CARACTERISTICAS INTERNAS DE:

 JFET: El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo

de tres terminales que utiliza una unión PN para controlar el flujo de
corriente entre dos terminales. La región de canal del JFET es una región
intrínseca que se encuentra entre dos regiones p dopadas. El voltaje
aplicado a la compuerta controla el ancho del canal y, por lo tanto, la
corriente que fluye a través del dispositivo.

 MOSFET: El transistor MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales

que utiliza una estructura de óxido metálico-semiconductor para controlar
el flujo de corriente entre dos terminales. La estructura básica del
MOSFET consiste en una capa de óxido aislante entre la compuerta y el
canal. El voltaje aplicado a la compuerta controla la densidad de
portadores en el canal y, por lo tanto, la corriente que fluye a través del
dispositivo.

 VMOS: El transistor MOSFET vertical (VMOS) es una variante del

MOSFET que tiene una estructura más simple y puede soportar voltajes
más altos. El VMOS tiene una región de canal más ancha que el MOSFET
convencional, lo que permite que fluya más corriente a través del
dispositivo.

 CMOS: El transistor MOS complementario (CMOS) es un tipo especial

de circuito integrado que utiliza tanto transistores MOSFET tipo p como
tipo n para implementar funciones lógicas. Los transistores MOSFET tipo
p y tipo n se combinan para formar puertas lógicas NAND y NOR, que se
utilizan para construir circuitos digitales complejos .

FUNCIONAMIENTO DE:
JFET:
Un transistor de unión de efecto de campo (JFET) es un tipo de transistor utilizado en
electrónica para amplificar y controlar la corriente eléctrica. Los JFET son dispositivos de
estado sólido que funcionan en base a un principio de control de la corriente a través de un
canal semiconductor por medio de un campo eléctrico.
Hay dos tipos principales de JFET: el JFET de canal N y el JFET de canal P. La diferencia
entre estos dos tipos radica en el tipo de material semiconductor utilizado en el canal. El
JFET de canal N utiliza un canal de material semiconductor tipo N (ricamente dopado con
electrones), mientras que el JFET de canal P utiliza un canal de material semiconductor tipo
P (ricamente dopado con huecos).

El funcionamiento básico de un JFET se basa en el

control de la corriente entre el terminal de drenaje y el
terminal de fuente a través de la aplicación de una
tensión entre el terminal de puerta y el terminal de
fuente. Cuando se aplica una tensión negativa (en el caso de un JFET de canal N) o una
tensión positiva (en el caso de un JFET de canal P) entre la puerta y la fuente, se crea un
campo eléctrico que controla la corriente a través del canal semiconductor. Al aumentar o
disminuir la tensión en la puerta, se puede controlar la resistencia del canal y, por lo tanto,
la corriente entre el drenaje y la fuente.
El transistor JFET sirve para controlar una corriente que va a circular del drenador a la
fuente (ID). Es similar al transistor bipolar en el sentido de que ambos controlan la
corriente, pero en un transistor bipolar se controla una corriente del emisor al colector,
mientras que en un JFET, la corriente entre el drenaje y la fuente se controla mediante una
tensión.
Esta tensión se aplica entre la puerta (G) y la fuente (F). Para
comprender este proceso, es necesario conocer el funcionamiento con
polarización inversa de la unión PN. En una unión PN, la zona donde
se unen los dos semiconductores se llama zona de agotamiento. En esta
zona, los electrones se unen a los huecos y no hay portadores de carga
móviles, es decir, no hay electrones ni huecos sueltos.
En esta zona de agotamiento, no hay posibilidad de corriente, ya que no
se pueden mover los electrones hacia los huecos. Sin embargo, si
polarizamos inversamente la unión PN, es decir, aplicamos una tensión negativa al
semiconductor P y una tensión positiva al semiconductor N, la zona de agotamiento se
amplía con el aumento de la tensión polarizada inversamente.
Puedes visualizar el funcionamiento de un JFET de manera análoga a la acción de ajustar el
flujo de aire en un instrumento de viento, como una flauta. Cuando tocas una flauta, el aire
fluye a través de ella, y al tapar algunos agujeros con los dedos, puedes controlar la
velocidad y el volumen del flujo de aire. Un JFET opera de manera similar. Imagina que
sustituimos la flauta por un JFET y el flujo de aire por una corriente eléctrica. Entonces, al
variar la resistencia en el canal de conducción, controlamos la corriente eléctrica.
Cuando no aplicamos voltaje entre la puerta y la fuente, el canal se vuelve como un
conducto completamente abierto, permitiendo que los electrones fluyan sin obstáculos. Sin
embargo, al aplicar un voltaje en polaridad inversa entre la puerta y la fuente, la región de
unión P-N se expande, estrechando el canal, lo cual puede llevar al JFET a su región de
corte o apagado.
Para apagar un JFET de tipo N, necesitamos aplicar un voltaje negativo a la puerta con
respecto a la fuente (denominado VGS). En cambio, para un JFET de tipo P, requerimos un
VGS positivo para lograr el mismo efecto.
MOSFET:
El transistor MOSFET, conocido como Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, es un dispositivo que regula el flujo de corriente entre dos terminales
fundamentales: la fuente (source) y el drenaje (drain). Este control se logra aplicando una
tensión en un tercer terminal, denominado puerta (gate), la cual debe superar un valor
mínimo conocido como tensión umbral.
El MOSFET actúa como un interruptor controlado por tensión. Cuando se aplica una
tensión en la puerta, se permite la conducción de corriente entre el drenaje y la fuente. Por
otro lado, si no hay tensión en la puerta, el MOSFET se encuentra en estado no conductor.
Este transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor regulado por tensión,
donde el voltaje aplicado a la puerta determina si fluye o no corriente entre el drenaje y la
fuente. La conducción o el corte de la corriente se basa en la existencia de campos
eléctricos en el interior del dispositivo, y no en la circulación de corrientes de base como en
los transistores bipolares. Esto lo convierte en una opción valiosa en aplicaciones que
requieren una rápida respuesta a las señales de control y alta eficiencia eléctrica.
Este tipo de transistor tiene dos tipos o modos, el modo de saturación y el modo de
agotamiento:

Modo de Saturación:
En el modo de saturación, el transistor MOSFET no conduce corriente a voltaje cero, lo que
significa que está cerrado por defecto o en estado "OFF" debido a la ausencia de un canal
conductivo. Cuando el voltaje aplicado a la puerta supera el voltaje de la fuente, los
portadores de carga (en el caso de canal N, electrones) se desplazan, creando un canal
conductor más amplio.
La corriente es directamente proporcional al voltaje de la puerta, es decir, un aumento en el
voltaje de la puerta resulta en un incremento de la corriente, y viceversa.
Clasificación del Modo de Saturación de los Transistores MOS:
Los MOSFET avanzados se pueden clasificar en dos tipos según el tipo de sustrato dopado
utilizado (tipo N o tipo P), similar a la clasificación de transistores PNP y NPN.
1. MOSFET de Saturación de Canal N:
 El sustrato, ligeramente dopado de tipo P, forma el cuerpo del dispositivo.
 Los terminales S y D están fuertemente dopados con impurezas de tipo N.
 El canal es de tipo N con electrones como portadores principales.
 Se aplica un voltaje positivo (+) a la puerta para su operación.
 Tiene una capacitancia intrínseca más baja y una menor área de unión
debido a la alta movilidad de electrones, lo que permite una alta velocidad
de conmutación.
 Contiene impurezas cargadas positivamente, lo que restringe la activación
prematura del MOSFET de canal N.
 La resistencia entre D y S es baja en comparación con el tipo P.
2. MOSFET de Saturación de Canal P:
 El sustrato, ligeramente dopado de tipo N, forma el cuerpo del dispositivo.
 Los terminales S y D están fuertemente dopados con impurezas de tipo P.
 El canal es de tipo P con huecos como portadores principales.
 Se aplica un voltaje negativo (-) a la puerta para su activación.
 Tiene una capacitancia interna más alta y una movilidad de huecos más baja,
lo que resulta en una velocidad de conmutación más lenta en comparación
con el tipo N.
 Presenta una mayor resistencia entre D y S en comparación con el tipo N.
Los MOSFET de canal N se denominan NMOS, mientras que los de canal P se denominan
PMOS.

Modo de Agotamiento:
En este modo, el canal ya está configurado y permite la conducción incluso a voltaje cero,
lo que significa que está abierto o en estado "ON" por defecto. A diferencia del modo de
saturación, en este caso, el canal se encuentra desprovisto de portadores de carga para
reducir su ancho.
La corriente es inversamente proporcional al voltaje de la puerta, es decir, un aumento en el
voltaje de la puerta resulta en una disminución de la corriente.
Clasificación del Modo de Agotamiento para MOSFET:
Los MOSFET de agotamiento se pueden clasificar en dos tipos según el tipo de sustrato
dopado utilizado (tipo N o tipo P).
1. MOSFET de Agotamiento de Canal N:
 El semiconductor forma el sustrato de tipo P.
 Los terminales S y D están fuertemente dopados con impurezas de tipo N.
  Se aplica un voltaje negativo (-) a la puerta.
 El canal se encuentra agotado de electrones libres.
2. MOSFET de Agotamiento de Canal P:
 El semiconductor forma el sustrato de tipo N.
 Los terminales S y D están fuertemente dopados con impurezas de tipo P.
 Se aplica un voltaje positivo (+) a la puerta.
 El canal se encuentra agotado de huecos libres.

VMOS (o VMOSFET):
Un transistor VMOSFET es una variante del transistor MOSFET (Metal-Oxide-
Semiconductor Field-Effect Transistor) que se ha desarrollado para aplicaciones específicas
en alta potencia y alta velocidad. La "V" en VMOSFET se refiere a "Vertical," ya que este
diseño se diferencia de los MOSFET convencionales en la disposición de su estructura de
canal y en cómo se controla la corriente.
El VMOSFET es un tipo de MOSFET de potencia diseñado para trabajar a tensiones y
corrientes más altas en comparación con los MOSFET tradicionales. Su estructura vertical
permite que maneje mayores corrientes y potencias, lo que lo hace adecuado para
aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como en fuentes de alimentación
conmutadas, inversores de potencia, control de motores, entre otros.
El funcionamiento básico de un VMOSFET es similar al de un MOSFET convencional.
Está compuesto por tres terminales: fuente (source), drenaje (drain) y puerta (gate). La
principal diferencia radica en su estructura de canal vertical, que permite un mejor manejo
de altas corrientes. La operación se controla aplicando una tensión a través de la puerta.
Cuando se aplica un voltaje adecuado en la puerta, se crea un campo eléctrico que controla
la corriente entre el drenaje y la fuente, permitiendo o bloqueando el flujo de corriente.
Este está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta velocidad. Su diseño vertical y
capacidades mejoradas de manejo de corriente lo hacen adecuado para aplicaciones que
requieren conmutación rápida y eficiente de grandes cantidades de energía.
CMOS (o CMOSFET):
Un transistor CMOS es un tipo de transistor que juega un papel fundamental en la
fabricación de circuitos integrados, especialmente en la construcción de dispositivos
electrónicos digitales como microprocesadores, memorias RAM, circuitos lógicos y otros
componentes electrónicos de bajo consumo de energía.
La característica principal del CMOS es su capacidad para combinar dos tipos de
transistores MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
complementarios: los transistores de canal N (NMOS) y los transistores de canal P
(PMOS). La parte "complementaria" se refiere al hecho de que estos dos tipos de
transistores trabajan juntos para formar una compuerta lógica o un dispositivo de
conmutación.
El funcionamiento de un transistor CMOS se divide en dos componentes importantes:
1. Transistor de Canal N (NMOS): En el caso de un NMOS, cuando se aplica una
tensión positiva a la puerta en relación a la fuente, se crea un canal conductor de
electrones entre el drenaje y la fuente, permitiendo el flujo de corriente. En otras
palabras, cuando la entrada es alta (representando un 1 lógico), el NMOS se
enciende y permite el paso de corriente.
2. Transistor de Canal P (PMOS): En un PMOS, cuando se aplica una tensión negativa
a la puerta con respecto a la fuente, se genera un canal conductor de huecos entre el
drenaje y la fuente, facilitando el flujo de corriente. En este caso, cuando la entrada
es baja (representando un 0 lógico), el PMOS se activa y permite el paso de
corriente.
La clave de la tecnología CMOS radica en que los transistores NMOS y PMOS trabajan de
forma complementaria y en una configuración simétrica. Cuando un transistor NMOS está
activado, el transistor PMOS está apagado, y viceversa. Esto significa que, en un circuito
CMOS, la potencia se consume principalmente durante las transiciones entre los estados
lógicos 0 y 1. Cuando un transistor está apagado, el consumo de energía es prácticamente
nulo. Esta característica hace que la tecnología CMOS sea altamente eficiente en términos
de consumo de energía y la convierte en la elección preferida para dispositivos portátiles y
aplicaciones que requieren eficiencia energética.
Aplicaciones:
JFET:
MOSFET

VDD = 12 V
VGS = 8 V
VT = 3 V

ID = K(VGS-VT)^2

ID=K((12-I x R )-V ) =0.24 x 10 [12-I x 2 x 10 -3]

d d t
2 -3
D
-3 2

=0.24×10-3 [81 – 36000 ID + 4000000 I2D]

Así; ID = 0.01944 – 8.64 ID + 960 I2d
960 x I2D – 9.64 x ID + 0.01944 = 0
960xI2D-9.64xID+0.01944=0 donde,

Vds=Vdd-IdxRd=12-7.2477×10-3x2x103=12-14.495=-2.495
Vgs=12-2.794×10-3x2x103=12-5.588=6.412V
VGS=6.412V
VMOS
Bibliografía:
Electrotec | ¿Qué es el JFET? (n.d.). https://electrotec.pe/blog/jfet

Equipo editorial de IONOS. (2021, December 8). ¿Qué es CMOS? IONOS Digital Guide.

https://www.ionos.es/digitalguide/servidores/know-how/cmos/#:~:text=CMOS

%20funciona%20mediante%20la%20interacci%C3%B3n,del%20canal%20P%20y

%20viceversa.

Erick, R. (2021a, April 1). Principios y Funcionamientos del Mosfet. Transistores.

https://transistores.info/principios-y-funcionamientos-del-mosfet/

Erick, R. (2021b, April 1). Transistor CMOS. Transistores.

https://transistores.info/transistor-cmos/

https://www.areatecnologia.com. (n.d.-a). JFET Transistor Efecto de Campo de Unión

Aprende Facil. https://www.areatecnologia.com/electronica/jfet.html

https://www.areatecnologia.com. (n.d.-b). Mosfet Explicación Partes y Funcionamiento

Facil del Transistor Mosfet.

https://www.areatecnologia.com/electronica/mosfet.html
Jiménez, J. F. R. (n.d.). VMOS - Transistor de potencia de efecto de campo. prezi.com.

https://prezi.com/p/yxiugzumc326/vmos-transistor-de-potencia-de-efecto-de-

campo/

¿Qué es un MOSFET y para qué sirve? - Definición. (2020, January 10). GEEKNETIC.

https://www.geeknetic.es/MOSFET/que-es-y-para-que-sirve#:~:text=Al%20ser

%20un%20transistor%2C%20el,el%20VRM%2C%20de%20amplificarlo

%20adecuadamente.

BIBLIOGRAPHY(s.f.). Obtenido de https://idoc.pub/documents/idocpub-ylyx93yq2enm

(s.f.). Obtenido de https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet/

(s.f.). Obtenido de https://es.lambdageeks.com/jfet-junction-field-effect-transistor/

(s.f.). Obtenido de https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/MOSFET/

Estructura_y_principio_de_funcionamiento