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- CARGA ACTIVA)
ELABORADO POR:
PRESENTADO A:
FACULTAD DE INGENIERÍA
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ELECTRÓNICA II
BOGOTÁ D.C
2021
MARCO TEÓRICO
debido a un cambio de temperatura o sustitución del transistor por otro de β mayor; las
caída de tensión en RE. Al estar la tensión de base fijada, de forma independiente, por
Ley de Ohm:
Corriente de Base:
Voltaje Thevenin:
Ganancia de voltaje:
transistores idénticos que tienen la misma tensión VBE tal como se muestra en la
Intensidad de referencia:
Carga activa: La carga activa cuando se utiliza fuente de corriente quiere decir
DESARROLLO
1. Montar el diseño de la red resistiva clásica de polarización para ICQ= 0.6 mA,
Medir AV, aplicando señal de 1 Khz en la entrada y tomar salida en el colector del
desfasada.
condiciones del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con
Medir AV, aplicando señal de Khz en la entrada y tomar salida en el colector del
transistores PNP con características similares a los del arreglo CA3086) para las
Av Medida Calculada
Porcentaje de error %
puntos. Sin embargo, cabe resaltar que, pueden existir variaciones debido a que
todos los transistores difieren un poco sus parámetros internos haciendo que datos
como el Hfe cambien, esto genera algunas distorsiones en la medida. Además, las
CONCLUSIONES
medidas obtenidas.
polarizo con espejos de corriente debe ser igual para cada transistor,
esto con el fin de que las medidas en el simulador sean congruentes con
es el transistor CA3086.
Anexo 2
Anexo 3
Anexo 4