UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA

ELECTRICA Y MECATRÓNICA

TEMA:

“POLARIZACION DE AMPLIFICADORES BJT (PRACTICA)”

CURSO:

CIRCUITOS ELECTRONICOS I

PRESENTADO POR:

QUIROZ ALI, BRYAN

RAMOS CHOQUE ALEXIS

CASTRO GARCIA LUIS

GUTIERREZ MACHACA RICHARD

GRUPO:

“01”

AREQUIPA – PERU

2016
 INFORME:
DISEÑO DE POLARIZACIÓN Y ANÁLISIS DE AMPLIFICACIÓN DE
TRANSISTORES BJT

I. OBJETIVO:

 Comprobar las principales características de este tipo de configuración.

 Comprobar el diseño de polarización midiendo el punto Q.
 Analizar el comportamiento de un amplificador de audio en configuración emisor
común.
 Comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados.

II. MARCO TEORICO:

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero
tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de
electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

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  Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores,
y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado
de corte, estado de saturación y estado de actividad.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la

unión base-colector en inversa.6 Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la
base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en
directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN,
por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico
repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones
"vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor
hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con
material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

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 La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que
los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la
vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje
de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El
espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Transistores NPN y PNP respectivamente, donde se muestra el sentido de la

corriente (entrada o salida del transistor)

El amplificador que estudiaremos en esta práctica es el de una etapa en emisor

común que podemos ver en la figura siguiente. Los condensadores en régimen de
continua equivalen a circuitos abiertos. De modo que Ci y Co desacoplan el
amplificador de la entrada y de la salida en continua (desconectan al amplificador
de la entrada Vi y lo aíslan de lo
que esté conectado al nudo de salida). En régimen dinámico (también llamado
régimen de señal o régimen alterno) supondremos que los condensadores
equivalen a cortocircuitos. Ce es útil en este régimen de operación: elimina la
resistencia de emisor en pequeña señal (un corto circuito en paralelo con una
cierta resistencia equivale a un cortocircuito), con lo que aumenta enormemente la
ganancia. RE, sin embargo es necesaria en continua porque
estabiliza el punto de operación Q del circuito.

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 La corriente de carga iL, en el circuito tiene una componente de C.C. así como una
señal de C.A. Como se ha supuesto funcionamiento lineal, las componentes de
corriente alterna y continua pueden tratarse separadamente. Así, las fuentes de
tensión y el condensador pueden remplazarse por cortocircuitos, obteniéndose el
circuito equivalente para C.A.
Al amplificador anterior se le denomina emisor común debido a que la terminal de
emisor para condiciones de C.A., es común a la entrada y la salida del amplificador.
Los capacitores Ci y Co se conocen como capacitores de acoplamiento y tienen la
función de permitir el paso de una señal de C.A. de un punto a otro sin presentar
oposición a su paso.
La existencia de los mismos nos permite bloquear la C.C. y así mantener las
condiciones de polarización.
El capacitor CE se le conoce como capacitor de desacoplo y su función es convertir
un punto (que no está a tierra) en tierra de C.A. El buen funcionamiento del
amplificador dependerá del buen cálculo de los capacitores, pues estos deben
funcionar lo más posible como cortos circuitos a la frecuencia de la señal.

III. ELEMENTOS A UTILIZAR:

 Protoboard
 Resistencias fijas y variables de valores diferentes (de acuerdo a los cálculos
previos, se recomienda traer las
 resistencias y potenciómetros de laboratorios anteriores)
 Resistencias 1/2W 22KΩ, 82KΩ, 820Ω, 180Ω, 2.7KΩ
 Potenciómetro lineal 500KΩ
 Condensador Electrolítico (2) 22μF, 100μF
 Transistor (2) BC548A (o equivalente)
 2N3904 (o equivalente)
 Switch (2)
 Amperímetro
 Voltímetro
 Fuente
 Generador de señales
 Osciloscopio

IV. PROCEDIMIENTO:

PARTE 1:

Auto polarización

1. Determine la polarización del transistor de la Figura, para un punto de trabajo

ICQ = 5.5 mA y VCEQ = 6 V.

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 Considere Vcc=12v. Determine el valor de hfe = β (por medición, hoja
técnica o cálculo). Calcule RC, RB

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 2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales o utilice
potenciómetros y recalcule el punto de trabajo con estos valores. Luego mida
experimentalmente los valores del punto de reposo y todas las variables
eléctricas del circuito.

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 3. Anotar en una tabla los valores teóricos y luego los valores prácticos o medidos
para todas las variables eléctricas del circuito.

VALORES TEORICOS VALORES PRACTICOS

IE 5.5mA 5.52mA

IB 11.34uA 11.4uA

IC 5.5mA 5.52mA

VCE 6V 5.97V

RB 467Kohmios 467Kohmios

RC 1.09Kohmios 1.09Kohmios

PARTE 2:

Polarización por Divisor de Tensión

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 1. Calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo:

2. Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales o utilice

potenciómetros y recalcule el punto de trabajo con estos valores. Luego mida
experimentalmente los valores del punto de reposo y todas las variables
eléctricas del circuito.

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 4. Anotar en una tabla los valores teóricos y luego los valores prácticos o medidos
para todas las variables eléctricas del circuito.

VALORES TEORICOS VALORES PRACTICOS

IE 1.093mA 1.11mA

IB 2.06uA 2.071uA

RC 4000 ohmios 4000 ohmios

RE 997.9 ohmios 998 ohmios

R1 2.577 k ohmios 2.5 ohmios

R2 527.8 ohmios 525 ohmios

PARTE 3:

Medición del Punto Q

VCEQ VB VE IE

5.867 v 2.343 v 1.666 v 1.665 A

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 Medida de la ganancia en tensión. (Configuración sin Ce)

Calibre Vipp = 1 V; f = 1 kHz en el generador de señales. Mida la tensión Vipp con el

osciloscopio y transfiera la curva a la rejilla.

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 Cierre el S1 y mida la tensión de salida Vopp con el osciloscopio y transfiera a la
rejilla anterior la curva en fase con Vi.

Complete la siguiente tabla:

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 Vopp= 7.529 v
∆V= Vopp/ VIpp = 7.607 X 10-3
RC/RE= 10/27 = 0.3704

Medida de la Impedancia de entrada. (Configuración con Ce)

Conecta un potenciómetro entre Vi y el condensador de entrada Ci. Variamos la

resistencia del potenciómetro hasta que la amplitud de la tensión de salida sea
Vopp/2. Entonces se mide la resistencia del potenciómetro ya que ésta coincide
con la impedancia de entrada. Mida este valor de resistencia y completa la tabla.

Dato medido Zi= 412.662

Mohmios
Dato calculado Zi= 407.129
Mohmios
Error absoluto 5.533
Error relativo 1.34%

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 Medida de la Impedancia de entrada. (Configuración sin Ce)

Calcule la impedancia de salida

Conecta un potenciómetro entre Vi y el condensador de entrada Ci. Variamos la
resistencia del potenciómetro hasta quela amplitud de la tensión de salida sea
Vopp/2. Entonces se mide la resistencia del potenciómetro ya que ésta coincide
con la impedancia de entrada. Mida este valor de resistencia y completa la tabla.

Dato medido Zi= 373.33 Mohmios

Dato calculado Zi= 369.4215Mohmios
Error absoluto 3.9085
Error relativo 1.047%

Justificación: Una vez comprobada la validez de la técnica de medida comente, en

pocas palabras, su fundamento teórico,

¿Por qué este método de medición es apropiado para determinar la impedancia de

entrada y la impedancia de salida?

Porque es más práctico y directo en un simulador y en la vida real, ya que si se

tuviera que usar el método teórico se tendría que rearmar el circuito y lo que se
quiere es resolver el diseño de la manera más rápida y eficiente.

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 Medida de la ganancia en tensión. (Configuración con Ce)

Calibre Vipp = 0.3 V; f = 1 kHz en el generador de señales. Mida la tensión Vipp con
el osciloscopio y transfiera la curva a la rejilla.

Cierre el S2 y luego el S1. Mida la tensión de salida Vopp con el osciloscopio y

transfiera a la rejilla anterior la curva en fase con Vi. Complete la siguiente tabla:

Vopp= 6.030 v
∆V= Vopp/ VIpp = 20.1
RC/RE= 10/27 = 0.3704

Medida de la Impedancia de entrada. (Configuración con Ce)

Conecta un potenciómetro entre Vi y el condensador de entrada Ci. Variamos la

resistencia del potenciómetro hasta que la amplitud de la tensión de salida sea
Vopp/2. Entonces se mide la resistencia del potenciómetro ya que ésta coincide
con la impedancia de entrada. Mida este valor de resistencia y completa la tabla.

Dato medido Zi= 242.923 Mohmios

Dato calculado Zi= 241.321 Mohmios
Error absoluto 1.602
Error relativo 0.66%

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 Medida de la impedancia de salida. (Configuración con Ce)

Se conecta el potenciómetro a la salida y se varía su resistencia hasta que la

tensión de salida sea ahora Vopp/2. Entoncesla resistencia del potenciómetro
coincide con la impedancia de salida. Mida este valor de resistencia y completa la
tabla.

Dato medido Zi= 833.091 Mohmios

Dato calculado Zi= 831.213 Mohmios
Error absoluto 1.878
Error relativo 0.23%

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 Medida de los márgenes dinámicos de la tensión de salida.

Aumenta la amplitud de la fuente de serial hasta que se distorsione la salida Vo(t).

La distorsión consiste en que se "aplana" su forma en las crestas, en los valles o en
ambos. Seguramente se aplane antes uno de los lugares y después el otro. El
aplanamiento de las crestas indica que el transistor entra en corte o saturación.
Representa las dos situaciones que se encuentran al ir aumentando la amplitud de
la señal de entrada. Indica, para cada figura, dicha amplitud Vi.

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 CUESTIONARIO FINAL

1.- ¿Por qué es inestable la polarización fija?

La corriente de colector Ic es igual a la Ib x hFE (ganancia),

hFE depende de la temperatura y crece con ella, y como la circulación de
corriente calienta el transistor se produce un efecto acumulativo que puede
llegar a destruir el transistor,
Para que el punto de trabajo de un transistor se mantenga estable, hay que
proveer algún dispositivo para que, a medida que suba la temperatura y por lo
tanto el hFE y la corriente de colector, disminuya la Ib, la cual podría ser una
resistencia.

2.- ¿Cuáles son las principales aplicaciones para un amplificador emisor

común? De un ejemplo.

El circuito de divisor de tensión tipo H, que requiere de conversión de voltaje y

de resistencias, para obtener una resistencia equivalente y un voltaje
equivalente, como por ejemplo se pude utilizar el teorema de thevenin para
realizar dicha reducción y trabajar con 2 mallas y obtener las ecuaciones de
carga y los datos qu se requieren

3.- Que significa el trabajo del amplificador en el centro de la recta de carga?

Ilustre

Significa que en ese lugar es donde se está trabajando y se conoce como punto de
operación o punto de trabajo, lo cual nos indica que en esa región se está
produciendo un voltaje y una corriente correspondientes que salen de la
modelaciones la recta de cargar y se trabajan con esas corrientes y tensiones

4.- Explique el desfase entre entrada y salida.

El desfase quiere decir la cantidad de ganancia o pérdida de voltaje o corriente que

puede haber una vez que la cantidad de corriente o voltaje ha pasado por aquel
determinado circuito y a través de este desfase se mide cuándo ha pasado
(ganado) o cuanto ha perdido (perdida) , lo que se conoce como un desfase de
energía.

5.- Diseñar un amplificador emisor común con una ganancia de voltaje = 9 y

una impedancia de entrada = 50 K.

6.- Describa la función que cumplen los condensadores de acoplo y

desacoplo.

ACOPLO: Aquel que permite el paso de una señal sin que se presente atenuación
(acoplamiento ideal)

DESACOPLO: Aquel que deriva las señales para que no pase ningún elemento

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V. CONCLUSIONES:

 El transistor posee propiedades en torno al tipo de conexionado tenga, ya que puede

ser de emisor común, colector común y base común ; esto da diferentes tipos de
procedimiento para resolver el circuito y conocer las corrientes de base, colector y de
emisor
 Los voltímetros , los amperímetros y la temperatura del aire donde se está trabajando
en el laboratorio influye en el cálculo de las resistencias y las corrientes medidas , en
comparación con los resultados teóricos
 La parte del experimento número tres se realizó con simuladores de circuitos dando
como resultado un cálculo más exacto de los datos requeridos en la practica
 Las resistencias halladas teóricamente se tiene que aproximar a la resistencia real más
baja con respecto al resultado, ya que estas aseguran que el punto de saturación no
sea excedido y conllevan a realizar con éxito y daros coherentes las practica

VI. BIBLIOGRAFIA:

 http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/circ_elec.htm
 http://woody.us.es/ASIGN/TCEF_1T/Prob/teoria_ctos2.pdf,,,,,bbbbbbbbbbb66
666666666
 http://es.wikipedia.org/wiki/Resistor
 http://www.lcardaba.com/articles/R_tipos/R_tipos.htm

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