UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA-
ELECTRICA Y MECATRONICA

CIRCUITOS ELECTRONICOS
PRÁCTICA

Práctica Nº04:
DISEÑO DE LA POLARIZACION DE TRANSISTORES
BJT

Alumno:

HINOJOSA CONGONA, FERNANDO

CONZA CORIMANYA, JEANCARLO

Grupo N.º 07

Docente: ING. DIEGO ALONZO MEDINA CALLE

30 de mayo de 2019
 UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y
FORMALES

PRACTICA 04: DISEÑO DE LA POLARIZACION DE

TRANSISTORES BJT

I INFORME PREVIO

I.1. Desarrolle un breve resumen de los Circuitos de Polarización más usuales:

Polarización Fija, Polarización Estabilizada de Emisor, Polarización con
Retroalimentación de Colector (Con RE y sin RE) y Polarización por Divisor de
Tensión. Similitudes y Diferencias. Aplicaciones.
I.2. Determine y/o estime el β del transistor a emplear en la práctica (BC548A o
equivalente) según el procedimiento de determinación de β de la guía de
Laboratorio N° 3 (procedimiento V.1).
I.3. Con el β determinado en el paso anterior, realice los cálculos de diseño de
polarización para las diferentes configuraciones, de acuerdo a los
requerimientos y valores solicitados. Aproxime los valores calculados para las
redes resistivas a valores comerciales de las mismas.
I.4. Con los valores de resistencias determinados según el paso anterior, haga la
simulación del procedimiento empleando Multisim 10. Consigne sus valores
en una tabla de valores simulados mostrando todas las variables eléctricas de
la configuración simulada.
I.5. De acuerdo al paso anterior, implemente los circuitos físicos y preséntelos
 listos para realizar las pruebas de laboratorio.
I.6. Traer la hoja de datos del transistor a emplear en la práctica de laboratorio.
II OBJETIVOS

II.1. Ensayar diversos diseños de topologías de polarización de transistores.

II.2. Comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados.
II.3. Comprobar el diseño de polarización midiendo el punto Q. II.4. Realizar
mediciones del punto de reposo Q.

III MARCO TEORICO

III.1. El Transistor Bipolar

III.1.1. Polarización de la unión Base-Emisor: También

llamada Configuración Colector Común. Esta
configuración se utiliza sobre todo para igualar
impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario
de las configuraciones en base común y en emisor común. Se caracteriza por no
ganar tensión, pero si corriente.

III.1.2. Polarización de la unión Base-Colector: También llamada Configuración

Emisor Común. Se llama así porque el
emisor es común o sirve de referencia
para las terminales de entrada y salida.
De nueva cuenta se requieren dos
conjuntos de características para
describir plenamente el comportamiento
de la configuración en emisor común:
uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o
de colector-emisor. Tiene una alta impedancia de entrada y de salida y a su vez,
gana tensión y corriente.

III.1.3. Polarización del transistor en directa:

También llamada Configuración Base Común. Esta
terminología de base común se deriva del hecho
de que la base es común tanto para la entrada
como para la salida de la configuración. Además,
la base por lo general es la más cercana a un
potencial de tierra. Toda la tensión de obtiene de una misma fuente de tensión.

III.1.4. Circuitos de
polarización del
transistor BJT:

Polarización Fija Polarización de Emisor

 Polarización de Realimentación
divisor de Voltaje de colector

Base común
Emisor Seguidor
IV MATERIAL Y EQUIPO

IV.1. Multímetro (2).

IV.2. Protoboard.
IV.3. Transistor BC548A (2) y/o equivalente.
IV.4. Resistencias fijas y variables de valores
diferentes (de acuerdo a los cálculos previos)
IV.5. Fuente de tensión continua 0-15 V.

V PROCEDIMIENTO

V.2. Polarización por emisor

V.2.1. El circuito a implementar es el siguiente:

Considere en su diseño el
criterio de que VE = 0.1VCC
V.2.2. Repita los pasos del 1 al 4 realizados con el primer circuito, a fin de calcular
los valores de las resistencias que polaricen el BJT según lo solicitado. Compare y
saque conclusiones.

. Se debe calcular los valores correspondientes a las distintas resistencias (R C, RB y

RE) y considerar el punto de trabajo con ICQ = 5.5 mA y VCEQ = 6 V. Además,
considerar que VCC = 12 V. El hFE (beta) debe ser considerado con el beta hallado en
el informe previo (190).

. Se deben de comparar los resultados teóricos de cada resistencia con los

resultados experimentales que se usaron al momento de realizar la toma de valores
en el circuito. En este caso, como el VCEQ es justo la mitad del VCC, el VCC vendría a
ser el VCEmax y por lo tanto se podría considerar que es un circuito en Máxima
Excursión.

Valores a calcular Valores Teóricos Valores Experimentales

RE 218,18 Ω 218 Ω
RB 224 kΩ 222 kΩ
RC 872,73 Ω 871 Ω
ICQ 5.5 mA 4.81 mA
VCEQ 6V 6.24 V
VCC 12 V 12 V

. Se puede observar que los valores de las resistencias tanto teórico como prácticos,
no coinciden por completo, esto debido a que no se calibraron perfectamente las
resistencias variables, argumentando que como eran valores algo exactos, la
sensibilidad para la calibración de las resistencias no era muy elevada. En base a
esto la diferencia que hubo entre los valores del I CQ y del VCEQ teóricos y prácticos no
era la más adecuada, pero si se puede afirmar que están muy aproximados.
. La tensión brindada por la fuente no cambia ni varia, ya que es constante y fácil de
calibrar a un valor exacto, en este caso a 12 V.
. Para la realización de estos circuitos de diseño, se utilizaron diversos criterios:
- IE = IC = ICQ
- VE = VCC*0.1
- RB = 0.1*RE*β
V.3. Polarización por Divisor de Tensión

V.3.1. El circuito a implementar es el siguiente:

V.3.2. Se debe calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se tenga:
. ICQ = 1 mA, VCEQ = 5V, VREQ = 0.1*VCC (Utilice RE = 1 kΩ), VCC = 10 V.
. Para el cálculo de R1 y R2 emplee una Idiv >= 10*Ibase.
. Aproxime sus resultados con resistencias de valores comerciales en combinaciones
serie y/o paralelo si es necesario. Esto le permitirá obtener más fácilmente el punto
de polarización deseado.

V.3.3. Repita los pasos seguidos en los circuitos anteriores. Compare y saque
conclusiones.

Valores a Calcular Valores Teóricos Valores Experimentales

R1 105.55 kΩ 105.60 kΩ
R2 23.17 kΩ 23.10 kΩ
RC 4 kΩ 4.01 kΩ
RE 1 kΩ 1 kΩ
ICQ 1 mA 0.92 mA
VCEQ 5V 4.31 V
VCC 10 V 10 V

. Este circuito es un divisor de tensión, por lo tanto, se

modificó su estructura para poder resolver y calcular
sus variables de manera más rápida y fácil, y
posteriormente con las variables encontradas (RB y VBB)
encontrar las variables reales mostradas en el circuito.
. En este caso, la diferencia existente entre los valores tanto teórico como
experimentales del ICQ y del VCEQ se deben a lo mismo que paso en la parte 2, una
calibración no tan exacta de las resistencias variables pero muy cercanas a los
valores teóricos, es por ello que no varía mucho dichos valores del I CQ y del VCEQ.
. Luego de encontrar los valores de R B y VBB, se procedía a realizar
experimentalmente el circuito original calculando la R 1 y R2 a partir de los datos
encontrados en el circuito derivado. Se utilizaron los mismos criterios de diseño
planteados en la parte 2.
. En este caso igual que en el anterior, el V CC se considera como el VCEmax que es igual
a 10 V, mencionando que el VCEQ es 5 v, por ende, también se le considera como
circuito en Máxima Excursión.
. Derivado
de lo
anterior,
se puede
 considerar como el ICmax al doble del ICQ (1 mA), ya que esta en máxima excursión,
por ende, el ICmax es 2 mA.

VI CUESTIONARIO FINAL

VI.1. Dibuje las rectas de carga para cada una de

los diseños del procedimiento y
determine la zona de operación del
transistor fijando el rango de variación de las
variables de salida. ¿Qué variable y con qué
valor determina la saturación del transistor?
¿y el corte del transistor?
VI.2. ¿Por qué las condiciones
de corte y saturación
determinan la
recta de carga para un
circuito concreto?
. Porque así se determina la
dirección y la linealidad de la
recta de carga, por ejemplo, en la región de corte la intensidad de corriente en C (ICQ) es
cero y en la región de saturación, el voltaje colector-emisor (VCEQ) es cero, por ello es
tan importante determinar esos valores y después poder ubicarlos en la gráfica.
VI.3. ¿Por qué es inestable la polarización fija?
. La corriente de colector IC es igual a la IB*hFE (ganancia), hFE depende de la temperatura
y crece con ella, y como la circulación de corriente calienta el transistor se produce un
efecto acumulativo (se embala), que puede llegar a destruir el transistor. Para que el
punto de trabajo de un transistor se mantenga estable, hay que proveer algún dispositivo
para que, a medida que suba la temperatura y por lo tanto el h FE y la corriente de
colector, disminuya la IB. Una de las formas de hacerlo es disponiendo una resistencia en
emisor,
VI.4. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización fija y
de auto polarización, ante un posible incremento de β.
. Los circuitos de auto polarización son más efectivos que los de polarización fija, pero
sigue siendo sensible a β, y tiene una mejor respuesta en frecuencia. El circuito de
polarización fija es el más sencillo, pero también el más inestable con las variaciones de
temperatura.
VI.5. Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización por
divisor de tensión ante un posible incremento de β.
. En conclusión, el divisor de tensión es la mejor forma de polarizar un circuito ya que en
donde hay menos cambios y la corriente y la tensión se tratan de compensar o se
mantienen, ya que, en los demás tipos de polarizaciones, como dependen mucho de β, su
corriente y tensión varían drásticamente y esto hace que nuestro punto Q se mueva.
VI.6. ¿Por qué es importante el tipo de polarización usada en un transistor?
. La importancia, principalmente, es la de tratar de conseguir que las tensiones DC
utilizadas en el propio transistor, las podamos regular a los valores que tengamos
determinados de antemano, en función de la utilización y del trabajo que queramos dar a
ese transistor (en referencia a transistores BJT).
VI.7. ¿Cómo elegiría un modo de polarización al implementar un amplificador sobre la
base de transistores bipolares?
. El transistor de unión bipolar presenta una considerable ganancia de corriente, por lo
cual, se puede utilizar para amplificar señales, es decir, se puede usar polarizaciones en la
que β no afecte tanto al circuito. Por lo general este modelo de transistores bipolares son
adecuados para el diseño y análisis de muchos circuitos.

VII CONCLUSIONES
 - Resulto un poco complicado calibrar de manera exacta los valores de las
resistencias variables, ya que los valores teóricos apuntaban resistencias con
decimales.
- Para diversos circuitos, en este caso en específico, para el circuito de divisor de
tensión, fue necesario implementar un circuito alterno más fácil de resolver, y
posteriormente, a partir de los datos obtenidos calcular los datos reales del
circuito original, así también, se utilizaron todos los criterios de diseño que hay,
sin excepción.
- Lo correcto hubiera sido utilizar los criterios necesarios y los menos posibles,
pero la finalidad de la práctica y de los circuitos era calcular los valores del I CQ y
del VCEQ experimentalmente y compararlos con los teóricos y dar una conclusión
lógica sobre la diferencia que podría haber entre estos dos valores.
- Siempre se debe de considerar la revisión exacta de los terminales del transistor
(base, colector y emisor) para la correcta realización del experimento, esto
puede verificarse en un datasheet.
- Dependiendo de la situación, se usaron resistencias únicas y resistencias
variables, esto debido a que los valores de las resistencias encontradas
teóricamente eran muy exactos en sus valores y tenían decimales, estas debían
ser bien calibradas para la correcta realización del circuito.

VIII BIBLIOGRAFIA

[1] https://www.monografias.com/trabajos7/biun/biun.shtml
[2] https://issuu.com/franciscocorella/docs/polarizaci__n_por_divisor_de_tensi_
[3] https://issuu.com/franciscocorella/docs/reporte_emisor_polarizacion_-_corel
[4] ROBERT L. BOYLESTAD Y LOUIS NASHELSKY, ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, 10ma EDICION, NAUCALPAN DE JUAREZ, ESTADO DE
MEXICO, 2009 – PEARSON.