TRANSISTOR FET

INTRODUCCIÓN Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Combinación de portadores. Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistorFET canal n

Modelo de transistorFET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. APLICACIONES APLICACIÓN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG Amplificador cascodo Troceador Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y de Uso general. equipos para comunicaciones Instrumentos de medición. equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV. computadores. controlas de tono Audífonos para sordera.Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): y ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. transductores inductivos Generadores de frecuencia patrón. y distintos valores de VGS. memorias Facilidad para controlar ganancia Receptores. A diferencia del transistor BJT. equipo de medida. receptores salida baja Bajo ruido Baja distorsión de intermodulación Baja capacidad de entrada Ausencia de deriva Se controla por voltaje Capacidad pequeña de acoplamiento Mínima variación de frecuencia Pequeño tamaño Sintonizadores de FM. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on). receptores Integración en gran escala. órganos electrónicos. los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico). sistemas de control de dirección Amplificadores operacionales. generadores de señales . y ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FETde CANAL N. equipos de prueba Amplificadores de cc.

dicha pendiente es cero (en la realidad. Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas. y Walter Brattain. cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como se indicó con anterioridad. Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas. Que como en el gráfico.) en 1947. con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds. John Bardeen. como he dicho antes existe algo de pendiente). y es igual a la separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. suponemos que la corriente de puerta es nula. Vgs) En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico. 4) TÉCNICAS DE MANUFACTURA. IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor. son horizontales. El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia. el JFET es un dispositivo de tres terminales. lo cual bajó los costos y permitió. mucho menor. creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio. siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. para que la única variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta. al aumentar VDS. silicio. por lo cual recibieron el premio Nobel. partiendo de una oblea de germanio. entonces la rd es infinita (muy grande). etc.Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación. su comercialización a gran escala. gracias a nuevas técnicas de fabricación. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño. audio. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios"). fabricó el primer transistor de silicio. gracias a los trabajos de William Shockley.A. en los circuitos de radio. y es la inversa de la pendiente de la curva. Ecuación de Shockley: ID=IDSS(1VGS/Vp)2 Donde: y y Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET. con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N. . ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones. Como la unión está polarizada inversamente. pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET. que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control. la firma Texas Instruments de Estados Unidos. En el año 1954.

con párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p. debido a que la terminología se define para el flujo de electrones. Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del canal-n. semejante a la distribución de las condiciones sin polarización de la figura del transistor FET. como se ilustra en la figura siguiente. como se ilustra en la figura anterior. el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización.Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante. a las dos capas del material tipo p. VGS = 0 V. por medio de una señal aplicada (potencial). La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de compuerta (gate) (Q). pero la analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del dispositivo. Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto incapaz de permitir la conducción a través de la región. Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se hallan al mismo potencial y hay una región de agotamiento en el extremo inferior de cada material p. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente. Por tanto. . El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain) (D). el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). Vds cualquier valor positivo En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condición VGS = 0 V. Transistor de unión de efecto de campo (JFET). esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta. que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización. Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados. mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). La "compuerta".

El resultado es que la región superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1. encender o apagar sistemas de elevada potencia. mayor será la anchura de la región de agotamiento. etc. estableciendo la corriente convencional ID con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). permitió crear los circuitos integrados o chips.5 V. Recuérdese. El hecho de que la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una corriente de compuerta de cero amperes. JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V. de aquí la distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente.En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica. Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior de ambos materiales tipo p. . La razón para el cambio en la anchura de la región se puede describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el canal-n. que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada. permite amplificar señales muy débiles. como se indica en la misma figura. los electrones serán atraídos hacia la terminal de drenaje. La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una misma oblea de silicio. la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura siguiente. el flujo de carga es relativamente permitido y limitado únicamente por la resistencia del canal-n entre el drenaje y la fuente. Encapsulado e identificación de sus terminales. Bajo las condiciones que aparecen en la figura siguiente.5 V. El hecho que iG = O A es una importante característica del JFET. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal. Conectados de manera apropiada. base de todos los aparatos electrónicos modernos. como se ilustra en la misma figura. crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio. Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de canal n. con la región inferior inversamente polarizada sólo en los 0. la explicación de la operación del diodo. convertir energía.

y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar grandes potencias y tensiones). aplicaciones de conmutación. etc. Existe una innumerable cantidad de diseños. en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad de circuitos para diversos fines. de efecto de campo o FET (el electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico). existen una gran variedad de transistores.Según sea el orden de los materiales que forman las junturas. En la actualidad. alta ganancia de corriente. especializados para alta potencia. los cuales. bajo ruido eléctrico. . etc. los MOS o de óxido metálico (variante de los FET). ya que se complementan pues funcionan con sentidos opuestos de circulación de corriente. los tipo unijuntura. existen los transistores tipo NPN ó PNP. alta frecuencia. alta tensión.

Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. El óxido es aislante. Tiene una versión NPN y otra PNP. dentro de un circuito integrado puede incorporase un numero mayor. Además. Su velocidad permite diseñar etapas con grandes anchos de banda minimizando. así. Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan limitaciones. es un arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia. es decir. CARACTERÍSTICAS MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. Además su proceso de fabricación es también más simple. los transistores MOS ocupan menos espacio. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P. Por ello. Cada uno entrega una parte a la corriente total. Pese a que el concepto básico de los FET se conocía ya en 1930. existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Es un dispositivo extremadamente veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal.AMPLIFICADOR MOSFET INTRODUCCION Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Comparados con los BJT. lo que se denomina distorsión por fase. Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital. mucho menor que en los JFET. Por esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain): . con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula. estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Es un dispositivo controlado por tensión.

cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source) Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos. Para lograrlo.PRINCIPIO DE OPERACION Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P. crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. Encendido En la mayoría de los circuitos con MOSFET. Capacitancia en el MOSFET Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con MOSFET. el circuito manejador del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal. no hay corriente por la compuerta. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. El valor para Cgs tiene solamente una variación pequeña. En el caso del MOSFET de canal P. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de operación. El movimiento de estos electrones. Cada valor de capacitancia es una función no lineal del voltaje. cuando uDG haya pasado a través de cero. . Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. pero en Cgd. se da una situación similar. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. APLICACION El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos ventajas sobre los MESFET¶s y los JFET¶s y ellas son: En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. el objetivo es encenderlo tan rápido como sea posible para minimizar las pérdidas por conmutación. la capacitancia de entrada y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta. es muy significativa. creando un puente entre drenaje y fuente. El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET¶s de canal n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a la región de modo de enriquecimiento (+Vg).

este puede reemplazar dispostivos como el jfet. Temperatura máxima de unión. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más importante en la selección. Pérdidas del MOSFET Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de un dispositivo de conmutación. 4. Los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia esto es una gran ventaja ya que pueden ser utilizados en una gran gama de aplicaciones 3. La elección no es sencilla. 2. Voltaje máximo drenaje-fuente 3. Estos límites son: 1. Corriente máxima pulsante de drenaje 2. Área segura de operación El área segura de operación del MOSFET está limitada por tres variables que forman los límites de una operación aceptable.Apagado Para apagar el MOSFET. . el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue hecho para encenderlo. pues no puede decirse que el MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de corriente. 1. La frecuencia de conmutación es también muy importante. Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los arreglos del circuito externo. no hay corriente por la compuerta. El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de trabajo. Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta.

La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. llamados Ánodo. es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Figura 1). . rectificador y amplificador a la vez. conmutador casi ideal.SCR INTRODUCCION El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio. Está formado por tres terminales. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único). Cátodo y Puerta. Figura 1: Símbolo del SCR. Figura 2 : Estructura básica del SCR.

...............Corriente directa de fugas .: PGM ... ‡ Características en función de situaciones pasadas (memoria)............................: Zj-c CARACTERÍSTICAS DE CONTROL.....................................Tensión puerta-cátodo para el encendido.: Tj ..: VT ......................................: VGRM .: Rj-c ........................................................Resistencia térmica unión-contenedor .......................................................Corriente directa media ................. ‡ Es capaz de controlar grandes potencias........................Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento...........Corriente inversa de fugas ..........................................................................................................Temperatura de almacenamiento ...Resistencia térmica contenedor-disipador ..Tensión directa de pico repetitiva ............: VGNT ............Resistencia térmica unión-ambiente....................Potencia máxima ..: IGM .............................................: IGT .......................... ‡ Relativa rapidez........ ................................Corriente máxima...... .. ‡ Fácil controlabilidad...: Tstg ..................................................Tensión inversa de pico de trabajo ..................... ....................: ITAV .................Tensión inversa máx..............................: IH Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: ......................Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento.cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades: ................ Los fabricantes definen las siguientes características: -Tensión directa máx............: VGFM ..........: IGNT Entre los anteriores destacan: ......................: Rj-a ........................... que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.........................: ITRMS ................................Corriente de puerta para el encendido ...............: IDRM ..: VGT .............................. Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo...........................................................CARACTERISTICAS DEL SCR ‡ Interruptor casi ideal..... ‡ Amplificador eficaz.............................................: PGAV .......: VDRM .: VRWM ... ‡ Soporta tensiones altas............Temperatura de la unión ...: Rc-d .......Corriente directa eficaz ................ Las características estáticas corresponden a la región ánodo ................................................VGT e IGT ..............................Impedancia térmica unión-contenedor.................................................................Corriente de mantenimiento ..: IRRM ..................Tensión directa ........................Potencia media ..

‡ Impulsos de corriente: .Valores de la tensión superpuestos a la señal de la fuente de alimentación.A mayor valor del impuso de corriente.La corriente y tensión media de un SCR dependen del ángulo de conducción.Son breves y de gran amplitud. . . ‡ Curva D: hipérbola de la potencia media máxima PGAV que no debemos sobrepasar. y Mayor dispersión para un mismo tipo de tiristor. que dan los valores máximos de corriente y de tensión.A mayor ángulo de conducción.VGNT e IGNT.El tiempo máximo de cada impulso está limitado por la temperatura media de la unión.cátodo (K) difiere de un diodo de rectificación en los siguientes puntos: y Una caída de tensión en sentido directo más elevada. . Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: ‡ Curva A y B: límite superior e inferior de la tensión puerta-cátodo en función de la corriente positiva de puerta.Un mayor ángulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ángulo de conducción (Figura 5): ángulo de conducción = 180º . Área de disparo seguro. El diodo puerta (G) . para los cuales en condiciones normales de temperatura.ángulo de disparo . los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. Figura 3. ‡ Ángulos de conducción: .La tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. . En esta área (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Tensiones transitorias: .Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). menor es la cantidad de ciclos.. . ‡ Curva C: tensión directa de pico admisible VGF. Curva características de puerta del tiristor. . se obtiene a la salida mayor potencia. para una corriente nula de ánodo.

Características de conmutación. el paso de la caída de tensión en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial. Figura 5.3. o. Los tiristores no son interruptores perfectos. Vamos a analizar este hecho. Depende de la corriente de mando.Conociendo la variación de la potencia disipada en función de los diferentes ángulos de conducción podremos calcular las protecciones necesarias. Tiempo de encendido. necesitan un tiempo para pasar de corte a conducción y viceversa. Ton = td + tr Figura 6.1 Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conducción. ‡ Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de ánodo pase del 10 % al 90 % de su valor máximo. 4. Ángulo de bloqueo y conducción de un tiristor.. Tiempo de apagado (Toff ): . Se divide en dos partes (Figura 6): ‡ Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de ánodo alcanza el 10 % de su valor máximo.cátodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan).2. de la tensión ánodo .

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conducción a corte. Tiempo de apagado. MÉTODOS DE DISPARO. una vez disparado. la unión ánodo . Para que se produzca el cebado de un tiristor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas. que a su vez provoca un aumento de la temperatura. marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo. Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: . se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH. Para ello se colocan disipadores de calor.Por puerta.cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL. permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno. La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo. . por polarización inversa de este. se eliminan parcialmente. en un número suficiente bajo. CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS. corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.Por gradiente de tensión (dV/dt) . Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor.Disparo por radiación. Toff = trr + tgr Figura 7. . ‡ Tiempo de recuperación de puerta (tgr): tiempo en el que. . creando un fenómeno de acumulación de calor que debe ser evitado.Por módulo de tensión. Para que. Se divide en dos partes (Figura 7): ‡ Tiempo de recuperación inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conducción del SCR. las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusión. éste disipa una cantidad de energía que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor.

Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones. · Controles de fase. · Cargadores de baterías. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada por la señal de puerta. . · Controles de motores. en lugar de los diodos convencionales hasta la realización de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos.. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. · Controles de calefacción. entre ellas están las siguientes: · Controles de relevador. pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. · Circuitos de protección. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados. · Inversores.Disparo por temperatura. · Interruptores estáticos. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificación de corrientes alternas. Además el tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. APLICACIONES DEL SCR. · Ciclo conversores. · Circuitos de retardo de tiempo. · Fuentes de alimentación reguladas. · Recortadores.

Figura 2 : Estructura básica del DIAC. 2. siempre que se llegue a su tensión de cebado o de disparo. Figura 1) es un dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2. . y ninguno de control. Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales. ESTRUCTURA. por ello se le denomina bidireccional.DIAC INTRODUCCIÓN El DIAC (Diode Alternative Current. Figura 1: Símbolo del DIAC.

La forma más simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura 3. el elemento se comporta como un cortocircuito. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminación con intensidad variable. Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac. El momento del disparo podrá ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conducción del TRIAC y.En la curva característica tensión-corriente se observa que: . el elemento se comporta como un circuito abierto. obteniéndose un simple pero eficaz control de potencia. . Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo Vb0. Figura 3: Disparo de TRIAC mediante un DIAC. disminuyendo como consecuencia la tensión.V(+ ó -) > Vb0 . cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conducción. produciéndose a través de él la descarga de C. . calefacción eléctrica con regulación de temperatura y algunos controles de velocidad de motores. el valor de la tensión media aplicada a la carga. la intensidad que circula por el componente es muy pequeña. en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensión de disparo del DIAC.V(+ ó -) < Vb0 . por tanto. Al superar dicha tensión la corriente aumenta bruscamente. CARACTERÍSTICAS GENERALES Y APLICACIONES. de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de ciclo de la alterna. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo.

Cuando el voltaje es mas positivo en MT2. En sentido MT2-MT1 conduce a través de P1N1P2N2y en sentido MT1-MT2 a través de P2N1P1N4. Cuando el triac conduce. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto. dependiendo la dirección de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. el triac puede entrar en conducción directa. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas. la nomenclatura Ánodo 2 (A2) y Ánodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. 2 se muestra el símbolo esquemático e identificación de las terminales de un triac. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga. . CARACTERÍSTICAS La estructura contiene seis capas como se indica en la Fig. es decir. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al triac(dv/dt) aún sin conducción previa. la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. 1.TRIAC INTRODUCCION. hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra. los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores. En la Fig. El triac puede ser disparado independientemente de la polarización de puerta. con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. La complicación de su estructura lo hace mas delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde400 a 1000 V de tensión de pico repetitivo. mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

para volver de nuevo a conducir. el TRIAC posee dos ánodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. hasta que se alcanza el valor mínimo de tensión entre T2 y T1. que es favorecida en el área próxima a la compuerta por la caída de tensión que produce en P2 la circulación lateral de corriente de compuerta. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del ánodo 2.No es necesario que estén presentes ambas polaridades en las señales de la compuerta ya que un TRIAC puede ser activado con una sola señal positiva o negativa de compuerta. suponiendo que la excitación de la puerta sea la adecuada. Veamos cuáles son los fenómenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. . Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. dando como resultado una conducción completa de la corriente alterna. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1. bloqueándose cuando la corriente cambia de polaridad. no es posible identificar sus terminales como ánodo y cátodo.La diferencia más importante que se encuentra entre el funcionamiento de un triac y el de dos tiristores es que en este último caso cada uno de los dispositivos conducirá durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente. Métodos de disparo Como hemos dicho. en parte por la uniónP2N2 y en parte a través de la zona P2.El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicación entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son positivas con respecto al ánodo MT1 y este es el modo más común (Intensidad de compuerta entrante). Se produce la natural inyección de electrones de N2 a P2. sin embargo. 1. la sensibilidad varía de un cuadrante a otro. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+). con una conexión de compuerta común. como se muestra en la Fig. Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusión la unión P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella iniciándose la conducción. el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional. entre la compuerta y la terminal MT1. se miden con respecto al ánodo 1. El TRIAC. se activará al aplicar una señal negativa a la compuerta. Esta caída de tensión se simboliza en la figura por signos + y -. se bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor cero. En la práctica.Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en anti paralelo.3. La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1.

y designado por I(-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad de compuerta saliente).El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unión. es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar. entrando en conducción. La unión P2N1de la estructura principal. El disparo dela primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de cátodo.2. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. . Toda la estructura auxiliar se pone a la tensión positiva de T2 y polariza fuertemente la unión P2N2 que inyecta electrones hacia el área de potencial positivo. El segundo modo del cuarto cuadrante. que soporta la tensión exterior.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. 4. haciéndose más conductora. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen más conductora la unión P2N1. El potencial positivo de puerta polariza más positivamente el área de unión P2N1 próxima a ella que la próxima aT1. Entra en conducción la estructura P2N1P1N4. y la tensión de disparo de la compuerta es positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad de compuerta entrante). El cuarto modo. . El tercer modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensión del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo MT1.3.Se dispara por el procedimiento de puerta remota. conduciendo las capasP2N1P1N4. provocándose una inyección de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unión N1P1 encargada de bloquear la tensión exterior y se produce la entrada en conducción. del tercer cuadrante. Los que alcanzan por difusión la unión P2N1 son absorbidos por su potencial de unión. y designado por III (-) es aquel en que la tensión del ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son negativos con respecto l ánodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). La tensión positiva de T1 polariza el área próxima de la unión P2N1más positivamente que la próxima a la puerta. Esta polarización inyecta huecos deP2 a N1 que alcanzan en parte la unión N1P1 y la hacen pasar a conducción. La inyección de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+).

Disparo por corriente continua En este caso la tensión de disparo proviene de una fuente de tensión continua aplicada al TRIAC a través de una resistencia limitadora de la corriente de puerta. que puede ser un simple interruptor mecánico o un transistor trabajando en conmutación. El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de un transformador que suministre la tensión de disparo. . que generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo Disparo por corriente alterna alterna. Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos electrónicos alimentados por tensiones continuas cuya función sea la de control de una corriente a partir de una determinada señal de excitación. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie con la corriente de disparo encargado dela función de control. o bien directamente a partir de la propia tensión de la red con una resistencia limitadora de la corriente de puerta adecuada y algún elemento interruptor que entregue la excitación a la puerta en el momento preciso.

Esto se realiza por medio de la disminución de la tensión de la fuente. La Fig.Característica tensión corriente. cuando la tensión en el ánodo MT2 es negativa con respecto al ánodo MT1 y obtenemos la característica invertida. Muestra la corriente a través del Triac como una función de la tensión entre los ánodos MT2 y MT1. a través del Triac. Por esto es un componente simétrico en cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere. crece con un pequeño cambio en la tensión entre los ánodos. 4 describe la característica tensión corriente del Triac. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante. la compuerta no controla mas la conducción. El punto VBD (tensión de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente. por esta razón se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía sobrante en la compuerta. pues la característica en el cuadrante I de la curva es iguala la del III . El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Una vez que el Triac entra en conducción.

Después de transcurrido los 30 s. 5 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac (a través de los terminales principales) para dos condiciones diferentes.Formas de onda de los triacs. a excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. 5 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de disparo mayor. Con un arreglo adecuado del disparador. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se llama ángulo de conducción. En la Fig. La parte del semiciclo durante la cual existe seta situación se llama ángulo de retardo de disparo. La Fig. sin aplicar ningún voltaje a la carga. Un triac no esta limitado a 180 de conducción por ciclo. durante este tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac. el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga. las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30de cada semiciclo. puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. 5 (a). . en lugar del control de media onda que se logra con un SCR. durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto. Por tanto no hay flujo de corriente a través del triac y la carga. esto lo realiza durante el resto del semiciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa. Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR. En la Fig.

. En la Fig. entre ellos se dividen la fuente de CD de 24 v que alimenta al circuito de disparo. Esta forma de onda es mostrada en la Fig. Las formas de onda del capacitor (Vc1). encendiéndolo durante el resto del semiciclo. corriente del secundario de T2 (Isec) y voltaje de carga (VLD). por lo que le lleva mayor tiempo acumular el Vp del UJT. Cuando la alimentación de 24 v se establece. 7 (b). el cual se dispara y crea un pulso de corriente en el devanado primario del transformador T2. por lo tanto C1 se carga con rapidez. 7 (a).Circuito práctico para disparo. Si RF es pequeño en relación a R1. 6 se muestra un circuito práctico de disparo de un triac utilizando un UJT. se muestran en la Fig. (d). con una circulación grande de corriente por el colector pues el voltaje de R1 es aplicado al circuito de base. y el pulso del secundario es entregado a la compuerta del triac. Bajo estas condiciones el UJT se dispara pronto y la corriente de carga promedio es alta. que forman un divisor de voltaje. Por lo tanto el UJT y el triac se disparan después en el semiciclo y la corriente de carga promedio es menor que antes. entonces el voltaje a través de R1 será menor que en el caso anterior. entonces R1 recibirá una gran parte de la fuente de 24 v. El transformador T1 es un transformador de aislamiento. C1 comienza a cargarse hasta la Vp del UJT. y su propósito es aislar eléctricamente el circuito secundario y el primario. Por otra parte se RF es grande en relación a R1. Este se acopla al devanado secundario. La razón de carga de C1 es determinada por la razón de RF a R1. esto provoca la aparición de un voltaje menor a través del circuito base-emisor de Q1 con la cual disminuye su corriente de colector y por consiguiente la razón de carga de C1 se reduce. El resistor RF es un resistor variable que se modifica a medida que las condiciones de carga cambian. (c). La onda senoidal de ca del secundario de T1 es aplicada a un rectificador en puente y la salida de este a una combinación de resistor y diodo zener que suministran una forma de onda de 24 v sincronizada con la línea de ca. esto origina que el transistor PNP Q1 conduzca. para este caso aísla el circuito de potencia CA del circuito de disparo.

APLICACIONES La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hacen ideal para una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes alternas. . con lo que se evitan los arcos y sobre tensiones derivadas de la conmutación de cargas inductivas que almacenan una determinada energía durante su funcionamiento. siendo la principal la que se obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio ciclo cuando la corriente pasa por cero. Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales. que requieren siempre el movimiento de un contacto.

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