ELÉCTRÓNICA II 1

Prof.: Hurtado Daiana

TRANSISTOR JFET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número
de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Explicación de la combinación de portadores

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones
fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque
hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la
puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos

fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el
terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.
 ELÉCTRÓNICA II 2
Prof.: Hurtado Daiana

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,

así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que
conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los
distintos dispositivos.

Explicación de sus elementos o terminales

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas
conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source),
más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos
valores de VGS.

• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se

comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

• ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

 ELÉCTRÓNICA II 3
Prof.: Hurtado Daiana

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se
trata de un dispositivo simétrico).

Parámetros del fet

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la

puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente
de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta
forma.

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa

de la pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la
realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy
grande). El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y
es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

Técnicas de manufactura.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material

semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio)
con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente
eléctrica mediante una corriente de control, mucho menor.

El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.

En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer

transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de
fabricación, su comercialización a gran escala.

Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas

electrónicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos
 ELÉCTRÓNICA II 4
Prof.: Hurtado Daiana

portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros

tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").

Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo

una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra
explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor

parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos
resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de
canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con párrafos y secciones
dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe

que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las
capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta
mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D),

mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto
óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se
encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta

(gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a

los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En
ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n
bajo condiciones sin polarización.

El resultado es una región de agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura

siguiente, que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin
polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región
carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través
de la región.
 ELÉCTRÓNICA II 5
Prof.: Hurtado Daiana

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas,
pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del
JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las
terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones)
desde el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada
(potencial), controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del
drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la
figura anterior, debido a que la terminología se define para el flujo de electrones.

MOSFET

En este tema se presenta un tipo de transistor cuyo funcionamiento está basado en el

transporte de carga asociado a un único tipo de portadores (e- o p +). Debido a ello, a
veces son conocidos con el nombre de transistores unipolares, a diferencia de los
transistores bipolares (BJT) estudiados en el tema 3, en los que el transporte de carga
se realiza mediante ambos tipos de portadores inyectados a través de las uniones PN
polarizadas directamente.

Desde el punto de vista físico, el principio de funcionamiento se centra en la acción de

un campo eléctrico sobre cargas eléctricas, provocando su desplazamiento y, por
ende, la corriente eléctrica. De ahí su nombre genérico de: FET - Field Effect
Transistor.

Se ha desarrollado diversas estructuras de transistores FET, según la tecnología y/o

necesidades. Las más importantes son las implementadas con tecnologías sobre
Silicio (Si) como el JFET, o Junction FET, y el MOSFET, o Metal-Oxide-Semiconductor
FET. En tecnologías de Arseniuro de Galio (AsG) se han implementado transistores
MESFET o Metal Semiconductor FET.

El desarrollo actual de las tecnologías de Silicio es muy elevado. No así en el caso de

las de AsGa, que se encuentran aún en fase de investigación y experimentación con
un grado de fiabilidad relativo, y a veces no disponible comercialmente. La mayoría de
los CI actuales se realizan sobre tecnologías de Si. Dentro de ellas, el transistor
MOSFET es ampliamente el más utilizado sobre los demás (JFET) por poseer ciertas
características que los hacen ventajosos, incluso en ocasiones respecto del transistor
bipolar:
 ELÉCTRÓNICA II 6
Prof.: Hurtado Daiana

1.- El proceso de fabricación es simple (menor número de pasos)

2.- Reducido tamaño, que conducen a densidades de integración elevadas.

3.- Se puede evitar el uso de resistencias, debido a que su comportamiento se puede

modelar mediante técnicas de circuito.

4.- Reducido consumo de energía (menor consumo de potencia).

5.- Pueden implementarse tanto funciones analógicas como digitales y/o mixtas
dentro de un mismo chip. Estas características han impulsado el desarrollo y uso de
los transistores MOSFET, siendo la mayoría de los circuitos LSI y VLSI fabricados en
tecnologías MOSFET (µP, memorias).

Estructura metal-oxido-semiconductor (mos)

La estructura MOS se compone de dos terminales y tres capas: Un SUBSTRATO de

silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de OXIDO DE
SILICIO (SiO2) que posee características dieléctricas o aislantes. Por último, sobre
esta se coloca una capa de METAL (Aluminio o polisilicio), que posee características
conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, como se muestra en la
Fig.

La estructura MOS actua como un condensador de placas paralelas en el que G y B

son las placas y el óxido el aislante. De este modo, cuando vGB=0, la carga
acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y correspondiente al
estado de equilibrio en el semiconductor.

Si vGB > 0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de puerta y substrato. La
región semiconductora p se comporta creando una región de empobrecimiento de
 ELÉCTRÓNICA II 7
Prof.: Hurtado Daiana

cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que ocurriera en la región P de una unión
PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta región de iones negativos se
incrementa con vGB.

Al llegar a una cota de vGB, los iones presentes en la zona semiconductora de

empobrecimiento no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la
acumulación de cargas negativas libres (e- ) atraídos por el terminal positivo. Se dice
entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión fuerte. El
proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del substrato debajo de
la región de puerta.

En inversión fuerte, se forma así un CANAL de e- libres en las proximidades del

terminal de gate (puerta) y de huecos p + en el extremo de la puerta. La intensidad de
puerta, iG, es cero, puesto que en continua se comporta como un condensador (GB).
Por lo tanto, podemos decir que la impedancia desde la puerta al substrato es
prácticamente infinita e iG=0 siempre en estática. Básicamente, la estructura MOS
permite crear un densidad de portadores libres suficiente para sustentar una corriente
eléctrica.

Principios básicos

A continuación se distinguen varias estructuras MOS similares, de las cuales se

analizará en más detalle la denominada MOSFET de enriquecimiento de CANAL N,
aunque el funcionamiento de todas ellas es similar, y se basan en el mismo principio
de operación.

MOSFET de enriquecimiento de CANAL N

Se trata de una estructura MOS de cuatro terminales en la que el substrato

semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interface Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado (n+).

Símbolos de transistores
MOSFET
 ELÉCTRÓNICA II 8
Prof.: Hurtado Daiana

Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El

diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen
del canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal,
para indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea segmentada
en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida para el
canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada en forma paralela al
canal para destacar la puerta.

La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central
del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha
siempre apunta en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un
sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal).
Si el sustrato está conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en
dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo entre el sustrato y la
fuente. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso
de los diseños de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato común) se
utiliza un símbolo de inversión para identificar los transistores PMOS, y de forma
alternativa se puede utilizar una flecha en la fuente de forma similar a como se usa en
los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para
un PMOS).

En la tabla que seguidamente se muestra se tiene una comparación entre los símbolos
de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los símbolos
para los JFET dibujados con la fuente y el drenaje ordenados de modo que las
tensiones más elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la corriente fluye
hacia abajo.
 ELÉCTRÓNICA II 9
Prof.: Hurtado Daiana

Símbolos de los transistores FET y MOSFET

Can
al P

Can
al N

MOSFET de
MOSFET de MOSFET de
FET de Empobrecimien
Enriquecimien Enriquecimien
unión to
to to
JFET o Deplexión
(MOSFET-E) (sin sustrato)
(MOSFET-D)

Para aquellos símbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aquí se
representa conectado internamente al terminal de fuente. Esta es la configuración
típica, pero no significa que sea la única configuración importante. En general, el
MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos
de los MOSFET comparten una conexión común entre el sustrato, que no está
necesariamente conectada a los terminales de la fuente de todos los transistores.

Funcionamiento

Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los
primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de
un canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión
de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una
región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato
originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de
la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentración de electrones, o huecos . De este modo un transistor
 ELÉCTRÓNICA II 10
Prof.: Hurtado Daiana

NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado

de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión
eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores
de carga y una disminución respectiva de la conductividad.

Estructura metal-óxido-semiconductor

Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una densidad de aceptores NA), p es

la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrínseco), una tensión positiva
VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una región de agotamiento
debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la interfaz entre el
aislante de puerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre de
portadores, que está constituida por los iones de los átomos aceptores cargados
negativamente. Si VGB es lo suficientemente alto, una alta concentración de portadores
de carga negativos formará una región de inversión localizada en una franja delgada
contigua a la interfaz entre el semiconductor y el aislante. De manera distinta al
MOSFET, en donde la zona de inversión ocasiona que los portadores de carga se
establezcan rápidamente a través del drenador y la fuente, en un condensador MOS
los electrones se generan mucho más lentamente mediante generación térmica en los
centros de generación y recombinación de portadores que están en la región de
agotamiento. De forma convencional, la tensión de puerta a la cual la densidad
volumétrica de electrones en la región de inversión es la misma que la densidad
volumétrica de huecos en el sustrato se llama tensión de umbral.

Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores n MOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.
 ELÉCTRÓNICA II 11
Prof.: Hurtado Daiana

Estructura MOSFET y formación del canal

Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en

controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la puerta. La puerta está localizada encima
del sustrato y aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de
dieléctrico, que en el caso del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dieléctricos que no sean óxidos, el dispositivo es conocido
como un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET).
Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales
(fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que están
separadas por la región del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero
deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. la fuente y el
drenador (de forma distinta al sustrato) están fuertemente dopadas y en la notación se
indica con un signo '+' después del tipo de dopado.

Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente

y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una región de tipo 'p'. Si el MOSFET es
de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el drenador son
regiones 'p+' y el sustrato es una región de tipo 'n'. El terminal de fuente se denomina
así porque ser origen de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en
el canal p) que fluyen a través del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el
cual los portadores de carga abandonan el canal.

La ocupación de las bandas de energía en un semiconductor está determinada por la

posición del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energía del
semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la
figura, cuando se aplica una tensión de puerta suficiente, el borde de la banda de
valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son
 ELÉCTRÓNICA II 12
Prof.: Hurtado Daiana

repelidos de la puerta. Cuando se polariza todavía más la puerta, el borde de la banda

de conducción se acerca al nivel de Fermi en la región cercana a la superficie del
semiconductor, y esta región se llena de electrones en una región de inversión o
un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el óxido. Este canal
conductor se extiende entre el drenador y la fuente, y la corriente fluye a través del
dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y la fuente. Al aumentar la
tensión en la puerta, se incrementa la densidad de electrones en la región de inversión
y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente entre el drenador y la fuente.

Para tensiones de puerta inferiores a la tensión de umbral, el canal no tiene suficientes

portadores de carga para formar la zona de inversión, y de esta forma sólo una
pequeña corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y la fuente.

Cuando se aplica una tensión negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-
puerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma
análoga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones.
Cuando una tensión menos negativa que la tensión de umbral es aplicada (una tensión
negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y sólo puede fluir una pequeña
corriente de subumbral entre el drenador y la fuente.