CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

CLASE 21- Transistores unipolares

Los transistores de efecto de campo son de desarrollo más reciente que los
transistores bipolares, y se basan en un mecanismo completamente diferente para
conseguir la amplificación de una señal. Los transistores de efecto de campo
(TECs) son unipolares y en su funcionamiento sólo está implicado un tipo de
partículas cargadas (electrones o huecos).
Hay dos clases principales de TECs: transistores de efecto de campo de
puertas-unión (TECPU) y transistores de efecto de campo de puerta aislada
(TECPA). Dentro de estos dos grupos hay también, como veremos, varias
subdivisiones.
1 Transistores de efecto de campo de puerta-unión
La característica distintiva principal entre los TECs y los transistores
bipolares, es el hecho de que los primeros están controlados por tensión en lugar
de por corriente. En la Figura 1 se representa el símbolo utilizado en los circuitos.
Se hace variar una tensión aplicada en la puerta (y no una corriente puerta-
emisor), para obtener una variación correspondiente de la resistencia entre la
fuente y el consumo. A diferencia de la conexión de la base de transistor bipolar, la
puerta de TEC tiene una resistencia de entrada muy elevada, de al menos varias
decenas de megaohmios y, en algunos casos, de gigaohmios. La intensidad de
corriente que conduce la puerta es, por tanto extremadamente pequeña (en
ocasiones no medible).

1
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

Los TECs pueden utilizarse en circuitos de amplificación, como los

transistores bipolares. Una diferencia obvia es la falta de una resistencia de la
puerta (base); debido a que por la conexión de la puerta fluye una intensidad
despreciable, dicha resistencia no produciría ninguna diferencia en el
funcionamiento del circuito, simplemente añadiría una moderada cantidad de
resistencia a la ya existente inicialmente, y grande.

De la misma forma que hay un transistores npn y pnp, también hay

TECPUs de canal n y del canal p. La Figura 3 muestra un modelo de canal p,
mientras que los de las Figura 1 y 2 son de canal n (fíjese en la cabeza de flecha).
2 Física de los transistores de efecto de campo y puerta-unión
El TECPU tiene una estructura física que puede representarse en un
esquema como el de la Figura 4. (En la práctica no resulta fácil la difusión de las
impurezas a ambos lados de la lámina cristalina semiconductora y se utiliza una
configuración bastante diferente).

2
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

Se fabrica una barra de material semiconductor tipo n (sicilio casi

invariablemente) con regiones tipo p finas en las superficies superior e inferior.
Estas se conectan al terminal de la puerta y los dos extremos de la barra se
conectan con la fuente y el consumo. Si la barra se conecta a una fuente de
tensión, pasará corriente por ella. Puesto que la barra es simétrica, puede pasar
en cualquier sentido, siendo intercambiables la fuente y el consumo. El flujo de
corriente se compone de electrones que se desplazan a través del semiconductor
tipo n (Figura 5).

Ahora observe el efecto de un potencial negativo aplicado en las regiones

de la puerta. La unión entre las regiones p y n forma un diodo con polarización
inversa, por lo que no fluye la corriente, pero se introduce un campo eléctrico en la
barra tipo n, desde las regiones tipo p, esta carga concentra la partículas
portadoras de corriente (electrones) fuera de la región, reduciendo la cantidad de
barra disponible para conducir la corriente entre la fuente y el consumo (como se
demuestra en el dibujo de la Figura 6).

Si el potencial aplicado en la puerta es suficientemente negativo, el campo

eléctrico se extiende por todo el espesor de la barra del semiconductor tipo n, y
apenas quedarán partículas cargadas disponibles para que fluya corriente. La
intensidad disponible en el consumo caerá hasta un valor muy bajo (pero nunca
hasta cero; el canal nunca se cierra completamente - véase Figura 7).
Las variaciones de la tensión aplicada en la puerta provocarán cambios

3
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

correspondientes en la corriente que pasa entre la fuente y el consumo, lo que

hace que el funcionamiento del TEC sea muy similar al de un transistor bipolar,
salvo que no hay corriente de puerta (base): recuerde que el TEC es un dispositivo
controlado por tensión.
3 Transistores de efecto de campo de puerta aislada
Más conocidos como TECMOS (transistores de efecto de campo metal-
óxido semiconductor) el TEC de puerta aislada es uno de los dispositivos más
importantes de la industrias electrónica. Hay dos categorías básicas de TECMOS,
conocidas como TECMOS de reducción y TECMOS de intensificación. Ambos se
basan en un principio diferente del de los TECPUs que hemos visto hasta ahora
en este capítulo.
Tecmos de intensificación
En la Figura 8 se muestra la estructura de un TECMOS de intensificación
de canal p - de nuevo, sólo una estructura teórica -. El aspecto más llamativo es la
puerta. Se encuentra aislada del sicilio por una capa fina de dióxido de sicilio. La
capa es muy fina, normalmente con un espesor de sólo 0,1 μm. Aunque muy fina,
esta capa de' dióxido de sicilio tiene una resistencia enormemente elevada: al
menos de 10 GΩ.

El sicilio tipo n tiene dos regiones de fuerte impureza tipo p conectadas a la

fuente y al consumo. Sin aplicar tensión en la puerta, una de las uniones p-n
actuará como un diodo con polarización inversa y bloquea el paso de corriente. Si
se aplica un potencial negativo en el electrodo de la puerta, los huecos de las
regiones tipo p resultan atraídos hacia el área inmediatamente por debajo del
electrodo. Esto efectivamente, si es transitorio, origina una región tipo p estrecha
justo por debajo de la puerta (Figura 9). La unión p-n de bloqueo es derivada o
punteada por este canal inducido de material tipo p, y puede fluir los electrones a
través del dispositivo, entre la fuente y el consumo.

4
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

En la Figura 10 se puede ver el símbolo utilizado para representar el

TECMOS de intensificación canal p en un circuito. La conexión central del símbolo
(con la cabeza de flecha) es una conexión al substrato de sicilio (la pastilla en sí
misma). A menudo se hace la conexión con la fuente internamente, pero en
ocasiones los fabricantes instalan un cuarto polo, de forma que el substrato (la
lámina de sicilio sobre la que se construye el dispositivo) pueda utilizarse como
una segunda "puerta". Las características de conducción del dispositivo dependen
entonces aproximadamente de la diferencia de potencial entre la puerta y el
substrato).

Cuando el símbolo tiene la cabeza de fecha en sentido opuesto a la puerta,

se trata de un dispositivo de canal p. Sin embargo, es posible igualmente construir
un dispositivo de canal n, con todas las polaridades invertidas, utilizando regiones
n difusa en una barra tipo p. En este caso las partículas cargadas son electrones
atraídos desde la intensificación de canal n se muestra en la Figura 11

5
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

Tecmos de reducción
La segunda clase de TECMOS es el TECMOS de reducción. La estructura
se muestra en la Figura 12; es muy similar al TECMOS de intensificación. Note
que hay una región "extra". Se ha hecho difundir una banda estrecha de impureza
tipo p en el espacio que queda por debajo de la puerta, por lo que el TECMOS de
reducción, sin aplicar señal en la puerta, se parece mucho al TECMOS de
intensificación, cuando su puerta se conecta para hacer que conduzca. Compare
las Figuras 12 y 9.

Aplicar una tensión positiva en la puerta hace que los electrones de la

región tipo n sean atraídos hacia el área por debajo del electrodo de la puerta,
neutralizando alguno de los huecos del canal tipo p y reduciendo la intensidad de
corriente que fluye entre la fuente y el consumo. Cuanto más positivo sea el
potencial (para un dispositivo de canal p, por supuesto), más se reduce la
intensidad entre la fuente y el consumo.

El TECMOS de reducción puede utilizarse también en modo de

intensificación.
Aplicar un potencial negativo en la puerta de un dispositivo de canal p
aumentará la intensidad de corriente entre la fuente y el consumo, al añadir
partículas cargadas a los huecos disponibles.
La figura 13 muestra los símbolos utilizados para representar los TECMOS
de reducción de canal p y de canal n.

6
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

4 La importancia de los tecmos

Parece paradójico que, incluso aunque el TECMOS es un dispositivo de
importancia vital, los TECMOS individuales se utilizan muy rara vez. Sólo en los
receptores de comunicaciones de calidad más alta encontramos que se emplean
los TECMOS como aplicación práctica común. La tecnología de TECMOS se
utiliza de forma muy extensa en los circuitos integrados.
Antes de dejar los TECs, enumeremos algunos de los aspectos más
interesantes de los dispositivos.
1. Debido a la necesidad de disponer de un canal muy estrecho, es
difícil construir TECs que conduzcan intensidades altas. La mayoría de TECs
(pero no todos) son, por tanto, dispositivos de baja potencia.
2. El funcionamiento de TECs de muy alta frecuencia está dificultado
por la capacidad interna, derivada de unas regiones muy estrechas. Hay una
capacidad efectiva de unos picofaradios entre la fuente (y el consumo) y la
puerta.
3. Es posible fabricar TECs muy pequeños.
4. Debido a la resistencia de entrada muy elevada y al fino espesor
de la capa aislante de dióxido de sicilio, los TECMOS pueden dañarse muy
fácilmente por latas tensiones aplicadas accidentalmente entre la puerta y otros
terminales. Por esta razón, la mayoría de TECMOS se construyen con un diodo
Zener conectado entre la puerta y el substrato. Normalmente el diodo Zener es
no conductor, pero si la tensión de la puerta es demasiado elevada, conduce y
descarga la puerta. Aún así, los TECMOS son dañados fácilmente por la
electricidad estática. La carga de una persona que calce zapatos con suela de
goma puede ascender, en un día seco, a varios Kilovoltios, suficiente para
destruir el TECMOS, el diodo Zener y todo. ¡Sólo tocar el terminal de la puerta
puede destruir el dispositivo!
Los terminales de un TECMOS normalmente están cortocircuitados entre sí
por cinta metálica o por material alveolar conductor hasta que se instale en un
circuito. Se requiere un cuidado adicional cuando se efectúe el mantenimiento de
cualquier equipo que pueda incluir TECMOS
5 Resumen
 Los transistores unipolares (transistores de efecto de campo, o
TECs) están controlados por tensión (los transistores bipolares están
controlados por corriente).

7
 CURSO DE ELECTRONICO DE MANTENIMIENTO

 En un transistor unipolar una tensión variable en la puerta controla

la intensidad de corriente que puede fluir entre la fuente y la carga.
 Hay dos tipos principales de TEC: de puerta-unión (TECPU) y de
puerta aislada (TECPA, más a menudo conocido como TECMOS).
 Los TECPUs tienen una resistencia de entrada elevada, pero los
TECPAs tienen una resistencia de entrada muy elevada, del orden de
gigaohmios.
 Se dispone de TECs de canal n y de canal p.
 Se fabrican TECs en modo de reducción y en modo de
intensificación.
 Los TECs se deterioran por efecto de las altas tensiones, incluso
por las tensiones electrostáticas. Es fundamental tomar precauciones en el
manejo de estos dispositivos, para asegurarse de que nunca se expongan a la
electricidad estática.