitud de la zona de estrechamiento máximo =>
se entra en la zona de saturación.

VDS muy elevada (VDS ≥ BVDS): Conducción inversa en las uniones puerta-canal, lo que
supone un aumento muy grande de la ID que produce la destrucción del JFET.

VDS > VP: La resistencia rds es grande y aproximadamente constante. No se puede cerrar
completamente el canal porque dejaría de circular corriente y desaparecería la tensión
inversa en la unión puerta-canal. JFET se comporta como fuente de corriente
  Grafica Io Vs Vgs

Curva de transferencia de un transistor tipo MOSFET de enriquecimiento. El valor del voltaje

compuerta (X), define el valor de la corriente de drenaje (Y). El voltaje VGS en este caso
representado por los puntos en el eje de Xs, definen el valor de la corriente de salida, de la
gráfica de la derecha. Los ejes Y se mantienen para ambas gráficas, en este caso corriente
del drenaje.

1.2.- Canal P

 Grafica Io Vs Vds
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden
hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente
cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortándose la corriente para tensiones mayores que
Vp. Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados
por una gráfica o ecuación denominada ecuación de entrada. En la zona activa, al permitirse
el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la
propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación que relaciona
estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se distinguen las
dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación.

2.- Defina MESFET

Un MESFET (transistor de efecto de campo de metal-semiconductor) es un dispositivo

semiconductor de transistor de efecto de campo similar a un JFET con una unión Schottky
(metal - semiconductor) en lugar de una unión p-n para una puerta. Los MESFET se
construyen con tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivación
superficial de alta calidad, como arseniuro de galio, fosfuro de indio o carburo de silicio, y
son más rápidos pero más costosos que los JFET o MOSFET basados en silicio. Los MESFET
de producción funcionan hasta aproximadamente 45 GHz. Los primeros MESFET se
desarrollaron en 1966 y un año después se demostró su rendimiento de microondas de RF
de frecuencia extremadamente alta.

El MESFET se puede dividir en dos partes: el dispositivo intrínseco y los elementos

extrínsecos o parásitos. La parte intrínseca representa la zona activa del dispositivo, aquella
cuyas características dependen de la tensión aplicada a los terminales. El funcionamiento
del dispositivo intrínseco es el que se acaba de describir en el apartado anterior e incluye la
zona activa del canal. Los elementos extrínsecos no son necesarios para que el dispositivo
pueda operar con normalidad y no varían con las condiciones de polarización. Sin embargo,
en aplicaciones de alta frecuencia y alta velocidad el efecto de las partes reactivas del
MESFET puede deteriorar el funcionamiento del mismo por lo que hay que incluirlos en el
modelo equivalente.

El modelo está basado en la estructura real del dispositivo y es válido hasta la región de
microondas (varias decenas de gigahercios). Cada elemento refleja las peculiaridades de
alguna región del dispositivo. Cgs y Cgd representan el almacenamiento de carga en las
zonas de carga espacial de las regiones puerta-fuente y puerta-drenador. La resistencia RS
representa la resistencia total del contacto óhmico de fuente y la resistencia de la zona
neutra del semiconductor entre el contacto de fuente y la parte activa del canal. La
resistencia RD igual que la de fuente pero referida a este terminal. LG, LS y LD representan
las inductancias de puerta, fuente y drenado respectivamente. RG representa la resistencia
de la metalización de puerta. Ri es la resistencia del canal entre puerta y fuente.

Los valores de los elementos extrínsecos e intrínsecos dependen de la estructura del canal,
de la concentración de impurezas, del tamaño del dispositivo, de su “layout” y de los
procesos de fabricación. Los principales parámetros intrínsecos son la transconductancia
gm, la capacidad de entrada Cgs, la resistencia de salida rds y la capacidad de realimentación
Cgd. Estos parámetros dependen de las tensiones de polarización del dispositivo. El retardo
t de la corriente de drenado o de la transconductancia respecto a la señal de entrada refleja
el tiempo que necesitan los electrones en atravesar la zona activa del canal. Es el tiempo
empleado para el intercambio de carga con la zona de vaciamiento en la región de
saturación del canal. Es cero hasta que se alcanza la velocidad de saturación. Se espera que
aumente con la tensión de drenado y disminuya cuando aumente la tensión de puerta.

3.- Explique la polarización fija, polarización por divisor de tensión y la

polarización por reglamentación del emisor. (Auto polarización).

Polarización fija: Es la peor forma de polarizar al transistor JFET puesto que depende mucho
del transistor empleado la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden
resolverse tanto por un método matemático como por uno gráfico. Este tipo de disposición
de polarización de transistores también es dependiente de la polarización, ya que la
condición de operación de estado estable es una función del valor beta β de los transistores,
por lo que el punto de polarización variará en un amplio rango para transistores del mismo
tipo que las características de la los transistores no serán exactamente lo mismo.
El diodo emisor del transistor está polarizado directamente mediante la aplicación de la
tensión de polarización de base positiva requerida a través de la resistencia limitadora de
corriente R B. Suponiendo un transistor bipolar estándar, la caída de voltaje hacia adelante
emisor base será 0.7V. Entonces el valor de R B es simplemente: (V CC - V BE) / I B donde I
B se define como I C / β.

Con este tipo de resistor único de método de polarización, las tensiones y corrientes de
polarización no permanecen estables durante el funcionamiento del transistor y pueden
variar enormemente. Además, la temperatura del transistor puede afectar negativamente
al punto de funcionamiento.

La polarización por divisor de voltaje: es la polarización más estable respecto al punto de

trabajo Q. Se puede usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor común, base
común, y colector común. Las ecuaciones básicas son las siguientes:

El transistor de emisor común está polarizado utilizando una red de divisor de voltaje para
aumentar la estabilidad. El nombre de esta configuración de polarización proviene del
hecho de que las dos resistencias R B1 y R B2 forman una red divisora de voltaje o potencial
a través de la fuente con su unión de punto central conectada a la terminal base de
transistores, como se muestra.
Esta configuración de polarización del divisor de voltaje es el método de polarización del
transistor más ampliamente utilizado, ya que el diodo emisor del transistor está polarizado
en sentido directo por la tensión caída a través de la resistencia R B2. Además, la
polarización de la red del divisor de voltaje hace que el circuito del transistor sea
independiente de los cambios en beta ya que los voltajes en la base de los transistores, el
emisor y el colector dependen de los valores del circuito externo. Esta configuración es muy
utilizada como fuente de corriente, también se conoce como circuito amplificador, la idea
principal de este circuito es proporcionar una corriente de colector (ó emisor) constante e
independiente del ß y de la temperatura.

Polarización por reglamentación del emisor: Este tipo de configuración de polarización del
transistor, a menudo llamada polarización auto emisora, utiliza la retroalimentación tanto
del emisor como del colector base para estabilizar la corriente del colector incluso más
cuando las resistencias R B1 y R E, así como la unión base-emisor del transistor son todas
efectivamente conectado en serie con la tensión de alimentación, V CC. La corriente que
fluye desde el emisor, I E (que es una combinación de I C + I B) causa que aparezca una
caída de tensión en R E en tal dirección, que sesga en sentido inverso la unión base-emisor.

Entonces, si la corriente del emisor aumenta, la caída de tensión I * R E también aumenta.

Como la polaridad de este voltaje revierte la unión base-emisor, I B disminuye
automáticamente. Por lo tanto, la corriente del emisor aumenta menos de lo que habría
hecho si no hubiera una resistencia de polarización propia.

Los valores de resistencia se establecen generalmente de modo que la caída de tensión a

través del resistor de emisor R E es de aproximadamente 10% de V CC y la corriente que
fluye a través de la resistencia R B1 es del 10% de la corriente de colector I C. Este tipo de
configuración de polarización del transistor funciona mejor con voltajes de fuente de
alimentación relativamente bajos.

4.- Resolver los siguientes problemas:

- Configuración fija:
- Configuración por divisor de tensión:

a. Para las características de transferencia, si ID = IDSSƒ4 = 8 mAƒ4 = 2 mA, entonces

VGS = Vpƒ2 = —4 Vƒ2 = —2 V. La ecuación de la red es
 CONCLUSIÓN.

Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos los
transistores por ser característica básica, mediante una tensión aplicada en uno de sus
terminales.

Están construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres
terminales.

El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas

características en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenador en
función de la tensión aplicada entre éste y la Fuente.

Estos transistores pueden ser empleados en los circuitos en una disposición similar a la de
los bipolares, es decir, en fuente común, aunque la primera y la última son las más utilizadas
en la práctica.