TRANSISTOR FET

INTRODUCCIÓN Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Combinación de portadores. Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistorFET canal n

Modelo de transistorFET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

equipos para comunicaciones Instrumentos de medición. A diferencia del transistor BJT. y ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). generadores de señales . Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales.Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): y ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. equipos de prueba Amplificadores de cc. receptores salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño Sintonizadores de FM. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. equipo de medida. La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FETde CANAL N. computadores. lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). controlas de tono Audífonos para sordera. órganos electrónicos. y distintos valores de VGS. memorias Facilidad para controlar ganancia Receptores. APLICACIONES APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y de Uso general. receptores Integración en gran escala.

el JFET es un dispositivo de tres terminales. Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas. Que como en el gráfico. y es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. dicha pendiente es cero (en la realidad. . mucho menor. en los circuitos de radio. partiendo de una oblea de germanio. con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds. IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor. El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N. con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. y es la inversa de la pendiente de la curva. gracias a los trabajos de William Shockley. John Bardeen. Ecuación de Shockley: ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde: y y Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET. En el año 1954. etc. Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas.A. suponemos que la corriente de puerta es nula.Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación. Vgs) En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico. lo cual bajó los costos y permitió. silicio. Como la unión está polarizada inversamente. siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios"). entonces la rd es infinita (muy grande). su comercialización a gran escala. al aumentar VDS. 4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA. la firma Texas Instruments de Estados Unidos. gracias a nuevas técnicas de fabricación. El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia. cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la puerta Vgs. y Walter Brattain. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. por lo cual recibieron el premio Nobel. son horizontales. ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. fabricó el primer transistor de silicio. Como se indicó con anterioridad. creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio. pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET. audio. que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control. como he dicho antes existe algo de pendiente). para que la única variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta.) en 1947.

como se ilustra en la figura anterior. Transistor de unión de efecto de campo (JFET). el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). debido a que la terminología se define para el flujo de electrones. que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados. La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas. semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET. La "compuerta". . mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p.Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante. VGS = 0 V. Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. por medio de una señal aplicada (potencial). El resultado es una región de agotamiento en cada unión. Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n. como se ilustra en la figura siguiente. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente. a las dos capas del material tipo p. esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta. el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Por tanto. con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D).

que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada. Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. Encapsulado e identificación de sus terminales. crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio. base de todos los aparatos electrónicos modernos. permite amplificar señales muy débiles. Conectados de manera apropiada. . mayor será la anchura de la región de agotamiento. como se ilustra en la misma figura. como se indica en la misma figura. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET.5 V. la explicación de la operación del diodo. La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Recuérdese. Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente.5 V. de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes. el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje. El resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica. la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. encender o apagar sistemas de elevada potencia. JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal. con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0. convertir energía. etc. permitió crear los circuitos integrados o chips. Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de canal n.

los MOS o de óxido metálico (variante de los FET). alta frecuencia. los tipo unijuntura. . en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines. aplicaciones de conmutación. alta tensión. existen los transistores tipo NPN ó PNP. Existe una innumerable cantidad de diseños. existen una gran variedad de transistores. alta ganancia de corriente. etc. y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones).Según sea el orden de los materiales que forman las junturas. ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. los cuales. de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico). especializados para alta potencia. bajo ruido eléctrico. etc. En la actualidad.

Tiene una versión NPN y otra PNP. Además. es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain): . Es un dispositivo controlado por tensión. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Por ello. Además su proceso de fabricación es también más simple. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. mucho menor que en los JFET. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Comparados con los BJT. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Cada uno entrega una parte a la corriente total. CARACTERÍSTICAS MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. es decir. los transistores MOS ocupan menos espacio. así. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. lo que se denomina distorsión por fase.AMPLIFICADOR MOSFET INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. El óxido es aislante. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando.

El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET¶s de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg). Cada valor de capacitancia es una función no lineal del voltaje. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.PRINCIPIO DE OPERACION Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación. la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. El movimiento de estos electrones. pero en Cgd. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. Para lograrlo. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta. los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal. En el caso del MOSFET de canal P. cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. no hay corriente por la compuerta. Encendido En la mayoría de los circuitos con MOSFET. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFET¶s y los JFET¶s y ellas son: En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. cuando uDG haya pasado a través de cero. el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. El valor para Cgs tiene solamente una variación pequeña. se da una situación similar. es muy significativa. creando un puente entre drenaje y fuente. .

pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Voltaje máximo drenaje-fuente 3. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en la selección. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. . Estos límites son: 1. el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue hecho para encenderlo. 1. Temperatura máxima de unión. La frecuencia de conmutación es también muy importante. La elección no es sencilla. no hay corriente por la compuerta. Corriente máxima pulsante de drenaje 2. Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. Los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3. Pérdidas del MOSFET Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un dispositivo de conmutación. 2. 4. Área segura de operación El área segura de operación del MOSFET está limitada por tres variables que forman los límites de una operación aceptable.Apagado Para apagar el MOSFET. El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

Figura 2 : Estructura básica del SCR. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único). La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta.SCR INTRODUCCION El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio. es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Figura 1: Símbolo del SCR. conmutador casi ideal. Está formado por tres terminales. Figura 1). Cátodo y Puerta. llamados Ánodo. . rectificador y amplificador a la vez.

..: ITRMS ................................................................: IH Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: .................................................: Rj-a ..............: IDRM ...........................Corriente directa media ....................: IGT ....................................: VT ...................................................................Corriente de mantenimiento ...... ............: IGNT Entre los anteriores destacan: .Temperatura de la unión ..... Las características estáticas corresponden a la región ánodo ...Resistencia térmica contenedor-disipador .......Corriente directa eficaz .........Corriente máxima................................Corriente de puerta para el encendido ..................................................................Corriente directa de fugas ..................Tensión directa .............................................................. Los fabricantes definen las siguientes características: -Tensión directa máx............................ Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo..............................: IGM ................................................................Corriente inversa de fugas ...................................: VGRM .....: PGAV ..Resistencia térmica unión-ambiente.................................: Zj-c CARACTERÍSTICAS DE CONTROL................Tensión puerta-cátodo para el encendido..........................................Tensión directa de pico repetitiva ................................... ...............Potencia media .........Tensión inversa de pico de trabajo ....................VGT e IGT ........... que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.....Tensión inversa máx................ ‡ Características en función de situaciones pasadas (memoria)..................: VGT .......Temperatura de almacenamiento .Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento..: VDRM ..: Rc-d .........: Rj-c ................. ‡ Relativa rapidez................... ..........................................................................: VRWM .......: Tstg ..: VGNT .............: PGM .....: ITAV ................... ‡ Soporta tensiones altas....................................: VGFM .............................Impedancia térmica unión-contenedor............CARACTERISTICAS DEL SCR ‡ Interruptor casi ideal..cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades: . ‡ Amplificador eficaz........................ ‡ Fácil controlabilidad.....: IRRM ..Potencia máxima ..Resistencia térmica unión-contenedor .......................................................... ‡ Es capaz de controlar grandes potencias................: Tj .....Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento..............

. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: ‡ Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de puerta. . . Curva características de puerta del tiristor. ‡ Curva C: tensión directa de pico admisible VGF.ángulo de disparo . se obtiene a la salida mayor potencia.Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de conducción (Figura 5): ángulo de conducción = 180º .A mayor valor del impuso de corriente.Son breves y de gran amplitud. Figura 3. que dan los valores máximos de corriente y de tensión. para los cuales en condiciones normales de temperatura.A mayor ángulo de conducción.Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). ‡ Ángulos de conducción: . ‡ Impulsos de corriente: . . .cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en los siguientes puntos: y Una caída de tensión en sentido directo más elevada.La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción. Tensiones transitorias: . . El diodo puerta (G) . para una corriente nula de ánodo. y Mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor.Valores de la tensión superpuestos a la señal de la fuente de alimentación. Área de disparo seguro. menor es la cantidad de ciclos.VGNT e IGNT.La tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.. ‡ Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar.El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión. los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR.

4. el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial. Ton = td + tr Figura 6. Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor. Se divide en dos partes (Figura 6): ‡ Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su valor máximo. de la tensión ánodo .3.1 Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción.Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos de conducción podremos calcular las protecciones necesarias. ‡ Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 % al 90 % de su valor máximo. Características de conmutación. necesitan un tiempo para pasar de corte a conducción y viceversa.2. Figura 5. Tiempo de apagado (Toff ): . Vamos a analizar este hecho. Tiempo de encendido.. Depende de la corriente de mando.cátodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Los tiristores no son interruptores perfectos. o.

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte.Por módulo de tensión. . Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas. MÉTODOS DE DISPARO. la unión ánodo .Por puerta. . se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH. . La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo. las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusión. corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS. se eliminan parcialmente. que a su vez provoca un aumento de la temperatura. creando un fenómeno de acumulación de calor que debe ser evitado.cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL. Para que se produzca el cebado de un tiristor. Para ello se colocan disipadores de calor. Se divide en dos partes (Figura 7): ‡ Tiempo de recuperación inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conducción del SCR. en un número suficiente bajo.Por gradiente de tensión (dV/dt) . una vez disparado. Toff = trr + tgr Figura 7. Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor. marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo. Para que.Disparo por radiación. permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno. Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: . por polarización inversa de este. ‡ Tiempo de recuperación de puerta (tgr): tiempo en el que. Tiempo de apagado. éste disipa una cantidad de energía que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor.

La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. . pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. · Cargadores de baterías. · Circuitos de retardo de tiempo. · Inversores. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. · Recortadores. en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos.. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas. Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones. APLICACIONES DEL SCR. entre ellas están las siguientes: · Controles de relevador. Además el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. · Controles de calefacción.Disparo por temperatura. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados. · Fuentes de alimentación reguladas. · Ciclo conversores. · Interruptores estáticos. · Circuitos de protección. · Controles de motores. · Controles de fase.

Figura 1) es un dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2. Figura 2 : Estructura básica del DIAC. . siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo. Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales. y ninguno de control.DIAC INTRODUCCIÓN El DIAC (Diode Alternative Current. ESTRUCTURA. Figura 1: Símbolo del DIAC. 2. por ello se le denomina bidireccional.

V(+ ó -) < Vb0 . obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia. de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. el elemento se comporta como un circuito abierto. Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo Vb0. . el valor de la tensión media aplicada a la carga. La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3. el elemento se comporta como un cortocircuito. Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC. CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. produciéndose a través de él la descarga de C. . Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y. en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC.En la curva característica tensión-corriente se observa que: . disminuyendo como consecuencia la tensión. la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al superar dicha tensión la corriente aumenta bruscamente. calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores. por tanto. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable. cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción.V(+ ó -) > Vb0 .

1. El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores. La complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto. . aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac(dv/dt) aún sin conducción previa. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas. el triac puede entrar en conducción directa. Cuando el triac conduce. la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2. es decir. con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado.TRIAC INTRODUCCION. la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. mediante una corriente de puerta positiva o negativa. CARACTERÍSTICAS La estructura contiene seis capas como se indica en la Fig. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra. En la Fig.

se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. El TRIAC.No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta ya que un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. bloqueándose cuando la corriente cambia de polaridad. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. sin embargo. se miden con respecto al ánodo 1. suponiendo que la excitación de la puerta sea la adecuada. se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero. entre la compuerta y la terminal MT1. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2. hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre T2 y T1. En la práctica. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción. con una conexión de compuerta común.Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo. Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y -. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+). Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. Métodos de disparo Como hemos dicho. dando como resultado una conducción completa de la corriente alterna. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional. 1.3. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2.El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo. . el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). como se muestra en la Fig. es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante).La diferencia más importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este último caso cada uno de los dispositivos conducirá durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente. el TRIAC posee dos ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1. en parte por la uniónP2N2 y en parte a través de la zona P2. para volver de nuevo a conducir. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro.

que soporta la tensión exterior.El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. El segundo modo del cuarto cuadrante. El disparo dela primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. .2. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. entrando en conducción. La unión P2N1de la estructura principal. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo.

Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. y designado por III (-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto l ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). . 4. El tercer modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1. El cuarto modo. del tercer cuadrante.Se dispara por el procedimiento de puerta remota. Esta polarización inyecta huecos deP2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). conduciendo las capasP2N1P1N4. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión.El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota.3. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. haciéndose más conductora. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1más positivamente que la próxima a la puerta. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima aT1.

.Disparo por corriente continua En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. o bien directamente a partir de la propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el momento preciso. que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo Disparo por corriente alterna alterna. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a partir de una determinada señal de excitación. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado dela función de control. El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un transformador que suministre la tensión de disparo. que puede ser un simple interruptor mecánico o un transistor trabajando en conmutación.

Una vez que el Triac entra en conducción.Característica tensión corriente. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. pues la característica en el cuadrante I de la curva es iguala la del III . Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos. El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente. 4 describe la característica tensión corriente del Triac. Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1. La Fig. por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta. la compuerta no controla mas la conducción. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante. a través del Triac.

esto lo realiza durante el resto del semiciclo. Con un arreglo adecuado del disparador. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR. 5 (a). Después de transcurrido los 30 s. las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30de cada semiciclo. En la Fig. puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción. 5 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor. . 5 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a través de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. La Fig. Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga. durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto. sin aplicar ningún voltaje a la carga. En la Fig. durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo. a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.Formas de onda de los triacs.

con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base. y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. Este se acopla al devanado secundario. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la línea de ca. por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el primario. 7 (b). por lo tanto C1 se carga con rapidez. que forman un divisor de voltaje. 7 (a). encendiéndolo durante el resto del semiciclo. entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior. En la Fig. Si RF es pequeño en relación a R1. La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1. El transformador T1 es un transformador de aislamiento. (d). C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT. corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD).Circuito práctico para disparo. Cuando la alimentación de 24 v se establece. entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. Las formas de onda del capacitor (Vc1). para este caso aísla el circuito de potencia CA del circuito de disparo. (c). entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v. se muestran en la Fig. . esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce. 6 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes. Por otra parte se RF es grande en relación a R1. esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca. Esta forma de onda es mostrada en la Fig.

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales. con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones derivadas de la conmutación de cargas inductivas que almacenan una determinada energía durante su funcionamiento. siendo la principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio ciclo cuando la corriente pasa por cero. que requieren siempre el movimiento de un contacto.APLICACIONES La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hacen ideal para una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. .

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