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ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES CARRERA Ingeniera Electrnica en Telecomunicaciones y Redes PRCTICA N 7 INTEGRANTES - Marjorie Paredes (195) - Jefferson Tipn (399) -Maril Torres (396) - Lorena Cuenca (137) TEMA Transistores JFET ASIGNATURA Laboratorio de Electrnica I DURACIN FECHA 03/01/2014

INTRODUCCIN

El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones. No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen aparecer, ms bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporadas, por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un pequeo amplificador de la seal dbil que se produce en stas. Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P. OBJETIVO GENERAL Usando Transistores de tipo JFET, resistencias y fuentes construir un circuito que nos permita obtener la situacin deseada.
OBJETIVOS ESPECIFICOS

Presentar una aplicacin con los transistores de la prctica... Conocer su composicin, y su funcionamiento. Saber identificar un transistor en un

circuito

electrnico.

MARCO TERICO

Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate).

FUNCIONAMIENTO Los transistores de unin bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los electrones.

El transistor de la figura de la derecha conduce siempre del terminal de surtidor al de drenador (sentido electrnico de la corriente). El canal N posee suficientes electrones libre como para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos al terminal de puerta a una tensin negativa, los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que provoca una disminucin de la

corriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir. A esta forma de trabajo se la denomina de empobrecimiento, es decir, que la tensin de control aplicada a la puerta empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace que ste se estreche al paso de la corriente. En el JFET de canal P de la siguiente figura, se utiliza material semiconductor P para el canal y N para la puerta. Observa, cmo en este caso, la flecha del canal, en el smbolo, apunta hacia afuera. La tensin aplicada a la puerta se hace ahora positiva, consiguiendo, as, repeler los huecos existentes en el canal P y controlar de esta forma, la corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de transistores unipolares, la tensin de polarizacin del diodo formado por la puerta y el canal se polariza inversamente. De esta forma evita que por esta unin fluya corriente elctrica. Curvas caractersticas de drenador de un JFET En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caractersticas de surtidor comn de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas.

Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje ( ID ) se hace ms pequea a medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre la puerta y el surtidor ( VGS ). Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de saturacin. En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surtidor ( VDS ) aumenta excesivamente, el JFET entra en la regin de ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor. En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V. MATERIALES Y ESQUEMA

GRFICOS Anexo 1

Anexo 2

Anexo 3

CONCLUSIONES

Se observa la importancia de la eleccin de una buena polarizacin, ya que de fallar esta, el


circuito no se encontrar en condiciones de funcionar correctamente

Es posible observar, ms all de las ecuaciones, la influencia de cada componente en la


polarizacin del transistor, y cmo, de ser llevados los valores al extremo se pasa a una condicin de Corte o de Saturacin que no son aceptables para un correcto funcionamiento de un circuito.

RECOMENDACIONES Tener mucho cuidado al momento de implementar en la protoboard. Conectar bien los dispositivos que entran y salen del transistor como de los otros elementos. Probar de diferentes formas para que el transistor no llegue a quemarse haciendo las debidas pruebas de medicin de voltaje.

REFERENCIAS

http://www.electronicafacil.net/circuitos/Alarma-para-auto-con-temporizadores-556-Ricardo-ChoqueMamani.html#6906 REPRESENTANTE Lorena Cuenca DOCENTE