ELECTRONICA Y ANALOGICA

CODIGO: EE3090

LABORATORIO DE
Circuito amplificador con transistor bipolar

Alumnos: MOLLAPAZA BENAVENTE, JUAN CARLOS

Grupo B C-4 ING. Nota:

:
Semestre III
:
Fecha de 3/11/ Hora
entrega : 16 :

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OBJETIVOS

Realizar el circuito de un circuito amplificador con transistor

bipolar
Analizar el circuito mediante un amplificador de funciones y el
osciloscopio
Tener en claro el tema de circuito amplificador con transistor
bipolar como funciones, definicin, utilizacin.

MARCO TEORICO

De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se

diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha,
que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho
mayor. Cuando el transistor bipolar, fue considerado una revolucin.
Pequeo, rpido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de
energa, reemplaz progresivamente a la vlvula termoinica durante
la dcada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los aos 60,
algunos fabricantes siguieron utilizando vlvulas termoinicas en
equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el
transistor desplaz a la vlvula de los transmisores pero no del todo
de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo
de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones
de la supervivencia de las vlvulas termoinicas son varias:

El transistor no tiene las caractersticas de linealidad a alta potencia

de la vlvula termoinica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisin de radio profesionales y de
radioaficionados.

Los armnicos introducidos por la no-linealidad de las vlvulas

resultan agradables al odo humano (vase psicoacstica), por lo que
son preferidos por los audifilos

El transistor es muy sensible a los efectos electromagnticos de las

explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando vlvulas
termoinicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de
fabricacin sovitica.

Funcionamiento
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En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en
directa y la unin basecolector en inversa. Debido a la agitacin
trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por
el campo elctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor
NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est
polarizada en directa y la juntura base-colector est polarizada en
inversa.

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones

operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de

saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin
intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector
(Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es
la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.

Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del

funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del
colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
TBJ son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al
presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: 9 9

corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este
caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)

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 Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie
= Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib)

INTRODUCCION

En este trabajo se pretende realizar un resumen acerca algunos de los

tipos de transistores existentes, en cuanto a sus caractersticas, su
principio de funcionamiento, sus modos de conexin ms comunes y
las aplicaciones de los ms usados en electrnica como el caso de los
transistores bipolares, Transistor de efecto campo (FET), el
fototransistor etc

Metas de aprendizaje e introduccin

Los transistores han revolucionado el mundo de la electrnica desde

que hicieron su aparicin despus de la Segunda Guerra Mundial. Su
tamao, cada vez menor, y su enorme versatilidad los han convertido
en los ms tiles e importantes componentes electrnicos existentes.
En el presente curso trataremos dos configuraciones posibles de
circuitos transistores bsicos.

Los primeros transistores, conocidos como transistores bipolares,

estn formados por dos capas semiconductoras que encapsulan una
tercera capa. Los materiales semiconductores se caracterizan, entre
otros aspectos, por la propiedad de incrementar y disminuir el nmero
de electrones que conducen electricidad si, simplemente, se integran
impurezas. Este proceso se denomina dopaje, y se usa para fabricar
materiales tipo n (negativo) con un exceso de electrones, as
como materiales tipo p (positivo) que presentan una relativa
carencia de electrones. En este ltimo caso aparecen los "huecos",
palabra que se emplea para referirse a los electrones faltantes.
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Dichos huecos se comportan como si fueran portadores de carga
positiva, de manera similar a los electrones que tienen carga
negativa.

Los dos tipos de material se combinan para conformar un

componente nico. El componente del tipo p se emplaza hacia un
lado y el de tipo n hacia el otro, con lo que se crea una unin en el
centro. Esta estructura es un excelente conductor de electricidad si la
tensin que se aplica en el lado de tipo p tiene una carga ms
positiva que la del lado de tipo n (la tensin previa circula en el
sentido de conduccin). Si, no obstante, el material conductor tipo n
del componente se conecta al terminal positivo del circuito (tensin
previa de bloqueo), es muy difcil para los portadores de carga
(electrones y huecos) pasar a travs de la unin, por lo tanto, se
bloquea el flujo de corriente. ste es el principio bsico de
funcionamiento de los diodos, componentes que conducen corriente
en una sola direccin.

Los transistores bipolares presentan materiales semiconductores del

mismo tipo en ambos lados y una fina capa del tipo opuesto entre
ellos. Los dos lados se denominan zonas colectora y emisora, la capa
intermedia recibe el nombre de base. A primera vista, este
ordenamiento tiene el aspecto de dos diodos interrelacionados. Se
podra esperar que la corriente no pueda fluir entre el colector y el
emisor, puesto que siempre se aplica una tensin de bloqueo en cada
una de las dos "uniones de diodo". El secreto de esta asociacin est
en la fina capa de la zona de la base. Los portadores de carga siempre
pueden superar una pequea distancia que les permita atravesar la
unin. Si se aplica una tensin a la zona de la base, con lo que se
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integran portadores de carga adicionales, en un momento
determinado se contar con suficientes portadores de carga que, por
as decirlo, superarn la brecha y la corriente empezar a fluir. Debido
al hecho de que el flujo de corriente entre el colector y el emisor slo
se inicia cuando se presenta suficiente corriente y tensin en la base,
este tipo de transistores se puede usar como conmutadores
electrnicos, que se activan o desactivan en funcin del suministro de
corriente aplicado a la base.

Hasta qu punto la corriente fluye entre el colector y el emisor, es

algo que depende del nmero de portadores de carga presentes en la
zona base, por lo tanto, las variaciones de tensin y amperaje en
esta zona conllevan a un flujo de corriente ms fuerte o ms dbil
entre el colector y el emisor. Incluso un leve cambio en la base
produce una modificacin sustancial en la tensin presente entre el
colector y el emisor. Esta relacin es lineal a lo largo de un rango
amplio: una seal de tensin modificada en la base se reproduce
exactamente entre el colector y el emisor, pero con un cambio
considerablemente mayor del valor del voltaje. Por lo tanto, el
transistor sirve para amplificar la seal. sta es la segunda rea de
aplicacin convencional de estos componentes.

Las propiedades de la tensin de ambos circuitos se pueden mejorar

integrando un bucle de realimentacin a travs del cual se capta la
seal de salida para mezclarla con la seal de entrada de la base. Un
bucle de realimentacin se implementa por medio de un resistor
(realimentacin resistiva) o con capacitores (realimentacin
capacitiva). En los siguientes experimentos se examinan los efectos
de estos dos tipos de realimentacin.

Circuito de emisor Circuito de colector

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Diagrama de circuito de emisor comn

Diagrama de circuito de colector

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Ajustes en los equipos para realizar el siguiente circuito con sus
componentes

Montaje experimental del circuito de colector

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CONCLUSIONES
Se realiz exitosamente el montaje en los circuitos de amplificador
con transistor bipolar
Se analiz las respuestas dadas y puesto que con el uso de los
instrumentos como amplificador de funciones, el osciloscopio,
multmetro, se realizo las respuestas.
Se analiz el comportamiento del circuito por mediante ondas
gracias a un regulador de funciones y un osciloscopio.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran
medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran
versatilidad y facilidad de control.
Con el desarrollo de este trabajo adems de consolidar el trabajo en
equipo, y consolidar nuestras capacidades investigativas nos aporto
importantes conocimientos en algunos casos en forma de cultura
general, y otras ocasiones conocimientos especficos acerca de los
diodos y cada uno de los tipos mas conocidos.

BIBLIOGRAFIA
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/
9%20Circuitos%20Amplificadores.pdf
https://www.google.com.pe/search?
q=Circuito+amplificador+con+transistor+bipolar&biw=1366&b
ih=613&tbm=isch&tbo=u&source=univ&sa=X&ved=0ahUKEwj
8gISartDQAhXj5IMKHWr5ArEQsAQIGA&dpr=1
http://www.monografias.com/trabajos7/biun/biun.shtml
http://www2.imse-
cnm.csic.es/~gloria/documentos/CURSO_0708/ELECTRONICA/TE
MAS_PDF/Tema6_0708-a-DEF.pdf

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