Transistores JEF

También denominado Transistor de Efecto de Campo. Estos transistores tienen

como principal característica que prácticamente no requieren de corriente de
entrada en su terminal de control. Y funciona permitiendo o no el paso de corriente
entre sus terminales de fuente o drenador mediante la aplicación de voltaje en su
terminal puerta. Ya que estos transistores no necesitan corrientes de polarización
se reducen considerablemente la cantidad de componentes externos en
comparación con los transistores bipolares y tienen como ventaja conseguir
mayores velocidades de conmutación que los transistores bipolares y son usados
más que todos en electrónica digital.
Configuraciones básicas de los transistores JFET

Los transistores JFET pueden utilizarse en 3 configuraciones básicas

fundamentales tanto como en surtidor común como drenador común, y posee el
mismo comportamiento que las 3 respectivas configuraciones del transistor bipolar
y sirven para transistores de efecto de campo con graduador aislado o IGFET.
En la siguiente figura se pueden apreciar las 3 configuraciones básicas con sus
características resaltantes. En este ejemplo se usaron transistores del tipo N.
Transistor MOSFET

Este tipo de transistores presenta una diferencia de tensión entre el electrodo de la

puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de drenador y
durtidor, gracias al efecto de campo. De igual presenta un incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida como la
zona de inversión.

A continuación tabla de las configuraciones básicas de MOSFET

Transistor cmos y configuraciones básicas.

Los transistores CMOS se utilizan principalmente para aplicaciones de lógica

digital de alta velocidad y operaciones de conmutación de alta velocidad
necesarias en los circuitos lógicos. Por ejemplo la CPU de computadora, chips de
memoria y otros circuitos integrados que dependen de la lógica digital para realizar
sus tareas asignadas. En un transistor CMOS convencional hay tres electrodos
(drenaje, fuente y puerta). Entonces en el transistor flash (en el caso más simple)
se agrega otra puerta, llamada flotante.

Al principio, será apropiado considerar nuevamente el principio mismo de la unión

pn en los semiconductores. Una unión de hueco de electrones es una región del
espacio en la unión de dos semiconductores de tipo p y n; en la que se produce
una transición de un tipo de conductividad a otro. La unión pn es la base de diodos
semiconductores, tríodos y otros elementos electrónicos con una característica
corriente-voltaje no lineal.

En un semiconductor tipo p, la concentración de huecos es mucho mayor que la

concentración de electrones. En un semiconductor de tipo n, la concentración de
electrones es mucho mayor que la concentración de huecos. Si se establece un
contacto entre dos de estos semiconductores, entonces surgirá una corriente de
difusión; los portadores de carga, que se mueven caóticamente, fluyen desde el
área donde hay más de ellos al área donde hay menos. Con esta difusión, los
electrones y los huecos se cargan con ellos. Como consecuencia, la región del
límite se cargará y la región del semiconductor de tipo p; que está adyacente a la
interfaz, recibirá una carga negativa adicional aportada por los electrones; y la
región del límite del semiconductor de tipo n recibirá una carga positiva introducida
por los agujeros. Así, la interfaz estará rodeada por dos áreas de carga espacial
de signo opuesto.
Configuración de seguidor de corriente JFET

Amplificador FET- Configuracion de seguidor de corriente

En esta figura, mostramos el símbolo de una n- canal JFET, pero la configuración

se aplica a otros dispositivos JFET en función del signo de las fuentes. La salida
(carga) está conectada al punto B o C, y la entrada está conectada a A o C.

En la Figura 32 (a), proporcionamos una ac Ruta desde el terminal fuente JFET

hasta el suelo. La salida está entre el drenaje y el suelo, y la entrada está entre la
compuerta y el suelo. Dado que el terminal de origen JFET es común tanto para la
entrada como para la salida, esto se denomina fuente común (CS) amplificador.
Veremos en la Sección 9.1 que esta configuración produce una alta resistencia de
entrada y una alta ganancia de voltaje, pero a expensas de una alta resistencia de
salida.

Si la capacitancia entre el terminal de la fuente JFET y la tierra se elimina en la

Figura 32 (a), tenemos la amplificador de fuente común con resistencia de fuente
(o amplificador de fuente-resistencia). Esto es análogo al amplificador CE con
resistencia de emisor (el amplificador emisor-resistencia).
 Conclusiones

En conclusión e presente trabajo de investigación realizado cumplió con los

objetivos propuestos de poder adquirir los conocimientos fundamentales sobre
este tema en el campo de la electrónica, los transistores tienen una gran
importancia, ya que un transistor puede modificar una señal eléctrica de salida en
respuesta a una de entrada, funcionando de esta forma como conmutador,
amplificador, rectificador u oscilador.