UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO 

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

Y ELECTRÓNICA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

DOCENTES: APESTEGUIA INFANTES JUAN ANTONIO

TEMA:LABORATORIO 1

CURSO: DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS

GRUPO:91G

INTEGRANTES:

● Chalco Arpita Víctor Alexander

● Díaz Tocas Jean Carlos
● Chate Julca Jair
● Gonza Alcoser Gerardo Manuel Antonio
● Duran Azaña Rodrigo
● Carrera Martínez guillermo Raúl
1) INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar

Todos los circuitos electrónicos están constituidos con transistores aunque no

los veamos, ya que los chips electrónicos tienen en su interior miles y hasta
millones de transistores integrados en la minúscula superficie que constituye
el chip integrado.
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos
y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

símbolos de transistores bipolares tipo NPN y tipo PNP

A todo esto diremos que hay dos tipos de transistores bipolares estándar: los
de tipo NPN y los de tipo PNP, con sus diferentes símbolos de circuito. Las
letras (N-P) se refieren a las capas de material semiconductor que se utiliza
para crear el transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy
en día son NPN, porque este es el tipo más fácil de hacer a partir del silicio.
Por cierto, los primeros transistores utilizaban el Germanio en lugar del Silicio,
este es más abundante en la naturaleza y lo hace más económico.

Constitución interior de las uniones PN en el interior de los transistores bipolares

Tema: Regiones de operación del transistor de juntura bipolar (BJT)

El transistor de juntura bipolar es un dispositivo activo. Inicialmente funcionó
como un elemento discreto pero más adelante con el avance tecnológico
pasó a tener aplicaciones como componente de los dispositivos de circuitos
integrados.
Para hacer trabajar un transistor se necesita de alimentación externa que se
conoce como polarización. Dependiendo de dónde se esté aplicando la
alimentación al transistor así la polarización recibe un nombre específico.
Igualmente dependiendo de la zona en que esté operando el transistor en un
momento dado, así serán los valores de corriente de base, emisor y colector.
Modos o regiones de trabajo del transistor
Están identificadas cuatro condiciones típicas de polarización del transistor.
Dependiendo del sentido o del signo de voltaje en las junturas, el transistor
estará operando en alguna. A continuación un gráfico que ilustra lo que se ha
explicado hasta aquí.

Dependiendo de la condición de polarización, directa o inversa, el transistor

estará en una región de trabajo u otra. En el modo activo el transistor estará
trabajando como un amplificador y en los modos de corte y saturación el
transistor estará en uso como un interruptor.

En seguida tenemos las curvas de un transistor mostrándose las curvas

características de salida de emisor común, mostrando también las regiones
de trabajo
La región activa directa.
Esta región es la que corresponde a una polarización directa de la juntura
emisor-base. Es la región de operación normal del transistor para
amplificación.
En esta región la corriente de colector es proporcional a la corriente de base.
Se cumple que IC = β IB β es conocido como la ganancia del transistor

Región activa inversa.

Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una
polarización directa de la unión colector-base. Esta región es de uso muy
poco frecuente.

Región de corte
Aquí se trata de polarización inversa de ambas junturas. La operación en esta
región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo de apagado.
El transistor actúa como un interruptor abierto (IC=0)
En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, las uniones BE y
BC. De esta forma no hay portadores de carga móviles, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios si
pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a
corrientes muy bajas. Entonces, un transistor en corte equivale prácticamente
a un circuito abierto.
Región de saturación
Implica polarización directa de ambas uniones. La operación en esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido. El
transistor actúa como un interruptor cerrado. (VCE=0)

INTRODUCCIÓN A LOS TRANSISTORES

EL TRANSISTOR BIPOLAR: Los transistores bipolares se construyen con
una fina capa de material semiconductor de tipo P entre dos capas de
material tipo N. A esta estructura se le denomina N-P-N. Si bien existen
diferentes geometrías posibles para la implementación de transistores
bipolares, el estudio de los mismos puede hacerse mediante una estructura
simplificada, como la que puede verse . A cada una de las regiones
semiconductoras utilizadas se les conecta un conductor para que sea posible
su conexión a otros componentes de circuito como componentes activos,
resistores, capacitores, inductores, etc. Se denominan a cada uno de los
conductores (también denominados terminales) y a las regiones
semiconductoras a las que están conectados como colector, base y emisor.

. Estructura física simplificada del transistor bipolar En este punto es

conveniente remarcar que esta estructura no se obtiene de materiales
independientes que son unidos mediante algún procedimiento. Por el
contrario, la estructura observada es el resultado de un proceso metalúrgico
en el que se cambia el dopado del silicio empleado como base para la
construcción del dispositivo. El procedimiento seguido para la construcción es
complejo, ya que son necesarios una serie de pasos físicos y químicos de
gran precisión. El estudio de estos procesos se encuentra más allá de lo que
se pretende en el presente curso.

Debido a que la utilización de la estructura en circuitos complejos resulta

sumamente engorrosa, se hace necesaria la adopción de un símbolo de
circuito (tal como los usados en resistencias, bobinas o condensadores), que
permita el trazado de circuitos de manera sencilla. Por este motivo se adopta
el símbolo de circuito para el transistor bipolar que se muestra en la. En esta
figura pueden verse también las corrientes y tensiones que se definen para el
transistor:

Ic: corriente de colector

Ib: corriente de base

Ie: corriente de emisor

Vbe: diferencia de potencial (tensión) existente entre la base y el emisor

Vce: diferencia de potencial (tensión) existente entre el colector y el emisor.

La operación del transistor NPN puede explicarse considerando al mismo

como dos junturas PN yuxtapuestas. Consideremos la base-emisor,
suponiendo por ahora que el colector se encuentra a circuito abierto.
Supongamos también que existe una fuente de polarización continua (una
batería) que polariza en forma directa la juntura semiconductora, tal como se
observa en la . Bajo estas condiciones, el comportamiento de la juntura BE es
similar a la de un diodo. Consecuentemente, circularán las corrientes de
electrones y huecos que se muestran en la figura. Debido a que el dopado del
emisor es mucho mayor que el de la base, la corriente de electrones es
mucho mayor que la de huecos. La coexistencia de estas dos corrientes hace
que se encuentren presentes en la región de base pares electrón-huecos, los
cuales tienden a recombinarse. Los portadores remanentes darán una
corriente neta desde la base al emisor.

Comportamiento de la junta BE con el colector abierto. Consideremos ahora

que se agrega otra fuente que polariza la juntura colector-base en forma
inversa, tal como puede observarse . Esta juntura también se comporta como
un diodo, pero inversamente polarizado.
Efecto de la polarización de la juntura colector-base Bajo estas condiciones,
un fenómeno interesante tiene lugar: los electrones emitidos por el emisor,
bajo el efecto de la polarización directa de la juntura base-emisor, alcanzan la
estrecha región de base. En esta región (debido a las dimensiones del
dispositivo) existe una baja probabilidad de recombinación, razón por la cual
la mayoría de los electrones emitidos alcanzan las cercanías de la juntura
colector-base. El fuerte campo eléctrico presente en esta región hace que los
portadores sean barridos hacia el colector y colectados en el terminal
correspondiente. Tal como veremos más adelante, la corriente circulante
entre el colector y el emisor es mucho más grande que la corriente circulante
entre la base y el emisor.

ECUACIONES DEL DISPOSITIVO

Debido a que la juntura base emisor se comporta como un diodo polarizado
en sentido directo, es posible utilizar la ecuación del diodo para modelar su
comportamiento:

Se define el parámetro α como la relación entre la corriente de colector y la de

emisor

Este parámetro es prácticamente igual a la unidad debido a la forma en la que

se fabrican los transistores. Los valores típicos para este parámetro están en
el rango de 0,99 a 0,999. Utilizando la primera expresión se puede obtener:
Definiendo la corriente de escala como:

y considerando que trabajamos con tensiones Vbe muy superiores a Vt (lo

cual permite despreciar el 1 del corchete), se obtiene:

Considerando las ecuaciones 2 y 3 se obtiene:

Reemplazando ie por su expresión:

Reescribiendo la expresión de ie:

Relacionando las últimas dos expresiones se obtiene:

Dados los valores de α usuales, se deduce que β>>>1 o en otros términos,

que la corriente de colector es mucho más grande que la de la base.
Adicionalmente, note que ambas corrientes están relacionadas por una
constante. Esta es la relación básica sobre la que se apoya el fenómeno de
amplificación en transistores bipolares: la corriente en el colector es β veces
más grande que la corriente de base. Por lo tanto, una corriente pequeña en
la base puede controlar una corriente grande entre el colector y el emisor.

EVIDENCIA DE SIMULACIÓN
2) OBJETIVOS:

● Comprender y entender la distribución de los movimientos de

carga en los transistores y sus terminales.

● Conocer las estructuras, funcionamiento y características de los

diferentes tipos de transistor.

● Alcanzar un mayor grado de destreza en el uso del proteus o

multisim en circuitos para simulación y diseño electrónico.

● Identificar y ajustar el colector de voltaje (at) para hallar los valores

de Vce y escribir en la tabla.

● Comprobar la funcionalidad de una lista determinada de circuitos

integrados existentes en el laboratorio.

● Obtener las curvas características de un transistor bipolar, usando

el osciloscopio como un trazador de curvas.

● Explicar el origen de la polarización directa en la unión

base-emisor y comparar los resultados obtenidos experimentales
en la tabla.

● Observar los circuitos de polarización de transistores

complementarios (PNP frente a NPN, canal P frente a canal N) se
obtienen invirtiendo la conexión de la fuente de tensión( si existen
varias, de todas ellas).

● Implementar una gráfica con diferentes regiones de trabajo para

analizar el comportamiento del transistor en el corte y su
saturación.
3) DESARROLLO

¿Qué es un transistor?
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de transferencia”) a
un tipo de dispositivo electrónico semiconductor, capaz de modificar una
señal eléctrica de salida como respuesta a una de entrada, sirviendo como
amplificador, conmutador, oscilador o rectificador de la misma.

Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,

lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).

Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de la

corriente eléctrica en diversas aplicaciones, como parte de la evolución del
campo de la electrónica. Su antecesor directo fue un aparato inventado por
Julius Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925, pero no sería hasta mediados de
siglo cuando podría implementarse usando materiales semiconductores (en
lugar de tubos al vacío).

Los primeros logros en este sentido consistieron en la ampliación de la

potencia de una señal eléctrica a partir de conducirla a través de dos puntales
de oro aplicados a un cristal de germanio.

El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero estadounidense John

R. Pierce, a partir de los primeros modelos diseñados por los Laboratorios
Bell. El primer transistor de contacto apareció en Alemania en 1948, mientras
que el primero de alta frecuencia fue inventado en 1953 en los Estados
Unidos.
Estos fueron los primeros pasos hacia la explosión electrónica de la segunda
mitad del siglo XX, que permitieron, entre muchas otras cosas, el desarrollo
de las computadoras.

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como

germanio (Ge), silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y
germanio o silicio y aluminio. Dependiendo del material usado, el dispositivo
podrá resistir una cantidad determinada de tensión eléctrica y una
temperatura máxima de calentamiento por resistencia.

¿Cómo funciona un transistor?

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como

amplificadores (recibiendo una señal débil y generando una fuerte) o como
interruptores (recibiendo una señal y cortándole el paso) de la misma. Esto
ocurre dependiendo de cuál de las tres posiciones ocupe un transistor en un
determinado momento, y que son:

En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos

corriente).
En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.
En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente
máxima).
En este sentido, el transistor funciona como una llave de paso de una tubería:
si está totalmente abierto deja entrar todo el caudal del agua, si está cerrado
no deja pasar nada, y en sus posiciones intermedias deja pasar más o menos
agua.

Ahora bien: todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y

emisor. La primera es la que media entre el emisor (por donde entra el caudal
de corriente) y el colector (por donde sale el caudal de corriente). Y lo hace, a
su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta de la modulada por
el transistor.

De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en

posición de corte; si recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en
determinada cantidad; y si la base recibe la suficiente corriente, entonces se
abrirá del todo el dique y pasará el total de la corriente modulada.

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la

cantidad de electricidad que pasa en determinado momento, permitiendo así
la construcción de relaciones lógicas de interconexión.

Tipos de transistores

Existen diversos tipos de transistores:

Transistor de contacto puntual.

También llamado “de punta de contacto”, es el tipo más antiguo de transistor y
opera sobre una base de germanio. Fue un invento revolucionario, a pesar de
que era difícil de fabricar, frágil y ruidoso. Hoy en día no se le emplea más.

Transistor de unión bipolar.

Fabricado sobre un cristal de material semiconductor, que se contamina de
manera selectiva y controlada con átomos de arsénico o fósforo (donantes de
electrones), para generar así las regiones de base, emisor y colector.

Transistor de efecto de campo.

Se emplea en este caso una barra de silicio o algún otro semiconductor
semejante, en cuyos terminales se establecen terminales óhmicos, operando
así por tensión positiva.
Fototransistores
Se llaman así a los transistores sensibles a la luz, en espectros cercanos a la
visible. De modo que se pueden operar por medio de ondas
electromagnéticas a distancia.

Circuitos integrados

Los circuitos integrados son mejor conocidos como chips o microchips, y son
estructuras pequeñas de silicio u otros semiconductores, en un encapsulado
plástico de cerámica, que solemos hallar en los paneles electrónicos de
artefactos diversos (computadores, calculadoras, televisores, etc.).

Estos circuitos se componen de numerosos transistores y resistores

diminutos colocados en una lámina, para realizar de modo eficiente labores
de manipulación de una señal eléctrica, como la amplificación.

Zona de Trabajo de los Transistores

Se denomina punto de trabajo o punto Q del transistor, a aquel par de valores

IC, VCE de la recta de carga, que el transistor tiene en unas condiciones de
trabajo determinadas por el circuito en el que se encuentra.
Para determinar el punto Q, de manera gráfica, dibujamos la recta de carga
en la gráfica IC, VCE de las curvas de salida que da el fabricante, y en el
punto de intersección de esta recta con la curva característica cuya IB
coincida con la IBQ calculada anteriormente, será el punto de trabajo.

La recta de carga se dibuja igualmente mediante dos puntos, que son los de
corte con los ejes, es decir cuando IC=0 y cuando VCE=0.
Según la posición del punto Q en la recta de carga, se establecen las tres
zonas de funcionamiento del transistor, con unas características
diferenciadas.
Estas zonas o regiones de acuerdo a lo anterior son:
Zona Activa
Es una amplia región de trabajo comprendida entre corte y saturación, con
unos valores intermedios tanto de IC como de VCE.
El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar en la electrónica de
las comunicaciones.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos términos tienen un valor
intermedio

-Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prácticamente nula y un voltaje VCE
elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir tendrá un valor muy
pequeño, y por lo tanto la c.d.t. en RC será mínima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre
colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturación es
mínima, ya que uno de los coeficientes en ambos casos es prácticamente
nulo.
Zona de saturación:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un
voltaje VCE muy pequeño no menor a un valor denominado de saturación
VCE sat.
Los valores típicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor está saturado, se puede comparar a un interruptor
cerrado entre colector y emisor.

Cuestionario

1) Razonar por qué no se puede construir un transistor a partir de 2

diodos :
Los transistores pueden considerarse como dos diodos (uniones P-N)
que comparten una región común a través de la cual pueden moverse
los operadores minoritarios. Un PNP BJT funcionará como dos diodos
que comparten una región de cátodo de tipo N, y el NPN como dos
diodos que comparten una región de ánodo de tipo P. Conectar dos
diodos con cables no formará un transistor, ya que los portadores
 minoritarios no podrán pasar de una unión P-N a la otra a través del
cable.
Básicamente, el semiconductor necesita estar conectado directamente.

2) ¿Qué efecto provoca la polarización directa de la unión base

emisor sobre el funcionamiento del transistor ?
Aparece un campo eléctrico que tiende a arrastrar a los huecos del
emisor hacia la base y a los electrones de la base hacia el emisor. Lo
que origina una corriente neta en el sentido de la zona p hacia la zona
n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el emisor es mucho más
ancho que la base y además su nivel de dopado es muy superior, la
cantidad de huecos en el emisor será muy superior a la de los
electrones en la base, con lo que el término de corriente predominante
será el debido a los huecos. Es decir, la corriente tendrá dos términos,
uno debido a los electrones y otro debido a los huecos, siendo
predominante el segundo sobre el primero.

3) Indicar que significa Vceo y Vebo.

Vceo: Se define tensión de ruptura llamada BVCEO o VCEO, que

corresponde a la tensión de ruptura de la misma unión pero ahora con
la base en abierto.

Vebo:La clasificación Vebo de un transistor es el voltaje máximo

permitido que la unión emisor-base de un transistor puede manejar
antes de que se dañe o destruya.La tensión máxima permitida que
puede soportar una unión de un transistor se denomina tensión nominal
de ruptura.

4) Razonar el hecho de que, con el circuito de base abierto, circule

alguna corriente por el conector .
¿Qué nombre recibe?
Polarización : Consiste en fijar el punto de trabajo Q en ausencia de señal de
entrada, el cual puede estar en la zona activa, saturación o corte.
Con el sistema de polarización elegido, también se pretende que dicho punto
de funcionamiento Q sea estable con la temperatura, es decir, que no varíen
los parámetros fundamentales de la polarización. Pues debido al aumento de
temperatura aumenta la intensidad inversa de fuga de las uniones de base, y
con ella, la IC y la IE; lo que produce, a su vez, más aumento de temperatura.
Y así se crea un círculo vicioso que puede llevar al transistor fuera del punto
de funcionamiento establecido, produciendo una señal amplificada deforme a
la salida.
El desplazamiento del punto de trabajo Q ha de controlarse si queremos que
funcione el transistor a pesar de variaciones de temperatura. Para asegurar
una mínima variación del punto de trabajo lo que se hace es introducir una
realimentación negativa desde la salida a la entrada, es decir, se utiliza parte
de la señal de salida, normalmente en el colector, para introducirla en la
entrada, normalmente la base, de modo que "frene" la tendencia a amplificar,
la ganancia, del transistor.
Con ello evitamos que el transistor se "abalance" con la subida de
temperatura, pero lamentablemente, por el propio concepto de realimentación
negativa (recordamos que la intensidad de colector está desfasada 180º
respecto de la intensidad de base), se reducirá el nivel de amplificación con el
que el transistor va a operar, es decir: el circuito limitará la ganancia del
transistor a un valor que permita mejorar la estabilidad del propio circuito.
Cuanta más realimentación negativa, menos amplificará el circuito, pero
mayor será la estabilidad; también mejora el Ancho de Banda, pero eso es
otro asunto.

5) Justificar,a la vista de las curvas. que β no es constante.

De la fórmula IC= β. Ib

Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic = 0).

Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el
colector y el emisor (VCE) es el voltaje de alimentación.
Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero, el transistor conduce (Ic
es diferente de cero). Igualmente se puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib.
El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es un voltaje que está entre el
mínimo (aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el voltaje de
alimentación). El valor del voltaje depende del valor Ib.

CONCLUSIONES
Podemos concluir lo siguiente: El funcionamiento de un transistor BJT. Ya sea
NPN o PNP, depende de la polarización que se le aplica en sus terminales, ya
sea una mala polarización podría funcionar mal todo el circuito en el que se le
aplique o también podría tener los resultados satisfactorios.
Durante el trabajo informativo pudimos comprobar la teoría que fue asimilada.
Por ejemplo, que la corriente del colector después de cierto voltaje se
aproxima a la corriente del emisor.

También se pudo comprobar que si se aplica un voltaje entre el emisor y la

base se puede obtener una ganancia de voltaje en el colector y la base.