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Vamos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JFET, y para ello, el captulo, est
dividido en varias secciones. Puedes acceder a cada una de las secciones, mediante el men
local que puedes encontrar en la parte derecha de la pgina.
Introduccin
El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo
tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970
debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones.
No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen aparecer, ms bien,
insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las
cpsulas microfnicas, como un pequeo amplificador de la seal dbil que se produce en
stas.
Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes
ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de
transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P.
En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JFET de canal N con
su smbolo correspondiente:
Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N
denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P.
En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente
o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador
(gate).
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Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro
zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de saturacin.
En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta como un
interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensin negativa del graduador o puerta es suficiente
para estrangular totalmente el canal. En las curvas anteriores, se observa que esta tensin V es
de -1.2 V. A esta tensin se la representa por V (apag).
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A esta corriente se la conoce por IDSS y es la mxima que se puede dar en el drenador de un
JFET con la puerta en cortocircuito. Segn las curvas de la figura, I =4mA.
DSS
La regin activa del JFET se encuentra entre las regiones de saturacin y ruptura. Segn las
curvas expuestas, esta regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de V .
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La unin que se establece entre los cristales del graduador y el surtidor se comporta como si
fuese un diodo de silicio polarizado inversamente, por lo que la corriente inversa que fluye por
el graduador es muy pequea, prcticamente despreciable. sta es la razn por la que slo se
tiene en cuenta una corriente, la I .
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Resistencia de entrada.
Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador es prcticamente cero, la
resistencia o impedancia de entrada se hace elevadsima, del orden de miles de kilohmios. Por
esta razn, este transistor se emplea ms en aquellos casos en que se requiera una mayor
impedancia de entrada.
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (I ) en funcin de las
variaciones que experimenta la tensin de graduador-surtidor (V ) para valores de
V constantes.
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De esta forma, conociendo los valores de I y V (apag) (datos que suele proporcionar el
fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el valor de la corriente I para cualquier
valor de la tensin V aplicada a la puerta.
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Aplicaciones
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Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente en dos estados,
corte y saturacin.
Fabricacin
JFET de canal N.
La siguiente figura representa un JFET en el que difusin se realiza por una cara solamente. Se
representa en ella la seccin del plano AA' de la vista superior de la figura b). El sustrato es de
material tipo P en el que se ha formado por crecimiento epitaxial el canal n. Seguidamente, se
difunde una puerta P en el canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja
resistividad permitiendo que la regin de deplexin se extienda ms en el canal tipo N.
JFET de canal P.
Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, aadiendo una conexin
metlica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construccin. Este contacto
conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de
fuente y drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia. Obsrvese
que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P contrariamente a lo que ocurre al
FET de canal N de la anterior figura.
Con lo dicho, resulta evidente que tal resistencia es fuertemente no lineal. La resistencia es
igual a la inversa de la pendiente de la curva tensin-corriente (dV /dI ) y por tanto su valor
depende de V . Si V aumenta hasta provocar la estriccin de la seccin recta del canal y llegar
a la corriente de saturacin, la resistencia llega a adquirir valores sumamente elevados.
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