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El JFET

Vamos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JFET, y para ello, el captulo, est
dividido en varias secciones. Puedes acceder a cada una de las secciones, mediante el men
local que puedes encontrar en la parte derecha de la pgina.
Introduccin

El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo
tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970
debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones.
No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen aparecer, ms bien,
insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las
cpsulas microfnicas, como un pequeo amplificador de la seal dbil que se produce en
stas.
Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes
ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de
transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P.
En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JFET de canal N con
su smbolo correspondiente:

Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N
denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P.
En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente
o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador
(gate).

Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin bipolares, la


corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente que se
aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin
embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un tipo de portadores de
carga: huecos o electrones, segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo
portadores son los electrones.

El transistor de la figura de la derecha conduce siempre del terminal de surtidor al de drenador


(sentido electrnico de la corriente). El canal N posee suficientes electrones libre como para
que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos al terminal de puerta a una
tensin negativa, los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace
que el canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente
considerablemente, lo que provoca una disminucin de la corriente que atraviesa el canal del
surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea suficientemente negativa, la corriente
puede dejar de fluir.
A esta forma de trabajo se la denomina de empobrecimiento, es decir, que la tensin de control
aplicada a la puerta empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace que ste se
estreche al paso de la corriente.
En el JFET de canal P de la siguiente figura, se utiliza material semiconductor P para el canal y
N para la puerta.
Observa, cmo en este caso, la flecha del canal, en el smbolo, apunta hacia afuera. La tensin
aplicada a la puerta se hace ahora positiva, consiguiendo, as, repeler los huecos existentes en
el canal P y controlar de esta forma, la corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de
transistores unipolares, la tensin de polarizacin del diodo formado por la puerta y el canal se
polariza inversamente. De esta forma evita que por esta unin fluya corriente elctrica.
Todo el estudio que vamos a realizar a continuacin del JFET, lo hacemos para el de canal tipo
N.

Curvas caractersticas de drenador de un JFET

En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caractersticas de


surtidor comn de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se
han obtenido dichas curvas.

Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje ( I ) se hace ms


pequea a medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre la puerta y el surtidor ( V ).
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Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro
zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de saturacin.

En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surtidor ( V ) aumenta excesivamente, el


JFET entra en la regin de ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor.
En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V.
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En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta como un
interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensin negativa del graduador o puerta es suficiente
para estrangular totalmente el canal. En las curvas anteriores, se observa que esta tensin V es
de -1.2 V. A esta tensin se la representa por V (apag).
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En la regin de saturacin, el transistor se convierte en un buen conductor (se comporta como


un interruptor cerrado). Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de puerta y fuente,
y V =0. Para este valor (observa las curvas caractersticas), la corriente se mantiene
prcticamente constante (aproxiamdamente I =4 mA) a partir del codo de la curva
(aproximadamente V =3V).
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A esta corriente se la conoce por IDSS y es la mxima que se puede dar en el drenador de un
JFET con la puerta en cortocircuito. Segn las curvas de la figura, I =4mA.
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La regin activa del JFET se encuentra entre las regiones de saturacin y ruptura. Segn las
curvas expuestas, esta regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de V .
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Corriente de fuga de graduador o compuerta.

La unin que se establece entre los cristales del graduador y el surtidor se comporta como si
fuese un diodo de silicio polarizado inversamente, por lo que la corriente inversa que fluye por
el graduador es muy pequea, prcticamente despreciable. sta es la razn por la que slo se
tiene en cuenta una corriente, la I .
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Resistencia de entrada.

Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador es prcticamente cero, la
resistencia o impedancia de entrada se hace elevadsima, del orden de miles de kilohmios. Por
esta razn, este transistor se emplea ms en aquellos casos en que se requiera una mayor
impedancia de entrada.

Curvas de transferencia o transconductancia.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (I ) en funcin de las
variaciones que experimenta la tensin de graduador-surtidor (V ) para valores de
V constantes.
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En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una parbola,


tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se corresponde con las curvas de
drenador del JFET.
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:

De esta forma, conociendo los valores de I y V (apag) (datos que suele proporcionar el
fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el valor de la corriente I para cualquier
valor de la tensin V aplicada a la puerta.
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Aplicaciones

El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores analgicos, multiplexores,


control automtico de ganancia "CAG" en receptores de radio, amplificadores de pequea
seal en receptores de radio y TV, troceadores o choppers, etc.
En la figura de la izquierda, se muestra un ejemplo de interruptor analgico con un JFET.
Si a este circuito se le aplica una tensin V =0, el transistor entrar en saturacin y se
comportar como un interruptor cerrado. Por otro lado, si la tensin aplicada es V =V (apag),
el transistor se pondr en corte y actuar como un interruptor abierto.
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Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente en dos estados,
corte y saturacin.
Fabricacin
JFET de canal N.

La siguiente figura representa un JFET en el que difusin se realiza por una cara solamente. Se
representa en ella la seccin del plano AA' de la vista superior de la figura b). El sustrato es de
material tipo P en el que se ha formado por crecimiento epitaxial el canal n. Seguidamente, se
difunde una puerta P en el canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja
resistividad permitiendo que la regin de deplexin se extienda ms en el canal tipo N.

JFET de canal P.

Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, aadiendo una conexin
metlica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construccin. Este contacto
conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de
fuente y drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia. Obsrvese
que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P contrariamente a lo que ocurre al
FET de canal N de la anterior figura.
Con lo dicho, resulta evidente que tal resistencia es fuertemente no lineal. La resistencia es
igual a la inversa de la pendiente de la curva tensin-corriente (dV /dI ) y por tanto su valor
depende de V . Si V aumenta hasta provocar la estriccin de la seccin recta del canal y llegar
a la corriente de saturacin, la resistencia llega a adquirir valores sumamente elevados.
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