TRANSISTOR FET

INTRODUCCIÓN Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Combinación de portadores. Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistorFET canal n

Modelo de transistorFET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

equipos para comunicaciones Instrumentos de medición. transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. receptores salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño Sintonizadores de FM. y distintos valores de VGS. los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FETde CANAL N. lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. memorias Facilidad para controlar ganancia Receptores. computadores.Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): y ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. equipos de prueba Amplificadores de cc. APLICACIONES APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y de Uso general. equipo de medida. receptores Integración en gran escala. A diferencia del transistor BJT. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales. y ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). órganos electrónicos. generadores de señales . controlas de tono Audífonos para sordera.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas.A. y es la inversa de la pendiente de la curva. Como se indicó con anterioridad. al aumentar VDS. son horizontales. ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. 4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA. dicha pendiente es cero (en la realidad. En el año 1954. con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. y Walter Brattain. lo cual bajó los costos y permitió. Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas. en los circuitos de radio.) en 1947. gracias a los trabajos de William Shockley. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. John Bardeen. y es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. . silicio. la firma Texas Instruments de Estados Unidos.Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación. como he dicho antes existe algo de pendiente). permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios"). creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio. que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control. El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia. audio. fabricó el primer transistor de silicio. Ecuación de Shockley: ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde: y y Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET. Que como en el gráfico. IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor. Vgs) En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico. partiendo de una oblea de germanio. su comercialización a gran escala. El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N. por lo cual recibieron el premio Nobel. con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds. suponemos que la corriente de puerta es nula. etc. para que la única variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta. pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET. el JFET es un dispositivo de tres terminales. mucho menor. entonces la rd es infinita (muy grande). Como la unión está polarizada inversamente. cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la puerta Vgs. gracias a nuevas técnicas de fabricación.

El resultado es una región de agotamiento en cada unión. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados. semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET. Por tanto. controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". . La "compuerta". como se ilustra en la figura siguiente. como se ilustra en la figura anterior. con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. VGS = 0 V. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D). pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. Transistor de unión de efecto de campo (JFET). mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente. Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas. Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n.Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante. por medio de una señal aplicada (potencial). Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región. que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. debido a que la terminología se define para el flujo de electrones. a las dos capas del material tipo p. Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p.

Conectados de manera apropiada. que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. permitió crear los circuitos integrados o chips. Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente. JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.5 V. mayor será la anchura de la región de agotamiento. Recuérdese. El resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1. con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0.En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica. como se ilustra en la misma figura. como se indica en la misma figura. encender o apagar sistemas de elevada potencia. la explicación de la operación del diodo. convertir energía. La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. . El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET. El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes.5 V. el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal. Encapsulado e identificación de sus terminales. de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio. la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. permite amplificar señales muy débiles. Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de canal n. etc. los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje. base de todos los aparatos electrónicos modernos.

ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. existen una gran variedad de transistores. etc. alta frecuencia. alta ganancia de corriente. en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines. de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico). etc. alta tensión.Según sea el orden de los materiales que forman las junturas. En la actualidad. los tipo unijuntura. aplicaciones de conmutación. existen los transistores tipo NPN ó PNP. . y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones). bajo ruido eléctrico. especializados para alta potencia. los cuales. los MOS o de óxido metálico (variante de los FET). Existe una innumerable cantidad de diseños.

El óxido es aislante. Es un dispositivo controlado por tensión. Además su proceso de fabricación es también más simple. Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal.AMPLIFICADOR MOSFET INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. Por ello. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. los transistores MOS ocupan menos espacio. es decir. Comparados con los BJT. CARACTERÍSTICAS MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Tiene una versión NPN y otra PNP. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. mucho menor que en los JFET. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando. así. Además. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega una parte a la corriente total. En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain): . lo que se denomina distorsión por fase. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula.

Cada valor de capacitancia es una función no lineal del voltaje. crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. es muy significativa. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET¶s de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg). APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFET¶s y los JFET¶s y ellas son: En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta. cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. cuando uDG haya pasado a través de cero. la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos. no hay corriente por la compuerta. Encendido En la mayoría de los circuitos con MOSFET. .PRINCIPIO DE OPERACION Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P. Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. En el caso del MOSFET de canal P. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. El valor para Cgs tiene solamente una variación pequeña. creando un puente entre drenaje y fuente. Para lograrlo. se da una situación similar. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal. El movimiento de estos electrones. el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. pero en Cgd.

Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. 1. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Estos límites son: 1. La elección no es sencilla. Voltaje máximo drenaje-fuente 3. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. Pérdidas del MOSFET Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un dispositivo de conmutación. La frecuencia de conmutación es también muy importante. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. Corriente máxima pulsante de drenaje 2.este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en la selección. El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo. el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue hecho para encenderlo. . 2. pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente. 4. Los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3.Apagado Para apagar el MOSFET. Temperatura máxima de unión. Área segura de operación El área segura de operación del MOSFET está limitada por tres variables que forman los límites de una operación aceptable. no hay corriente por la compuerta.

SCR INTRODUCCION El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio. llamados Ánodo. Figura 1). Figura 2 : Estructura básica del SCR. es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único). La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Figura 1: Símbolo del SCR. conmutador casi ideal. Cátodo y Puerta. . Está formado por tres terminales. rectificador y amplificador a la vez.

..............: ITRMS .........: VGT ..... Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo..................... ..................................Tensión directa ..........................................Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento...........Tensión inversa máx........ ................................ ...............................................: IGT .......................Corriente de mantenimiento .......Corriente de puerta para el encendido .........................Corriente directa eficaz ...................................................Resistencia térmica unión-ambiente...........Resistencia térmica unión-contenedor ...............Temperatura de la unión .................Potencia media ..................Tensión inversa de pico de trabajo .......................................: IGNT Entre los anteriores destacan: .... que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor...........................................cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades: .....: Tj ...............................................................................: VDRM .............CARACTERISTICAS DEL SCR ‡ Interruptor casi ideal.....Resistencia térmica contenedor-disipador ........: PGAV ........... ‡ Características en función de situaciones pasadas (memoria)...... ‡ Soporta tensiones altas.................Corriente inversa de fugas ................................Impedancia térmica unión-contenedor...: Tstg ..........................: IGM ..........Corriente directa de fugas ...................: VGNT ......................: ITAV .Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento......Corriente máxima.......................................................: Rj-c .................................... Los fabricantes definen las siguientes características: -Tensión directa máx...Potencia máxima ..............................................: IDRM ...................: IH Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: ............... Las características estáticas corresponden a la región ánodo .................... ‡ Es capaz de controlar grandes potencias................ ‡ Relativa rapidez...................... ‡ Fácil controlabilidad..........................Corriente directa media ..............Tensión directa de pico repetitiva ...................: PGM ............................................: Zj-c CARACTERÍSTICAS DE CONTROL..Tensión puerta-cátodo para el encendido.: VRWM ....Temperatura de almacenamiento .....: VGFM ...................................... ‡ Amplificador eficaz.....: Rc-d .: Rj-a ......: VT ....................................................: IRRM .............................VGT e IGT ..........: VGRM ........................................

cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en los siguientes puntos: y Una caída de tensión en sentido directo más elevada. para una corriente nula de ánodo.Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de conducción (Figura 5): ángulo de conducción = 180º .Valores de la tensión superpuestos a la señal de la fuente de alimentación.El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión. menor es la cantidad de ciclos.Son breves y de gran amplitud. ‡ Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar. ‡ Ángulos de conducción: .La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción. El diodo puerta (G) . . . Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: ‡ Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de puerta. ‡ Impulsos de corriente: . y Mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor. En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR.A mayor valor del impuso de corriente. .A mayor ángulo de conducción. Curva características de puerta del tiristor.Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). Área de disparo seguro. .. que dan los valores máximos de corriente y de tensión. para los cuales en condiciones normales de temperatura.VGNT e IGNT. Figura 3. . los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. ‡ Curva C: tensión directa de pico admisible VGF. se obtiene a la salida mayor potencia.ángulo de disparo . . Tensiones transitorias: .La tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.

el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial. Tiempo de encendido. Vamos a analizar este hecho. Los tiristores no son interruptores perfectos. Tiempo de apagado (Toff ): .3.2. o. Se divide en dos partes (Figura 6): ‡ Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su valor máximo. Características de conmutación. necesitan un tiempo para pasar de corte a conducción y viceversa. de la tensión ánodo . Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor. 4. Depende de la corriente de mando..Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos de conducción podremos calcular las protecciones necesarias. Ton = td + tr Figura 6.cátodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Figura 5.1 Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción. ‡ Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 % al 90 % de su valor máximo.

por polarización inversa de este. Para ello se colocan disipadores de calor. Toff = trr + tgr Figura 7. en un número suficiente bajo.Por puerta. éste disipa una cantidad de energía que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor.Por módulo de tensión. se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH. creando un fenómeno de acumulación de calor que debe ser evitado. . La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo.Disparo por radiación. se eliminan parcialmente. MÉTODOS DE DISPARO. Se divide en dos partes (Figura 7): ‡ Tiempo de recuperación inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conducción del SCR. ‡ Tiempo de recuperación de puerta (tgr): tiempo en el que. la unión ánodo . que a su vez provoca un aumento de la temperatura. marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo. Para que se produzca el cebado de un tiristor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas. Tiempo de apagado. las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusión. Para que. CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS. corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. una vez disparado. permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno. Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: .Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte.cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL.Por gradiente de tensión (dV/dt) . Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor. . .

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas. Además el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. entre ellas están las siguientes: · Controles de relevador. . · Fuentes de alimentación reguladas. · Ciclo conversores. · Circuitos de retardo de tiempo. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. · Interruptores estáticos. · Controles de fase. pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. · Inversores. · Recortadores. Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones. · Controles de calefacción. · Circuitos de protección. · Controles de motores..Disparo por temperatura. APLICACIONES DEL SCR. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos. · Cargadores de baterías. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados.

Figura 1: Símbolo del DIAC. y ninguno de control. siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo. por ello se le denomina bidireccional. ESTRUCTURA. Figura 2 : Estructura básica del DIAC. . Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales. Figura 1) es un dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2. 2.DIAC INTRODUCCIÓN El DIAC (Diode Alternative Current.

de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. el elemento se comporta como un circuito abierto.En la curva característica tensión-corriente se observa que: . Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC. disminuyendo como consecuencia la tensión. obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia. CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES. calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.V(+ ó -) > Vb0 .V(+ ó -) < Vb0 . Al superar dicha tensión la corriente aumenta bruscamente. el valor de la tensión media aplicada a la carga. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y. Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC. Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo Vb0. por tanto. La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3. . produciéndose a través de él la descarga de C. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable. . la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. el elemento se comporta como un cortocircuito.

Cuando el voltaje es mas positivo en MT2. CARACTERÍSTICAS La estructura contiene seis capas como se indica en la Fig. los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores. . En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. En la Fig. la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. el triac puede entrar en conducción directa. dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. es decir.TRIAC INTRODUCCION. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac(dv/dt) aún sin conducción previa. mediante una corriente de puerta positiva o negativa. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. Cuando el triac conduce. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas. 1. aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. La complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra. la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento.

hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre T2 y T1. . Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y -. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2. que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción. bloqueándose cuando la corriente cambia de polaridad. el TRIAC posee dos ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro.La diferencia más importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este último caso cada uno de los dispositivos conducirá durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente. El TRIAC. para volver de nuevo a conducir. sin embargo. 1. es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante). el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos).El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo.No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta ya que un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero. se miden con respecto al ánodo 1. En la práctica. con una conexión de compuerta común. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. dando como resultado una conducción completa de la corriente alterna. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+).3. entre la compuerta y la terminal MT1. se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. suponiendo que la excitación de la puerta sea la adecuada. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional.Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo. como se muestra en la Fig. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo. en parte por la uniónP2N2 y en parte a través de la zona P2. Métodos de disparo Como hemos dicho.

2. entrando en conducción. . El disparo dela primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. La unión P2N1de la estructura principal. es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo.El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. El segundo modo del cuarto cuadrante. que soporta la tensión exterior. y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.

haciéndose más conductora.El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. El cuarto modo. 4. y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). del tercer cuadrante. El tercer modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. conduciendo las capasP2N1P1N4.Se dispara por el procedimiento de puerta remota. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1más positivamente que la próxima a la puerta. . y designado por III (-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto l ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Esta polarización inyecta huecos deP2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1.3. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima aT1.

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un transformador que suministre la tensión de disparo. o bien directamente a partir de la propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el momento preciso. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado dela función de control. que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo Disparo por corriente alterna alterna. que puede ser un simple interruptor mecánico o un transistor trabajando en conmutación. .Disparo por corriente continua En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a partir de una determinada señal de excitación.

Muestra la corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1. Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere. cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante. El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente. 4 describe la característica tensión corriente del Triac. crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos. por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta. Una vez que el Triac entra en conducción. La Fig. la compuerta no controla mas la conducción. pues la característica en el cuadrante I de la curva es iguala la del III . Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH.Característica tensión corriente. a través del Triac.

5 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor. La Fig. el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga. En la Fig. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción. Con un arreglo adecuado del disparador. puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. 5 (a). durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac. en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. En la Fig. 5 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a través de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. esto lo realiza durante el resto del semiciclo. las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30de cada semiciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR. Después de transcurrido los 30 s. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga. durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto. sin aplicar ningún voltaje a la carga.Formas de onda de los triacs. Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. .

Las formas de onda del capacitor (Vc1). 7 (a). Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac. por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca. encendiéndolo durante el resto del semiciclo. Por otra parte se RF es grande en relación a R1.Circuito práctico para disparo. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la línea de ca. que forman un divisor de voltaje. para este caso aísla el circuito de potencia CA del circuito de disparo. 7 (b). con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base. entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior. . Esta forma de onda es mostrada en la Fig. El transformador T1 es un transformador de aislamiento. Si RF es pequeño en relación a R1. Cuando la alimentación de 24 v se establece. (d). corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD). se muestran en la Fig. el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. Este se acopla al devanado secundario. y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el primario. entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v. 6 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce. En la Fig. (c). La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1. C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT. por lo tanto C1 se carga con rapidez. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes.

. siendo la principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio ciclo cuando la corriente pasa por cero. que requieren siempre el movimiento de un contacto. con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones derivadas de la conmutación de cargas inductivas que almacenan una determinada energía durante su funcionamiento.APLICACIONES La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hacen ideal para una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales.

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