PRACTICA Nº6.

TRANSISTOR BJT
Polarización de base y de emisor
Tecnología en electrónica industrial
Universidad de Sucre
Leonardo Garrido Navarro – Isaac Rodríguez Quintero – Jaime Gándara
Leonardogarridonavarro@gmail.com - isacnoble6@gmail.com - jaimegandara777@gmail.com

I. RESUMEN operación en el circuito. Un transistor con

polarización adecuada posee una
En este laboratorio tendremos en cuenta la
polarización directa de la unión emisor-
polarización del transistor con su base y
base e inversa en la unión base - emisor. La
emisor en el cual consiste en analizar
siguiente figura muestra el transistor NPN
cuáles son las principales características de
con polarización correcta. Nótese que las
un transistor BJT y su respectiva
relaciones de dirección de corriente y sus
polarización base - emisor, identificaremos
magnitudes.
las polaridades de este y cuál es su
comportamiento en un circuito a través de
simulaciones de los cuales sacaremos los
análisis.

II. INTRODUCCION

el transistor BJT es un dispositivo

controlado por la corriente de base, siendo
este un dispositivo bipolar que trabaja con
las cargas libres de los huecos y electrones,
donde la corriente de colector IC es una
función de la corriente de la base IB que
depende de un valor βque es llamado un
Figura 1
factor de amplificación, posee una
ganancia alta de corriente y voltaje que El transistor sin polarizar se puede
relaciona la línea entre IB e IC. considerarse como dos diodos
contrapuestos, con una barrera de
III. MATERIALES
potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se
 Transistores
polariza ambos diodos directa o
 Resistencias
inversamente, se comportarán
 Fuente DC permitiendo o no el paso de la corriente
 Diodo led como se sabe. El efecto de amplificación en
 el transistor se crea al polarizar
IV. MARCO TEORICO directamente la unión base-emisor e
Un transistor debe polarizarse inversamente la unión colector-base.
correctamente para producir una corriente
de control. La polarización de corriente
directa es la que determina su nivel de
 V. PROCEDIMIENTO Las fórmulas anteriores son la utilizadas para
el encontrar el punto de operación (Q) del
Implemente en el board el circuito de la Fig.
transistor
1, y determine el punto de operación (Rc =
1.2k y RB = 12k). Realice el procedimiento
para las dos referencias de los siguientes
transistores indicadas en la figura.

2. Implemente en el board el circuito de la

figura 2, obtenga el punto de operación. Use
primero el 2N3904 y luego el 2N2222.

Realizando los análisis teóricos

respondientes al circuito de la fig.1 se obtuvo
lo siguiente. Por definición se obtiene que:

α=ICIE β=ICIB

teniendo en cuanta que beta está indicada

por el data chip de cada transistor sabemos
que el Tanto el transistor 2N222 y 2N3904
tiene una beta de 100 por lo tanto
procedemos haciendo la malla de base Realizando los análisis teóricos
LVK: -VBB+IB*RB+0,7 = 0 respondientes al circuito Nº2 se obtuvo lo
siguiente. Por definición se obtiene que:
ICQ: β CE * IB
α=_CIE β=ICIB
VCEQ = malla del colector

-VCC+ICQ*RC+VCEQ = 0 teniendo en cuanta que beta está indicada

ICQ: β CE * IB
VCEQ = malla del colector
-VCC+ICQ*RC+VCEQ = 0
por la data chip de cada transistor sabemos
que el Tanto el transistor 2N222 y 2N3904
tiene una beta de 100 por lo tanto
procedemos haciendo la malla de base
aplicando mallas obtenemos que:

VCEQ=VCC-ICQ*RC
 LVK: -VBB+IB*RB+VBE = 0 VCE = 5,28 V
Q= (5,28V Y 0,35mA)
ICQ: β CE * IB

VCEQ = malla del colector

-VCC+ICQ*RC+VCEQ = 0

VCEQ=VCC-ICQ*RC
Las fórmulas anteriores son la utilizadas para
VI. ANALISIS Y RESULTADOS DE
el encontrar el punto de operación (Q) del LABORATORIO
transistor. Hallamos el punto de operación La selección del punto de trabajo de un
para ambos transistores transistor se realiza a través de diferentes
circuitos de polarización que fijen sus
tensiones y corrientes.
β= 100 VBE=0,7V La polarización de colector-base asegura que
el transistor nunca entra en saturación al
VE = 5V-0,7 = 4,3V mantener su tensión colector-base positiva.

4,3 V VII. CONCLUCION

IE = =0,35 mA
12 K Al finalizar la practica observamos el análisis
con transistores bipolares se realiza
IC = 0,35mA suponiendo que un transistor se encuentra
VC = 10 - 0,35mA * 1,2K = 9,58V en una zona de trabajo, siendo así
concluimos que el BJT es una fuente de
VCE = 9,58V – 4,3V = 5,28 V corriente dependiente de la corriente de
base, deduciendo que la malla de base es la
que polariza al transistor para obtener
ciertas características de corriente y voltaje
en la malla de salida, que es donde se
obtiene la amplificación.

IV.BIBLIOGRAFIA
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/20
17/01/polarizacion-transistor-bjt.html.
https://www.hwlibre.com/transistor-
2n2222/
https://es.wikipedia.org/wiki/2N3904
https://isotest.net/comprar/fuentes-de-
alimentacion/
Podemos concluir que https://es.wikipedia.org/wiki/Placa_de_pru
IC = 0,35mA ebas