UNIVERSIDAD NACIONAL POLITECNICA ANTONIO U

JOSE DE SUCRE N
VICERRECTORADO BARQUISIMETO E
X
NUCLEO CARORA
P
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA MECATRONICA O
Electrónica I

Transistores FET y Amplificadores de

Potencia

Autores:
Mariangel Lugo
José Navas
Jesús Parra
Prof:
Dionimar Pérez
 Introducción

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores que se

utilizan para amplificar o conmutar señales eléctricas. Funcionan mediante el control del
flujo de corriente entre dos terminales, llamados fuente y drenaje, mediante un tercer
terminal, llamado puerta.
Los Transistores se utilizan en una amplia variedad de aplicaciones, incluyendo
amplificadores de potencia, conmutadores y circuitos lógicos. En los amplificadores de
potencia, los transistores se utilizan para amplificar señales de audio o de
radiofrecuencia.
 Los transistores de efecto de campo (FET) son una familia de transistores que
utilizan un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material
semiconductor. Pueden considerarse como resistencias controladas por diferencia de
potencial y tienen tres terminales: puerta, drenador y fuente. La puerta es equivalente a
la base de un transistor bipolar de unión (BJT). Los FET se comportan como
interruptores controlados por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite que
fluya o no corriente entre el drenador y la fuente. Al igual que los BJT se dividen en
NPN y PNP, los FET también son de dos tipos: canal N y canal P.
A diferencia de los BJT, los FET no absorben corriente en la puerta, lo que los hace
más eficientes en términos de consumo de energía. Sin embargo, su funcionamiento es
distinto al de los BJT, ya que en los FET la puerta no controla directamente el flujo de
corriente entre el drenador y la fuente, sino que lo hace mediante la modulación de la
conductividad del canal semiconductor.

Drenador Drenador

Puerta Puerta

Fuente Fuente

Drenador Drenador

P
N
Puerta Puerta
Drenador

N N P
P Drenador
Drenador

P N

Fuente Fuente
Los FET tienen la particularidad de ser de fabricación más simple y de ocupar menos
espacio que los BJT. Se pueden encontrar chips de hasta 100.000 MOSFET en su
interior. La fabricación de circuitos integrados con ésta tecnología se ha difundido
mundialmente. Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala. Los JFET
tienen la característica de tener muy alta resistencia de entrada y muy bajo ruido por lo
que se los emplea en procesamiento de señales.

Polarización FET

El modo normal de polarización de un FET de canal N requiere que la tensión entre

puerta y fuente sea negativa (VGS<o) mientras que la tensión entre Drenador y Fuente
tiene que ser positiva (VDS>0).

Para un FET tipo P las polarizaciones de VGS y VDS se invierten, estando la puerta
polarizada positivamente con respecto a la fuente, y el drenador negativamente también
con respecto a la fuente.
Tipos
Hay dos variedades fundamentales de FET:
• El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)
• El transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), o más comúnmente
transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

Ambos están disponibles en dos clases (canal N y canal P).

El JFET está formado por una barra semiconductora de tipo N o P, con contactos
óhmicos en sus extremos identificados como drenaje (D) y fuente (S). En el medio de la
barra se encuentra una región de difusión de tipo opuesto, llamada puerta (G), que
forma un canal entre el drenaje y la fuente.
La tensión aplicada a la puerta controla la conducción entre el drenaje y la fuente al
modular el ancho del canal.
En principio, el JFET es un dispositivo simétrico, es decir, bidireccional, no hay
distinción entre drenaje y fuente salvo por el sentido de circulación de corriente. En la
práctica, se suele construir el JFET de manera que la capacidad de puerta-drenaje sea
menor que la capacidad de puerta-fuente. Esto hace que haya una diferencia entre
ambos terminales por la cual el fabricante identifica el drenaje y la fuente.
Entre la puerta y el canal se genera una juntura PN que se mantiene en polarización
inversa para el funcionamiento del dispositivo. Esto produce dos efectos:
 Formación de una zona de carga espacial que se extiende más en la parte
menos dopada (el canal) y que es función de la tensión inversa aplicada.
 Elevada impedancia de puerta (la de un diodo polarizado inversamente) que se
traduce en la elevada impedancia de entrada que presenta el dispositivo.
El JFET nunca opera con la puerta polarizada directamente, es decir, no hay circulación
de corriente por ese terminal, salvo la corriente de fuga.

Transistor FET en su encapsulamiento común

El dispositivo JFET de canal n se muestra en
la figura. Cuando se conecta un potencial
positivo al drenaje con respecto al potencial
de la fuente, los electrones circulan por el
semiconductor mientras haya niveles de
conducción disponibles. La corriente eléctrica
solo se ve afectada por la resistencia
(ohmica) que opone el semiconductor a su
paso.
Sin embargo, cuando se aplica un potencial
que polariza en inversa la unión pn entre la fuente y la puerta, se genera una zona de
deplexión alrededor de la misma. El tamaño de esta zona depende de la diferencia de
potencial en la juntura.
La zona de deplexión no tiene el mismo tamaño en toda la longitud de la puerta debido
a la caída de tensión a lo largo del semiconductor. El espesor de la zona de deplexión
limita la región por donde pueden circular electrones en el semiconductor. Al haber una
menor cantidad de niveles de conducción, la corriente eléctrica será menor. De esta
manera, la intensidad de la tensión de polarización inversa de la puerta regula el paso
de corriente eléctrica por el canal hacia el drenaje.
Si aumentamos la tensión inversa VSG, llegaremos a un valor, llamado tensión de
estricción Vp, a la que el ancho del canal queda reducido a cero porque han sido
eliminadas todas las cargas libres.

Mosfet
Una estructura MOS básica está formada por cuatro capas: una de conductor (metal),
una de aislante (dióxido de silicio, SiO2), una de semiconductor (silicio tipo P o N) y una
segunda capa de conductor (metal). Ambas capas de metal funcionan como electrodos
donde se conecta la alimentación, en este caso una tensión referida a masa.
En un transistor de efecto de campo de unión, la sección efectiva del canal está
controlada por un campo eléctrico aplicado al canal a través de una unión PN. Al utilizar
un electrodo de puerta metálico separado del canal semiconductor por una capa de
óxido, se obtiene un dispositivo de efecto de campo fundamentalmente diferente. Esta
disposición metal-óxido-semiconductor (MOS) permite controlar las características del
canal mediante un campo eléctrico creado al aplicar una tensión entre la puerta y el
sustrato. Un dispositivo de este tipo se denomina MOSFET o transistor MOS. Son los
transistores más utilizados en la actualidad.
Hay dos tipos principales de transistores MOS: de deplexión y de acumulación.
Los transistores MOS de deplexión son
similares a los transistores JFET en su
funcionamiento.
Los transistores MOS de acumulación por otro
lado no tienen corriente de salida cuando la
tensión de puerta es cero. A medida que
aumenta la tensión de puerta, se acumula una
carga en el canal y la corriente de salida
aumenta.
Ambos tipos de transistores MOS pueden ser
de canal p o de canal n.

Amplificadores de potencia
Un amplificador de potencia incrementa la magnitud de potencia de una señal de
entrada. Se diferencia de los amplificadores de voltaje y corriente en que está diseñado
para impulsar cargas y se ubica como bloque final en un circuito amplificador.
Estos instrumentos admiten una señal de onda eléctrica débil y reproducen una forma
de onda similar más fuerte en la salida mediante el uso de una fuente de alimentación
externa.
Amplificador de potencia de la clase A, toda la forma de onda de entrada se usa en
el proceso de amplificación. Por lo que son los amplificadores de potencia de uso más
comunes.
En los amplificadores de potencia de clase A, un único transistor se usa para amplificar
las mitades positiva y negativa de la forma de onda. Por otro lado, su ángulo de
conducción es de 360º, por lo que los niveles de distorsión de señal son muy inferiores
y permiten un mejor rendimiento de alta frecuencia.
El amplificador de Clase A tiene una eficiencia limitada porque siempre hay una
corriente de reposo sustancial que fluye independientemente de que la corriente de la
señal esté fluyendo o no. Las clases de amplificadores de orden superior logran una
mayor eficiencia, pero distorsionan la señal.

Amplificador de potencia clase B cuenta con dos transistores complementarios,

amplificando toda la forma de la onda.
En los amplificadores de potencia de clase B un transistor amplifica la mitad positiva de
la forma de la onda y el otro la mitad negativa.
Los amplificadores de Clase B emplean dos o más transistores polarizados para que
cada uno conduzca durante medio ciclo de la onda de entrada. Ofrecen un rendimiento
superior a los de Clase A y su diseño no es mucho más complejo, pero su uso es
limitado debido a su “distorsión de cruce por cero”. Se emplean en amplificadores que
no requieren alta fidelidad, como los de bocinas y megáfonos de mano.
Para aumentar la eficiencia de potencia del amplificador de clase A y reducir la pérdida
de calor, se puede diseñar el circuito amplificador de potencia con dos transistores en
su etapa de salida, creando lo que se conoce como amplificador de clase B o
configuración de amplificador Push-Pull. Este tipo de amplificador utiliza transistores
complementarios, es decir, con las mismas características eléctricas pero diferentes
uniones P-N. Si uno es NPN, el otro debe ser PNP.
Los amplificadores Push-Pull emplean transistores complementarios de potencia que
reciben la misma señal de entrada, pero en fase opuesta. Cada transistor amplifica la
mitad del ciclo de la onda de entrada, y juntos excitan la carga o resistencia de salida
para producir la señal completa amplificada.
 Conclusión

Los transistores de efecto de campo (FET) son un tipo de transistores que utilizan un
campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material
semiconductor. Son más eficientes en términos de consumo de energía que los
transistores bipolares de unión (BJT) y se utilizan en una amplia variedad de
aplicaciones, incluyendo amplificadores de potencia, conmutación y procesamiento de
señales.
Hay dos tipos principales de FET: los transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
y los transistores de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), también
conocidos como transistores de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor
(MOSFET). Los JFET son más simples de fabricar y ocupan menos espacio que los
MOSFET, pero los MOSFET tienen una mayor impedancia de entrada y son más
adecuados para aplicaciones de alta frecuencia.
Los amplificadores de potencia son circuitos electrónicos que incrementan la magnitud
de potencia de una señal de entrada. Se utilizan en una amplia variedad de
aplicaciones, incluyendo sistemas de audio, sistemas de radio y sistemas de televisión.
Hay diferentes clases de amplificadores de potencia, cada una con sus propias ventajas
y desventajas. Los amplificadores de potencia de clase A son los más lineales y tienen
la menor distorsión, pero también son los menos eficientes. Los amplificadores de
potencia de clase B son más eficientes, pero tienen una mayor distorsión.
Bibliografía:

 Asin Electronics
Transistores FET ó efecto de campo
https://fjasin.wixsite.com/electronica-asin/transistore-fet-o-efecto-de-campo

 Departamento de Electricidad-Electrónica
“Centro Integrado de Formación Profesional Número Uno de Santander”
José Francisco
Amplificadores de potencia con BJT: la clase A
Amplificadores de potencia con BJT: la clase B
https://cifpn1.com/electronica/?p=4060
https://cifpn1.com/electronica/?p=4190

 FCEIA
Facultad de Ciencias Exactas, Ingeniería y Agrimensura Universidad Nacional de
Rosario
Ing. María Isabel SCHIAVON
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf

 UNICEN
“Universidad Nacional del centro de la provincia de Buenos Aires”
Transistores de Efecto de Campo
https://users.exa.unicen.edu.ar/catedras/edigital/teorias/c08_fet.pdf