CONSTRUCCIÓN DE UN

TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas, compuesto ya sea de dos
capas de material tipo n y una de tipo p o
dos capas de material tipo p y una de tipo n.
El primero se denomina transistor npn, en
tanto que el último recibe el nombre de
transistor pnp.
Construcción de un Transistor Bipolar
El transistor bipolar está formado por tres capas de
materiales semiconductores, si es un transistor PNP,
tendrá dos regiones tipo P y una región tipo N,
igualmente, si es un transistor NPN, tendrá dos
regiones tipo N y una región tipo P. En las dos capas
exteriores se fijan los terminales de colector y emisor y
en la capa central se fija el terminal de base.
La construcción se puede explicar simplemente con una
analogía de dos diodos para un transistor como se
muestra en la imagen. Donde consideramos los dos
diodos conectados entre sí utilizando el cátodo,
entonces el punto de encuentro se puede extender para
formar el terminal Base y el extremo de los dos ánodos
actúan como Colector y Emisor de un transistor PNP.
Del mismo modo, si se conectan los extremos de los
ánodos del diodo, entonces el punto de encuentro de
los ánodos se puede extender al terminal Base y los
dos extremos del cátodo actúan como Colector y
Emisor del transistor NPN.
¿Cómo se construye un transistor?

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas

del inglés bipolar junction transistor ) se fabrica sobre
un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas
cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante.

¿Qué es un transistor y de qué está

compuesto?
Todo transistor se compone de tres elementos: base,
colector y emisor. Los transistores operan sobre un flujo
de corriente, operando como amplificadores (recibiendo
una señal débil y generando una fuerte) o como
interruptores (recibiendo una señal y cortándole el paso)
de la misma.
 TIPOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR ( BJT )

Un transistor de unión bipolar o BJT es un dispositivo semiconductor de tres terminales que

consta de dos uniones p-n capaces de amplificar o magnificar una señal.
Es un dispositivo controlado por corriente , donde la corriente fluye de Emisor a Colector o de
Colector a Emisor dependiendo del tipo de conexión. Esta corriente principal está controlada
por una corriente muy pequeña en el terminal Base.
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo bidireccional que utiliza tanto electrones
como huecos como portadores de carga. Mientras que el transistor unipolar, es decir, el
transistor de efecto de campo, sólo utiliza un tipo de portador de carga.A diferencia de un
diodo de unión p-n normal, el transistor tiene dos uniones p-n.
Terminales de un Transistor BJT
Emisor
El emisor es la parte de un lado del transistor que emite electrones o huecos
hacia las otras dos partes. La base está siempre en polarización inversa con
respecto al emisor para poder emitir un gran número de portadores
mayoritarios. Es la región más dopada del BJT. La unión emisor-base debe
estar siempre en polarización directa tanto en los transistores PNP como en
los NPN.
Colector
La parte del lado opuesto del emisor que recoge los portadores de carga
emitida (es decir, electrones o huecos) se conoce como colector. El colector
está fuertemente dopado, pero el nivel de dopaje del colector se encuentra
entre el nivel ligeramente dopado de la base y el nivel fuertemente dopado
del emisor.
Base
La base es la parte intermedia entre el colector y el emisor y forma dos
uniones PN entre ellos. La base es la parte menos dopada del transistor
bipolar.El hecho de ser la parte central del BJT le permite controlar el flujo de
portadores de carga entre el emisor y el colector. La unión base-colector
muestra una alta resistencia porque esta unión tiene polarización inversa.
Transistor NPN
Un transistor NPN se compone de dos materiales semiconductores de tipo n
separados por una fina capa de semiconductor de tipo p.
Los dos terminales, Emisor y Colector, se extraen de los dos semiconductores de tipo
n y el terminal Base es del semiconductor de tipo p.
En el símbolo BJT, la flecha del terminal emisor indica la dirección de la corriente
convencional en el emisor con polarización directa.
Para el transistor npn, la corriente convencional fluye fuera del emisor como indica la
flecha de salida.
Transistor PNP
Un transistor PNP está compuesto por dos semiconductores de tipo p separados por
una fina capa de material de tipo n.

Los dos terminales, Emisor y Colector, se extraen de las dos capas semiconductoras
de tipo p y el terminal Base es del semiconductor de tipo n.

En el transistor pnp, la corriente convencional fluye hacia el emisor como indica la

flecha hacia dentro.
Funcionamiento del Transistor BJT
El funcionamiento del transistor BJT comienza desde el pin Base. Cuando se aplica una tensión al pin
Base en el transistor NPN, se pone en ON el transistor y como resultado, la corriente comienza a fluir
desde el terminal Colector al Emisor.
Esta corriente se conoce como corriente colector y se denomina por Ic. Como se trata de un transistor
NPN, aquí la unión Colector-Base tiene polarización inversa y la unión Base-Emisor tiene polarización
directa.
La anchura de la región de agotamiento en la unión Colector-Base es mayor, en comparación con la
anchura de la región de agotamiento de la unión Base-Emisor.
El potencial de barrera disminuye en la unión B-E que está en polarización directa, y como resultado, los
electrones se moverán del Emisor a la región Base. La región Base está ligeramente dopada y es muy fina,
por lo que se esfuerza por mantener el número de electrones durante el máximo tiempo posible.
Estos electrones se combinarán con los huecos presentes en la región de la Base y comenzarán
a fluir fuera de la región Base en forma de corriente base.
Un gran número de electrones sobrantes en la región de la base que no se combinan con los
huecos, comienzan a entrar en el lado del colector, en forma de corriente colector.
Según la ley de corriente de Kirchoff, la corriente emisor es la combinación de la corriente
colector y la corriente base.
I E = IB + IC

Este es el funcionamiento de los transistores NPN. Los transistores PNP funcionan de la misma
manera, pero aquí la dirección de la corriente y las polaridades de la tensión se invierten.
 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ( FET )

Es un dispositivo activo de 3 terminales que usa un campo eléctrico

para controlar el flujo de corriente y tiene una alta impedancia de
entrada que es útil en muchos circuitos y equipos. El transistor de
efecto de campo o FET, es un componente electrónico clave que se
utiliza en muchas áreas de la industria electrónica como los HEMT,
MESFET, Transistor de Puerta Flotante y otros tipos de transistores.
El uso principal del transistor de efecto de campo(FET) se encuentra
dentro de los circuitos integrados. En esta aplicación, los circuitos
FET consumen niveles mucho más bajos de energía que los
circuitos integrados que utilizan tecnología de transistores bipolares.
Esto permite que funcionen los circuitos integrados de gran escala.
Si se usara tecnología bipolar, el consumo de energía sería órdenes
de magnitud mayor y la energía generada sería demasiado grande
para disiparse del circuito integrado. Además de utilizarse en
circuitos integrados, las versiones discretas de transistores de efecto
de campo están disponibles como componentes electrónicos con
plomo y también como dispositivos de montaje en superficie.
TRANSISTOR JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son la compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Un
transistor JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las terminales de fuente y drenaje. El
material restante está conectado entre si para directamente a la compuerta. Cabe señalar que en la unión
tenemos una región de empobrecimiento. La polarización del JFET está en función a la diferencia de
potencial entre los materiales semiconductores. Esto aumenta la región de agotamiento y regula la cantidad
de corriente que circula en el canal drenaje-fuente. Una vez que el voltaje genere una región de agotamiento
suficientemente grande, se tiene la condición de estrangulamiento.
TRANSISTOR MOSFET
En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de
manera interna a la terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un
material tipo n a través de un contacto metálico, sin embargo en este caso no
tenemos un canal que conecte estas terminales. La compuerta, sigue conectada a
una placa metálica, separada al material del sustrato por un óxido de silicio, con
propiedades dieléctricas. A continuación, se observan los transistores MOSFET de
enriquecimiento canal N y canal P.
Simbología del transistor JFET y MOSFET
 OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

La operación del transistor se basa en el control de la corriente que fluye entre el colector y el emisor,
a través de la corriente que se aplica a la base. Cuando se aplica una corriente a la base, se crea un
campo eléctrico que permite que los electrones fluyen desde el emisor al colector, lo que aumenta la
corriente en el circuito.

Existen dos tipos principales de transistores: los transistores bipolares y los transistores de efecto
de campo (FET). En los transistores bipolares, la corriente fluye a través de una unión PN entre el
emisor y el colector. En los transistores FET, la corriente fluye a través de un canal entre el
drenador y la fuente.
ANALISIS DE OPERACION DEL TRANSISTOR

Haciendo el mismo análisis que con el diodo

polarizado en directa e inversa se determina
que la unión p-n de un transistor se polariza en
inversa en tanto que la otra se polariza en
inversa. Por tanto se determina el flujo de
portadores mayoritarios y minoritarios del
transistor.

El mayor número de estos portadores

mayoritarios se difundirá al material tipo n
conectado al colector.
ACCIÓN
AMPLIFICADORA DEL
TRANSISTOR
 ¿Qué es un Amplificador?
Un componente o módulo que incrementa la amplitud de
una señal eléctrica a partir de la energía entregada por una
fuente de alimentación.
Existen amplificadores de voltaje, amplificadores de
corriente y amplificadores de ambos (los llamados
Amplificador de potencia). La relación entre el voltaje de
salida y la de entrada se denomina función de transferencia
y el número de veces que es incrementada la salida
respecto a la entrada se denomina se conoce como
magnitud.
 ACCIÓN AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR
BIPOLAR

El transistor bipolar es un amplificador de corriente,

esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por una de su base, el entregará por otra
(emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que
se llama amplificación.
Este factor se llama ß (beta) y es un dato propio de cada
transistor.
 Datos a considerar.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por el colector) es igual a ß (factor de
amplificación) por Ib (corriente que pasa por la base).
- Ic = ß * Ib
- Ie (corriente que pasa por el emisor) es del mismo valor que Ic, sólo
que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de
él, o viceversa
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
CON TRANSISTORES
AMPLIFICADORES DE POTENCIA CON
TRANSISTOR
Un amplificador de potencia
(amplifica voltaje e intensidad) es un
amplificador electrónico diseñado
para aumentar la magnitud de
potencia de una señal de entrada
dada.
TIPOS DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA
DE UN TRANSISTOR

EXISTEN VARIOS TIPOS DE

AMPLIFICADORES:
EXISTEN 3 PRINCIPALES O
BÁSICOS
 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE A

Los amplificadores en configuración

Emisor Común son el tipo de
amplificador más comúnmente
usado, ya que pueden tener una
ganancia de voltaje muy grande.
Estos amplificadores están
diseñados para producir una gran
oscilación de voltaje de salida desde
un voltaje de señal de entrada
relativamente pequeño de solo unos
pocos milivoltios y se usan
principalmente como "amplificadores
de pequeña señal"
 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B

Los amplificadores de Clase B usan dos o más

transistores polarizados de tal forma que cada
transistor solo conduce durante un medio ciclo
(realmente, "casi" medio ciclo) de la onda de
entrada. Tienen un rendimiento muy superior a los
de Clase A y su diseño no es muy complicado, pero
sus aplicaciones se limitan enormemente debido a
una característica su propio diseño: una distorsión
llamada de "cruce por cero". Aún así, se utilizan
incluso en amplificadores que no requieran buena
fidelidad y sí facilidad de diseño y rendimiento,
como los amplificadores de bocinas y megáfonos
de mano.
 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB

Un amplificador de potencia en que los

transistores de salida reciben sólo una pequeña
corriente de polarización constante, para que el
transistor opere, a bajos niveles de potencia de
salida, tanto en el semiciclo positivo como en el
negativo. Por tanto, a bajo nivel de salida, un
amplificador clase AB opera como un clase A.
Mientras que, a altos niveles de salida, la señal
sobrepasa el punto cero de cruce y se
comienza a comportar como un clase B
Su nivel de eficiencia es inferior al 50%, menor
cuanto mayor nivel tenga la corriente de
polarización.
GRACIAS POR SU ATENCION