TRANSISTOR FET

INTRODUCCIÓN Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Combinación de portadores. Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistorFET canal n

Modelo de transistorFET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

computadores. La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FETde CANAL N. lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). y distintos valores de VGS. receptores Integración en gran escala. equipos de prueba Amplificadores de cc. APLICACIONES APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y de Uso general.Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): y ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. equipos para comunicaciones Instrumentos de medición. órganos electrónicos. A diferencia del transistor BJT. generadores de señales . y ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales. transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. controlas de tono Audífonos para sordera. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. receptores salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño Sintonizadores de FM. equipo de medida. memorias Facilidad para controlar ganancia Receptores.

fabricó el primer transistor de silicio. con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. mucho menor. la firma Texas Instruments de Estados Unidos.) en 1947. Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas. Como la unión está polarizada inversamente. cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la puerta Vgs. IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor. al aumentar VDS. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios"). que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control. En el año 1954. John Bardeen. son horizontales. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. audio. entonces la rd es infinita (muy grande). y es la inversa de la pendiente de la curva. Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas. el JFET es un dispositivo de tres terminales. Ecuación de Shockley: ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde: y y Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET. suponemos que la corriente de puerta es nula. lo cual bajó los costos y permitió. etc. su comercialización a gran escala. siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos.A. Como se indicó con anterioridad. 4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA. en los circuitos de radio. Que como en el gráfico. creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio. silicio. con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds. por lo cual recibieron el premio Nobel. y Walter Brattain. . para que la única variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta. Vgs) En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico. pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET. dicha pendiente es cero (en la realidad. El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia. gracias a los trabajos de William Shockley. como he dicho antes existe algo de pendiente). partiendo de una oblea de germanio. El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N. gracias a nuevas técnicas de fabricación.Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación. y es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.

Por tanto. esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta. Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados. que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". como se ilustra en la figura siguiente. como se ilustra en la figura anterior. debido a que la terminología se define para el flujo de electrones. . con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. a las dos capas del material tipo p. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D). por medio de una señal aplicada (potencial). El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p. Transistor de unión de efecto de campo (JFET). pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente. VGS = 0 V. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. La "compuerta".Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante. el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET. el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q).

5 V. Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. mayor será la anchura de la región de agotamiento. los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje. estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V. El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes. que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada. La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio.En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica. Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de canal n. Encapsulado e identificación de sus terminales. con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0. base de todos los aparatos electrónicos modernos. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal. encender o apagar sistemas de elevada potencia. permite amplificar señales muy débiles. permitió crear los circuitos integrados o chips. como se ilustra en la misma figura. Conectados de manera apropiada. crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio. El resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1. Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente.5 V. . etc. el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. convertir energía. la explicación de la operación del diodo. Recuérdese. como se indica en la misma figura.

existen los transistores tipo NPN ó PNP. alta frecuencia. de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico). los tipo unijuntura. alta ganancia de corriente. y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones). los MOS o de óxido metálico (variante de los FET). los cuales. en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines. aplicaciones de conmutación. alta tensión. etc. ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. etc. existen una gran variedad de transistores. bajo ruido eléctrico. En la actualidad. .Según sea el orden de los materiales que forman las junturas. especializados para alta potencia. Existe una innumerable cantidad de diseños.

Cada uno entrega una parte a la corriente total. Comparados con los BJT. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. los transistores MOS ocupan menos espacio. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. Tiene una versión NPN y otra PNP. mucho menor que en los JFET. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. así. En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain): . Además su proceso de fabricación es también más simple.AMPLIFICADOR MOSFET INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando. es decir. Por ello. es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. lo que se denomina distorsión por fase. CARACTERÍSTICAS MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. Es un dispositivo controlado por tensión. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. Además. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. El óxido es aislante. Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60.

Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta. El valor para Cgs tiene solamente una variación pequeña. los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET¶s de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg). La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. pero en Cgd. el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. cuando uDG haya pasado a través de cero. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal. El movimiento de estos electrones. Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. En el caso del MOSFET de canal P. se da una situación similar. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. . crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. es muy significativa. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Cada valor de capacitancia es una función no lineal del voltaje. APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFET¶s y los JFET¶s y ellas son: En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento.PRINCIPIO DE OPERACION Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P. Encendido En la mayoría de los circuitos con MOSFET. no hay corriente por la compuerta. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación. el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Para lograrlo.

Voltaje máximo drenaje-fuente 3. 1. no hay corriente por la compuerta. El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.Apagado Para apagar el MOSFET. . el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue hecho para encenderlo. La frecuencia de conmutación es también muy importante. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en la selección. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente. Estos límites son: 1.este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Pérdidas del MOSFET Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un dispositivo de conmutación. Temperatura máxima de unión. Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Área segura de operación El área segura de operación del MOSFET está limitada por tres variables que forman los límites de una operación aceptable. 4. Los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3. Corriente máxima pulsante de drenaje 2. La elección no es sencilla. 2.

Figura 2 : Estructura básica del SCR. . La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales. rectificador y amplificador a la vez. conmutador casi ideal. Cátodo y Puerta. llamados Ánodo. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único).SCR INTRODUCCION El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio. Figura 1: Símbolo del SCR. Figura 1).

........... ‡ Características en función de situaciones pasadas (memoria).........: PGAV ..............: PGM .Potencia media .........................Corriente directa de fugas ..............................................................................: VGT .Corriente de puerta para el encendido ..........Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento.....................................cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades: ...Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento....................: IGM ......................................................Tensión puerta-cátodo para el encendido....Temperatura de la unión ...: IGT .................: IH Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: ..................................Tensión inversa máx.........................Tensión inversa de pico de trabajo ................ Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo.: Rc-d .......................... ‡ Amplificador eficaz.................: VRWM ......Resistencia térmica unión-ambiente......... que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor..........Potencia máxima .Corriente inversa de fugas ...............: Zj-c CARACTERÍSTICAS DE CONTROL............................ Las características estáticas corresponden a la región ánodo ..Temperatura de almacenamiento ....................................................................CARACTERISTICAS DEL SCR ‡ Interruptor casi ideal................................................................................................................ ............: IRRM .........................................: ITAV ..............................: Tstg ...........Impedancia térmica unión-contenedor................................................................: Rj-a ....................: Rj-c .........Tensión directa de pico repetitiva ...............: IGNT Entre los anteriores destacan: .................. ..............: IDRM ..Corriente máxima...... ‡ Soporta tensiones altas..................................................................................Corriente directa media ... ‡ Fácil controlabilidad..............Tensión directa . ‡ Relativa rapidez................: VDRM ....VGT e IGT .............................: VGNT .........: VGFM .: VGRM ........Corriente de mantenimiento ..: VT ................ Los fabricantes definen las siguientes características: -Tensión directa máx..Resistencia térmica contenedor-disipador ...................Resistencia térmica unión-contenedor ..................................Corriente directa eficaz ............... ‡ Es capaz de controlar grandes potencias...: Tj ..............................................................................: ITRMS ........................ ........

Área de disparo seguro.A mayor valor del impuso de corriente. Figura 3.ángulo de disparo .La tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores.La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción. Tensiones transitorias: .Son breves y de gran amplitud.VGNT e IGNT.. El diodo puerta (G) . y Mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor. para los cuales en condiciones normales de temperatura. .El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión. . . ‡ Curva C: tensión directa de pico admisible VGF.cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en los siguientes puntos: y Una caída de tensión en sentido directo más elevada.Valores de la tensión superpuestos a la señal de la fuente de alimentación.Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). se obtiene a la salida mayor potencia. .Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de conducción (Figura 5): ángulo de conducción = 180º . En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Curva características de puerta del tiristor. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: ‡ Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de puerta. que dan los valores máximos de corriente y de tensión. ‡ Impulsos de corriente: . para una corriente nula de ánodo. los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. .A mayor ángulo de conducción. ‡ Ángulos de conducción: . menor es la cantidad de ciclos. ‡ Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar. .

Tiempo de encendido. Tiempo de apagado (Toff ): . Características de conmutación. 4.Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos de conducción podremos calcular las protecciones necesarias. Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor.1 Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción. Ton = td + tr Figura 6. o. de la tensión ánodo . el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial. Los tiristores no son interruptores perfectos.3.cátodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Depende de la corriente de mando.. Se divide en dos partes (Figura 6): ‡ Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su valor máximo. Figura 5. ‡ Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 % al 90 % de su valor máximo. Vamos a analizar este hecho.2. necesitan un tiempo para pasar de corte a conducción y viceversa.

Por gradiente de tensión (dV/dt) .Disparo por radiación. Toff = trr + tgr Figura 7. Tiempo de apagado. CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS. Se divide en dos partes (Figura 7): ‡ Tiempo de recuperación inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conducción del SCR. por polarización inversa de este. .cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL. se eliminan parcialmente. que a su vez provoca un aumento de la temperatura. ‡ Tiempo de recuperación de puerta (tgr): tiempo en el que.Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte. La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo. éste disipa una cantidad de energía que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusión. Para que.Por módulo de tensión. Para ello se colocan disipadores de calor. una vez disparado. creando un fenómeno de acumulación de calor que debe ser evitado.Por puerta. se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH. . Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: . marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo. permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno. en un número suficiente bajo. . Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor. MÉTODOS DE DISPARO. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas. Para que se produzca el cebado de un tiristor. corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. la unión ánodo .

Disparo por temperatura. · Circuitos de retardo de tiempo. APLICACIONES DEL SCR. · Ciclo conversores. · Controles de fase. · Inversores. · Fuentes de alimentación reguladas. en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. · Controles de motores. pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. · Cargadores de baterías. entre ellas están las siguientes: · Controles de relevador. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. · Recortadores. · Interruptores estáticos. · Controles de calefacción. . Además el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. · Circuitos de protección. Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas.. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada.

Figura 1) es un dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2. . 2. siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo. por ello se le denomina bidireccional. ESTRUCTURA.DIAC INTRODUCCIÓN El DIAC (Diode Alternative Current. y ninguno de control. Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales. Figura 2 : Estructura básica del DIAC. Figura 1: Símbolo del DIAC.

el elemento se comporta como un cortocircuito. el valor de la tensión media aplicada a la carga. Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC. CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.V(+ ó -) < Vb0 . Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable.V(+ ó -) > Vb0 . Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac. cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. Al superar dicha tensión la corriente aumenta bruscamente. . produciéndose a través de él la descarga de C. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo.En la curva característica tensión-corriente se observa que: . por tanto. obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia. La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3. el elemento se comporta como un circuito abierto. disminuyendo como consecuencia la tensión. . en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC. calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores. la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y. de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo Vb0.

Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. CARACTERÍSTICAS La estructura contiene seis capas como se indica en la Fig. 1. Cuando el triac conduce. El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta. el triac puede entrar en conducción directa. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto. con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. mediante una corriente de puerta positiva o negativa. dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac(dv/dt) aún sin conducción previa. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. . es decir. la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. En la Fig. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2. La complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra. la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac. los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.TRIAC INTRODUCCION.

dando como resultado una conducción completa de la corriente alterna. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo. el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre T2 y T1. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2. Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional. se miden con respecto al ánodo 1.No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta ya que un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta.El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo. Métodos de disparo Como hemos dicho. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2. sin embargo. se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. para volver de nuevo a conducir. como se muestra en la Fig. bloqueándose cuando la corriente cambia de polaridad. suponiendo que la excitación de la puerta sea la adecuada. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1. es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante). El TRIAC. con una conexión de compuerta común. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro. en parte por la uniónP2N2 y en parte a través de la zona P2. 1. se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero. En la práctica. . entre la compuerta y la terminal MT1. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+). el TRIAC posee dos ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y -.3.La diferencia más importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este último caso cada uno de los dispositivos conducirá durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente.

que soporta la tensión exterior. El disparo dela primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo. entrando en conducción. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo.2. y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. . La unión P2N1de la estructura principal. es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar.El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. El segundo modo del cuarto cuadrante.

El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima aT1. 4. y designado por III (-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto l ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Esta polarización inyecta huecos deP2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción.Se dispara por el procedimiento de puerta remota.El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1más positivamente que la próxima a la puerta. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4.3. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. El tercer modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1. haciéndose más conductora. . conduciendo las capasP2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. del tercer cuadrante. El cuarto modo. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+).

que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo Disparo por corriente alterna alterna. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado dela función de control. El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un transformador que suministre la tensión de disparo. que puede ser un simple interruptor mecánico o un transistor trabajando en conmutación. . o bien directamente a partir de la propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el momento preciso. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a partir de una determinada señal de excitación.Disparo por corriente continua En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta.

por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta. Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante. Una vez que el Triac entra en conducción. crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos. El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente. 4 describe la característica tensión corriente del Triac. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1.Característica tensión corriente. a través del Triac. la compuerta no controla mas la conducción. La Fig. cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. pues la característica en el cuadrante I de la curva es iguala la del III .

La Fig. puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. 5 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor. en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. Con un arreglo adecuado del disparador. 5 (a). durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto. el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga. las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30de cada semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo. . 5 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a través de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR. a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. esto lo realiza durante el resto del semiciclo. durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción. Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. sin aplicar ningún voltaje a la carga. En la Fig. En la Fig. Después de transcurrido los 30 s. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga.Formas de onda de los triacs. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa.

. se muestran en la Fig. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac. entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. encendiéndolo durante el resto del semiciclo. Las formas de onda del capacitor (Vc1). Esta forma de onda es mostrada en la Fig. esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce. La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la línea de ca. esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca. Este se acopla al devanado secundario. 7 (a). La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1. con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base. C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior. entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v. Por otra parte se RF es grande en relación a R1. para este caso aísla el circuito de potencia CA del circuito de disparo. corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD). 7 (b). que forman un divisor de voltaje. El transformador T1 es un transformador de aislamiento. por lo tanto C1 se carga con rapidez. (c). (d). 6 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el primario. Si RF es pequeño en relación a R1. En la Fig.Circuito práctico para disparo. por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes. el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. Cuando la alimentación de 24 v se establece.

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales. con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones derivadas de la conmutación de cargas inductivas que almacenan una determinada energía durante su funcionamiento. . que requieren siempre el movimiento de un contacto.APLICACIONES La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hacen ideal para una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. siendo la principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio ciclo cuando la corriente pasa por cero.

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