INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO

“SANTIAGO MARIÑO”

ASIGNATURA: INTRODUCCION A LA INGENERIA ELECTRONICA

TERCER CORTE 2022-1

ACTIVIDAD No 02

Transistores y Tecnología Electrónica

Alumno: Guillermo Orjuela

Cedula: 28.031.785
Escuela:44
Sede: Puerto Ordaz

Introducción
El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En
este tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y
se estudian los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los
circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una condición previa a muchas
aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua
que van a circular por el dispositivo.
Transistores

Formación del transistor dipolar:

El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un

dispositivo electrónico que consistente en dos uniones PN que permite controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. Se les denomina bipolares ya que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; aunque tiene
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los más conocidos y su aplicación más usada está en la
electrónica analógica, en electrónica digital (aunque en menos medida) también son
utilizados en ciertas aplicaciones, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector: de extensión mucho mayor.
Tenemos dos tipos de transistores bipolares PNP o NPN, las iniciales NPN indican por este
orden la polaridad del Emisor, Base y Colector.

Funcionamiento:
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa.6 Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar al colector. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que
existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la
unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana
al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P,
los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusión de los electrones.

Características:
Un Transistor de unión bipolar está compuesto por la unión de 2 materiales
semiconductores tipo n y tipo p en 3 capas de nominadas:

Capa del Emisor

Capa de Base
Y Capa de Colector

Al igual que otros semiconductores como el diodo o los LED, en los transistores los
materiales semiconductores son dopados con la intención de mejorar sus propiedades y
llevarlos al estado para lo cual serán utilizados en la práctica, así que veamos que son los
materiales semiconductores tipo n y tipo p:

Materiales tipo n: la creación de este tipo de material se lleva acabo agregando impurezas
pentavalentes en materiales como el Silicio, con la intención de que existan más portadores
libres en la estructura del material, esto da como resultado que dentro de los enlaces
covalentes exista un electrón libre fijado frágilmente, con esto se gana que a temperatura
ambiente se tenga un gran número de portadores en el nivel de conducción incrementando
la conductividad del material.
Materiales tipo p, son aquellos materiales semiconductores dopados con impurezas que
únicamente tienen tres electrones de valencia como el boro, galio e indio. A este tipo de
dopaje le hace falta un electrón en la estructura a lo que se denomina “hueco” y fácilmente
acepta un electrón libre cuando el material es excitado con una diferencia de potencial y
aumenta la energía cinética en la estructura.
Ahora, cada capa tiene un nivel de dopaje diferente con lo que se le da ciertas
características a los transistores al momento que la corriente pasa a través de la estructura,
por ejemplo:

La capa del emisor es la más dopada

La capa del colector es medianamente dopada
La capa de la base es ligeramente dopada
Como podemos observar las capas externas tienen un mayor grosor que la capa que está en
medio, ya sea: tipo n o tipo p. Según el libro Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, la relación en las dimensiones es:

Entre el grosor total y el de la capa central es de 0.150/0.001 = 150:1 (150 a 1)

El dopado de la capa emparedada o central es considerablemente menor que las externas
comúnmente 10:1 (diez a uno), en esta capa se incrementa la resistividad y disminuye la
conductividad debido a su nivel bajo de dopaje.

El semiconductor como resistencia:

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente,
pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las
cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas
por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los
semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica
(Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones
o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los
diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la
de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen
electrones ni huecos libres
La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos
observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva
neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los
electrones de conducción década uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos
vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la
cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta
como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con
otros átomos vecinos para así formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la
naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto,
el cristal tendrá tan poca energía que no hará posible la conducción eléctrica. Al aumentar
la temperatura (a temperatura ambiente, por ejemplo) ciertos electrones adquieren
suficiente energía para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital.
Esto provoca la formación de un espacio vacío, que, por carencia de electrones, posee carga
positiva, a este espacio se lo denomina hueco.

Transistor de efecto campo:

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una
familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o
canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es
una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal
aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y
diseño de circuitos.

Tiristores:
El tiristor es un semiconductor de potencia que se utiliza como interruptor, ya sea para
conducir o interrumpir la corriente eléctrica, a este componente se le conoce como de
potencia por que se utilizan para manejar grandes cantidades de corriente y voltaje, a
comparación de los otros semiconductores que manejan cantidades relativamente bajas.

Cuando se habla de tiristores comúnmente se cataloga al tiristor como un SRC (silicon

controlled rectifier), pero esto no es del todo correcto ya que este tipo es el más popular y
conocido, pero no es el único que existe.
Los tiristores están conformados por 3 terminales un ánodo, un cátodo y una compuerta o
mejor conocida «gate», su funcionamiento se asemeja al de un relevador o un interruptor
mecánico, Ya que cuando aplicas una corriente a la terminal gate este se activa y obtiene la
característica de dejar pasar a la electricidad.
Tipos de tiristor
Transistor de Unión Única (UJT)
El transistor de unión única o sus siglas UJT del inglés significa (Uni Junction Transistor).
Es un componente electrónico de conmutación a base de semiconductores en sus 3
terminales. El transistor Unijunction es un dispositivo muy simple que consiste en una
lámina de silicio del tipo n; con un contacto en cada extremo (base 1 y base 2) y con un
contacto rectificador para el terminal del emisor; formando la única unión dentro del
dispositivo de ahí el nombre de única unión.

El transistor de unión única también se le conoce como un diodo de doble base. Pero con
características de conmutación únicas de UJT, que lo hacen muy diferente de los BJT y
FET convencionales; el cual actúa como transistor de conmutación en lugar de amplificar
las señales debido a la forma en que está construido. Presenta una resistencia negativa en
sus características que lo emplea como osciladores de relajación en una variedad de
aplicaciones. La principal desventaja del transistor de unión única es su incapacidad para
proporcionar una amplificación adecuada.
De control de fase o comunicación rápida (SCR)
Este tipo es el más común y más utilizado, debido a que son capaces de conmutar
rápidamente. Una de las características principales de este tiristor es que solo es capaz de
conducir electricidad hacia una sola dirección (como un diodo cuando se polariza
directamente), una vez activado este componente no importa si quitas la corriente de la
puerta ya que este seguirá activo hasta que se cumpla una de dos condiciones posibles. Para
desactivarlo tenemos que cortar el suministro de corriente o llevarla hasta un punto muy
bajo que el tiristor sea incapaz de seguir conduciendo.

Bidireccionales controlados por fase (BCT)

Este tipo corresponde a dos tiristores en un mismo encapsulado, aun que están juntos no
interfieren entre si cada uno tiene sus terminales puerta para ser activados.

Triodo bidireccional (TRIAC)

Se usa para la corriente alterna ya que contiene dos tiristores juntos en un mismo
encapsulados, en esta ocasión solo cuentan con una terminal puerta y esta es capaz de
activar a los dos componentes al mismo tiempo.
Controlados por MOSFET (MCT)
Solo es una mejora del tiristor convencional utilizando Mosfet, solo que para encender se
utiliza voltaje negativo y para apagar voltaje positivo.
Fototiristor (LASCR)
Este como su nombre lo indica es un tiristor el cual se activa mediante la luz.

Tecnología electrónica
Técnicas de fabricación:
Contacto: Se compone de un Semiconductor tipo N oblea, su un lado está soldado a una
base metálica y el otro lado tiene un resorte de tungsteno o bronce fosforoso que se llama
alambre de bigote de gato que se presiona con fuerza contra él. Todo el conjunto está
encerrado en un sobre de vidrio o cerámica. Esto se hace para asegurar la resistencia
mecánica.
Difusión: Esta técnica se utiliza para la creación de transistores planares. La palabra planar
implica que la fabricación de transistores se hace en un plano de oblea casi plano. Aquí; en
un horno que incluye impurezas de forma gaseosa de tipo P, la oblea de tipo N se calienta a
alta temperatura. Como resultado, las impurezas (tipo P) se difunden gradualmente en la
superficie de la oblea (tipo N). Así se crea la región de tipo P que es la base del transistor.
Este sistema es entonces encerrado por una máscara con agujeros (aperturas) y se calienta
una vez más con las impurezas gaseosas de tipo N.
Planar: En la fabricación de transistores, la técnica planar (su nombre se debe a que todas
las operaciones tienen lugar sobre el mismo plano del cristal que sirve de soporte), se basa
en la utilización de una plaquita de silicio, tipo P o N, que constituirá el colector. El proceso
será tal y como sigue:
- Por uno de los lados de la plaquita se deposita una capa de óxido de silicio, practicándose
mediante técnicas fotoquímicas una abertura o ventana.
- A través de la abertura practicada, se difunde el material donador o aceptor, formándose la
base del transistor.
- A continuación, se procede a una nueva deposición de óxido de silicio, sobre la cual,
mediante la misma técnica (técnica fotoquímica), se practica una ventana menor que la
anterior, en la cual se difundirá el emisor.
- Una vez completadas las operaciones de difusión (de base y emisor), la ventana practicada
se recubre con una nueva capa de óxido de silicio, sobre la que se practicarán nuevas
ventanas para la colocación de los contactos de emisor y de base. E! colector se conecta a la
parte inferior del cristal.
- Por último, todo el conjunto se vuelve a recubrir con una capa de óxido de silicio, que
protege al dispositivo contra los agentes externos.
Los transistores fabricados con esta técnica presentan unas corrientes inversas muy
pequeñas, frecuencias de transición máximas de unos 100 MHz (recuérdese que la
frecuencia de transición viene definida por el producto del ancho de banda por la
amplificación), tensiones de unos 100 V, y una corriente máxima de unos 10 A. Estos
transistores se pueden obtener en versión PNP o NPN. Por último, cabe decir que ésta es la
técnica más empleada en la fabricación de circuitos integrados.

Crecimiento epitaxial: El crecimiento epitaxial o epitaxia es uno de los procesos en la

fabricación de circuitos integrados.

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor se hace crecer un substrato con
la misma estructura cristalina; el sustrato debe poseer dos condiciones esenciales. La
primera es que debe tener sitio de nucleación donde los átomos a depositar pierdan su
energía y lleguen a formar parte de la estructura cristalina del sólido. La segunda es que el
sustrato debe poseer una temperatura tal que, una vez alcanzada la superficie por los
átomos que contribuirán al crecimiento, estos puedan moverse fácilmente hasta situarse en
un lugar de la red cristalina.

Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el
semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el
semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base
para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. La capa crecida se extiende
sobre toda la superficie del sustrato no de forma localizada como en la difusión.
Fabricación de circuitos integrados
La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean circuitos
integrados,1 presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos. Es un proceso
complejo y en el que intervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado químico,
durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea hecha de materiales puramente
semiconductores. Para ello se emplea mayoritariamente el silicio, aunque también se usan
semiconductores compuestos para aplicaciones específicas, como el arseniuro de galio.

Los dispositivos integrados pueden ser tanto analógicos como digitales.

Los pasos de fabricación básica se pueden realizar muchas veces, en diferentes

combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de
fabricación completo.

Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza,
donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro
y puede ser de 1 m a 2 m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares
de 400 μm a 600 μm de espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa la pieza
hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y
mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación
de los planos cristalinos, concentración e impurezas existentes. Para aumentar la
resistividad eléctrica del semiconductor, se necesita alterar las propiedades eléctricas del
silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n
excesivamente impurificado (baja resistividad) sería designada como material n+, mientras
que una región levemente impurificada se designaría n-.
Oxidación
Se refiere al proceso químico de reacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de
Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultra limpios especiales
de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de
alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”). La
Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce
mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puede utilizar para
fabricar excelentes condensadores. El Dióxido de Silicio es una película delgada,
transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea
oxidada la interferencia constructiva y destructiva hará que ciertos colores se reflejen y con
base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de Óxido.

Difusión
Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a
una de baja a través del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusión es
un método mediante el cual se introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar
su resistividad; por lo tanto, para acelerar el proceso de difusión de impurezas se realiza a
altas temperaturas (1000 a 1200 °C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las
impurezas más comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fósforo
(tipo n) y el Arsénico (tipo n). Si la concentración de la impureza es excesivamente fuerte,
la capa difundida también puede utilizarse como conductor.

Implantación de iones
Es otro método que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristal
semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los
acelera mediante un campo eléctrico y les permite chocar contra la superficie del
semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al variar la
corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control
preciso del perfil del dopaje es esencial para la operación del dispositivo.

Deposición por medio de vapor químico

Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar químicamente, lo cual
conduce a la formación de sólidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de óxido que
se deposita por medio de vapor químico no son tan buenas como las de un óxido
térmicamente formado, pero es suficiente para que actúe como aislante térmico. La ventaja
de una capa depositada por vapor químico es que el óxido se deposita con rapidez y a una
baja temperatura (menos de 500 °C).
Metalización
Su propósito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.)
para formar el circuito integrado que se desea, implica la deposición inicial de un metal
sobre la superficie del Silicio. El espesor de la película del metal puede ser controlado por
la duración de la deposición electrónica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.

Fotolitografía
Esta técnica es utilizada para definir la geometría de la superficie de los diversos
componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografía, primeramente, se debe
recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia foto endurecible que utiliza
una técnica llamada “de giro”; después de esto se utilizará una placa fotográfica con
patrones dibujados para exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminación
ultravioleta. Las áreas opuestas se ablandarán y podrán ser removidas con un químico, y de
esta manera, producir con precisión geometrías de superficies muy finas. La capa
fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque
químico en húmedo o contra el ataque químico de iones reactivos. Este requerimiento
impone restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el equipo de fotolitografía.

Encapsulado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados, cada
chip puede contener de 10 o más transistores en un área rectangular, típicamente entre 1
mm y 10 mm por lado. Después de haber probado los circuitos eléctricamente se separan
unos de otros (rebanándolos) y los buenos (“pastillas”) se montan en cápsulas (“soportes”).

Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrón
de metalización en la pastilla; por último, se sella el paquete con plástico o resina epóxica
al vacío o en una atmósfera inerte.

Resistencias
Las resistencias o resistores son componentes que ofrecen cierta oposición al paso o
circulación de la corriente eléctrica. Una resistencia tiene dos características importantes
que definen sus condiciones de trabajo y utilización:
El valor y tolerancia, es decir, la magnitud óhmica de la resistencia y los límites o
desviaciones establecidos por el fabricante para asegurar su precisión.
La potencia que es capaz de disipar la resistencia.
Resistencias fijas: Las resistencias fijas son aquellas que tienen siempre el mismo valor y
tienen dos terminales. Para conocer el valor óhmico de una resistencia se marcan sobre ella
unas franjas de colores normalizadas, que se identifican mediante el código de colores
adjunto en la tabla 1.

Aplicaciones: Producir una caída de tensión o diferencia de potencial entre sus terminales.
Limitar la corriente para proteger otros componentes, por ejemplo una lámpara.

Resistencias variables: Las resistencias variables son las que tienen la capacidad de variar o
modificar su valor óhmico dentro de unos límites.

Los potenciómetros o resistencias variables lineales, se basan en una resistencia sobre la

que se desliza un contacto móvil que, según la posición que ocupa, puede tomar valores
entre 0 y R Ω. Normalmente dispone de tres terminales. El terminal central es el cursor, y
los extremos se alternan de forma que si uno presenta un valor máximo, el otro será mínimo
con respecto al terminal central. Se emplean en operaciones de ajuste o de control de un
parámetro: al variar la resistencia, varía la intensidad que circula, pudiendo variar la
temperatura, la iluminación, etc.

Resistencias dependientes: Son operadores fabricados con materiales con capacidad para
variar su resistencia eléctrica en función del factor del que dependan. Los tipos más
utilizados son:

Resistencias dependientes de la luz (LDR): Las LDR (Light Dependent Resistor) varían su
resistencia según la cantidad de luz que incide sobre ellas, es decir, aumenta en la oscuridad
(algunas de ellas pueden alcanzar valores superiores a los 50 KΩ) y disminuye cuando se la
ilumina hasta alcanzar valores muy bajos (del orden de 100 Ω).
Resistencias dependientes de la temperatura (NTC y PTC):.
Termistores NTC (coeficiente negativo de temperatura), en las que la resistencia disminuye
al aumentar la temperatura.
Termistores PTC (coeficiente positivo de temperatura), que aumenta su resistencia al subir
su temperatura.
Condensadores
Un condensador es un componente constituido por dos placas conductoras entre las que se
intercala un aislante, cuya función es almacenar una cantidad de energía en forma de carga
eléctrica.
El modelo más representativo es el condensador plano que consta de dos láminas metálicas
llamadas armaduras, colocadas paralelamente y separadas por un dieléctrico.
Se define la capacidad de un condensador como el cociente entre la carga de una de las
armaduras y la tensión o diferencia de potencial que existe entre las mismas, es decir:

La unidad de capacidad es el faradio, de símbolo F, que se define como la capacidad de un

condensador eléctrico, entre cuyas armaduras aparece una diferencia de potencial de 1
voltio cuando se carga con una cantidad de electricidad de 1 culombio.
El faradio es una unidad enormemente grande por lo que en la práctica se utilizan el
milifaradio (mF), microfaradio (µF), el nanofaradio (nF) y el picofaradio (pF).
Para el caso del condensador plano, si d es la separación entre las placas, S su área y ε la
constante dieléctrica del medio, se deduce:

También se puede definir el condensador como un componente en el que la relación entre

la tensión aplicada a sus armaduras y la intensidad que circula está dada por la expresión:

De aquí se deduce que por un condensador solamente circula corriente cuando varía la
tensión aplicada, por ejemplo, si esa tensión es alterna. Si la tensión aplicada es continua,
una vez alcanzado el régimen permanente la intensidad es nula, lo cual tiene sentido porque
entre las placas del condensador el circuito está abierto.
En corriente alterna, los condensadores presentan un comportamiento selectivo con la
frecuencia, de manera que el obstáculo que ofrecen al paso de la corriente alterna es
inversamente proporcional a la frecuencia de la corriente. El valor de este obstáculo
llamado reactancia capacitiva es:

La energía almacenada en un condensador es:

Tipos de condensadores
Fijos: Por regla general, esta clase de condensadores se clasifican, a su vez, por el
dieléctrico utilizado: papel, plástico, cerámica, electrolítico.
De todos ellos debemos prestar especial atención a los condensadores electrolíticos; estos
son condensadores que tienen una capacidad, por unidad de volumen, muy superior a los
tipos anteriores. Esto se logra aumentando artificialmente la superficie de una lámina de
aluminio y disminuyendo el espesor del dieléctrico.
Este tipo de condensadores tiene polaridad, es decir, no pueden invertirse las conexiones
indicadas en el elemento, ni puede aplicarse corriente alterna.
Para fabricar condensadores electrolíticos se emplea el tantalio, además del aluminio.
Los condensadores fijos se pueden marcar utilizando el mismo código de colores que las
resistencias, aunque la mayoría de los fabricantes prefieren indicar sobre la superficie del
condensador el valor de su capacidad y la máxima tensión de trabajo. En caso de que no se
especifiquen las unidades, el valor de la capacidad está referido a picofaradios (pF).
Variables: Esta clase de condensadores se suele clasificar según su utilización y no según el
dieléctrico usado. Son unos condensadores de placas rígidas con dieléctrico de aire. Merced
a un mecanismo, se logra que unas se muevan respecto a las otras, variando la superficie
del condensador y, por tanto, su capacidad.
Bobinas
La inductancia o bobina es un componente caracterizado por su coeficiente de
autoinducción (L) que es un parámetro indicador de la cantidad de energía que la bobina
almacena en el campo magnético.
Las bobinas son componentes que, al igual que los condensadores, presentan 3
características principales:

Almacenan energía: el valor de la energía almacenada en el campo magnético es

proporcional al coeficiente de autoinducción y al cuadrado de la intensidad que circula.
En electromagnetismo se deduce que si la intensidad que circula por la bobina es variable,
en sus extremos se induce una f.e.m. (caída de tensión, porque se opone a las causas que la
originan, según la ley de Lenz) de valor:
En corriente alterna, las bobinas presentan un comportamiento selectivo con la frecuencia,
de manera que el obstáculo que ofrecen al paso de la corriente alterna es directamente
proporcional a la frecuencia de la corriente. El valor de este obstáculo llamado reactancia
inductiva es:
De estas características se deduce que las bobinas tienen las mismas aplicaciones que los
condensadores. Se diferencian en que si en el condensador la reactancia es inversamente
proporcional a la frecuencia de la señal [XC=1/(2πfC)], en las bobinas lo es directamente
[XL=2πfL]; si el condensador almacena energía en el campo eléctrico, la bobina lo hace en
el campo magnético. Por eso, se dice que bobinas y condensadores son componentes
duales.
El funcionamiento en la práctica de estos componentes hace que las bobinas sean más
indicadas para trabajar en Electricidad (relés, transformadores, etc.), mientras que en las
aplicaciones electrónicas son más eficientes los condensadores.

Técnicas de fabricación de circuitos impresos

Las técnicas para realizar circuitos impresos que se encuentran al alcance, son pocas por el
costo del equipo y materiales, que se requieren para implementar un proceso sofisticado de
los mismos, algunas técnicas permiten obtener impresos de muy buena calidad a bajo costo,
por ejemplo, la técnica tradicional de serigrafía.

Técnicas tradicionales

1. Circuitos impresos elaborados con tinta indeleble.

2. Circuitos impresos elaborados con logotipo.

3. Circuitos impresos elaborados con la técnica de serigrafía.

4. Circuitos impresos elaborados con la técnica fotográfica.

Materiales para tarjeta de impresion

Existen dos tipos de materiales útiles que se utilizan como tarjetas de

impresión o trazado de circuitos impresos, los más comunes de encontrar en
el mercado son la fibra fenólica (baquelita) y la fibra de vidrio. Estos materiales cuentan
con una y/o dos caras cubiertas de una capa delgada de cobre sobre la cuál se traza el
circuito impreso. Ofrecen características físicas adecuadas para el proceso de manufactura
de los circuitos impresos, como la capacidad para soportar el calor, la rigidez que ofrecen
para llevar a cabo el montaje de los componentes y la facilidad de corte para obtener
tarjetas de variadas dimensiones.

Descripción de las técnicas de confección de circuitos impresos

Con tinta indeleble

Esta manera de producir tarjetas de circuito impreso, es la más económica que existe, ya
que solo se necesita una pluma de tinta indeleble, la baquelita donde se plasma el diseño y
el agente que se encarga de corroer la superficie de cobre no deseada. Este agente es el
conocido cloruro férrico.
La manera de producir estas tarjetas se realiza mediante el dibujo manual de las pistas del
circuito, razón por la cual resulta muy difícil llegar a obtener trabajos de mediana
complejidad, además de carecer de calidad de impresión, esta forma de obtener circuitos
impresos se recomienda se utilice por aprendices o aficionados a la electrónica, de esta
forma se realizan pequeños proyectos a muy bajo costo.

Elaborados con logotipo

La elaboración de circuitos impresos mediante logotipo es muy similar a la

que se menciona anteriormente, solo que difiere en la forma de impresión, en el
procedimiento anterior se dibuja a mano el diseño de circuito impreso sobre la baquelita
con la tinta indeleble.
Esta técnica consiste en colocar sobre la baquelita logotipos (calcomanías)que tienen
diversas figuras: pistas y terminales de componentes. Tienen la característica de que
inhiben sobre la superficie cubierta la acción corrosiva del cloruro férrico, de esta forma se
llegan a obtener circuitos impresos con mejor calidad que con el procedimiento anterior,
aunque no deja de ser una forma artesanal de producción. De la misma manera resulta muy
difícil llegar a obtener diseños de circuito impresos de mediano tamaño,
esta forma de producción es menos económica a la anterior por el costo del logotipo, está al
alcance de aprendices o aficionados a la electrónica.
Elaborados con la técnica de serigrafia
Esta técnica de producción de circuitos impresos tiene la ventaja de obtener trabajos de
buena calidad a un precio razonable, además permite la realización de varias copias del
mismo diseño una vez que se ha revelado en la seda, lo que nos lleva a una producción en
serie de tarjetas impresas. Aunque no deja de ser un proceso manual esta técnica es válida y
permite obtener trabajos con la suficiente calidad y presentación necesarias para la
realización de prototipos electrónicos y/o aplicaciones especificas de la
Industria.

Con el proceso fotográfico

El método fotográfico para la elaboración de circuitos impresos se lleva a

cabo a partir de un fotolito negativo, ya sea de un dibujo manual en papel o de un diseño
por computadora impreso.

Proceso de corrosión del cobre en las tarjetas impresas

1. Se limpia la tarjeta con agua para quitarle la grasa y demás impurezas.

2. Se procede a dibujar el circuito en la placa.

3. Se introduce en un baño de Cloruro Férrico. El cloruro férrico ataca al cobre que no está
cubierto. El proceso es más rápido si la mezcla se calienta a unos 25 grados centígrados.
4. Finalmente se aclara en agua para eliminar los restos de dibujo y ácido.

En caso de existir pistas muy cercanas, se revisa con la ayuda de una lupa para asegurarse
que no hay contacto
 Conclusión

Los componentes electrónicos han venido evolucionando a través del tiempo que cada día,
más pequeños y complejos son los circuitos eléctricos, esto se debe a que los componentes
son elaborados con la finalidad de realizar diversas tareas dentro del circuito en el caso de
los circuitos integrados su desarrollo ha revolucionado los campos de las comunicaciones,
la gestión de la información y la informática. Los circuitos integrados han permitido reducir
el tamaño de los dispositivos con el consiguiente descenso de los costes de fabricación y de
mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen mayor velocidad y fiabilidad.
Los relojes digitales, las computadoras portátiles y los juegos electrónicos son sistemas
basados en microprocesadores. Otro avance importante es la digitalización de las señales de
sonido, proceso en el cual la frecuencia y la amplitud de una señal de sonido se codifica
digitalmente mediante técnicas de muestreo adecuadas, es decir, técnicas para medir la
amplitud de la señal a intervalos muy cortos. La música grabada de forma digital, como la
de los discos compactos, se caracteriza por una fidelidad que no era posible alcanzar con
los métodos de grabación directa. De igual manera pasa con los transistores, ha
reemplazado casi completamente al tubo de vacío en la mayoría de sus aplicaciones. Al
incorporar un conjunto de materiales semiconductores y contactos eléctricos, el transistor
permite las mismas funciones que el tubo de vacío, pero con un coste, peso y potencia más
bajos, y una mayor fiabilidad.