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TRANSISTOR BJT-
POLARIZACIÓN DE
EMISOR
Electrónica Analógica I
Configuración de Polarización de Emisor
Este circuito de polarización contiene un resistor en el emisor para
mejorar la estabilidad del nivel, en relación con el circuito anterior.
Polarización de Emisor…
Como β por lo general es 50 o más, el
resistor aparece con un valor mayor en el
circuito de la base, por consiguiente para la
configuración de la figura 4.21:
Ri= (β +1) RE
Malla C-E
La sección colector emisor aparece en la
gráfica adjunta, al aplicar ley de voltajes se
tiene:
+ IE RE + VCE + IC RC - VCC = 0
Al sustituir IE ≅ IC y agrupar términos:
VCE = VCC - IC ( RC + RE)
Polarización de Emisor: Malla C-E
De los diagramas anteriores se puede obtener las siguientes
ecuaciones:
VE = I E RE
VC = VCE + VE
VC = VCC - IC RC
VB = VCC - IB RB
VB = VBE + VE
EJEMPLO 6.
Para el circuito de la figura, determine:
a. IB, IC
b. VCE
c. VC , VE y VB
d. VBC
EJEMPLO 7.
Para el circuito de
la figura, determine
el nivel de
saturación.
Polarización de Emisor: Análisis por recta de carga
La ecuación de malla C-E define la recta de carga:
VCE = VCC - IC (RC + RE )
Los puntos de corte son:
Cómo β es sensible a la temperatura, sobre todo si se trata de transistores de silicio, y como el valor
real de beta en general no está muy bien definido, conviene desarrollar un circuito de polarización
que dependa menos de, β o que en realidad sea independiente de la misma,
Existen dos métodos que se pueden aplicar para analizar la configuración del divisor de voltaje.
El primero, ,el método exacto, el cual se puede aplicar a cualquier configuración del divisor de voltaje.
El segundo, el método aproximado, se puede aplicar sólo si se satisfacen condiciones específicas. El
método aproximado permite un análisis más directo con ahorro de tiempo y energía.
Análisis exacto
Análisis aproximado
Se puede obtener un mejor nivel de estabilidad introduciendo una trayectoria de realimentación desde el
colector a la base, como se muestra en la figura
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
EJEMPLO Repita el ejemplo anterior con una beta de 135 (50% mayor ).
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
Condiciones de saturación
CONFIGURACIÓN DE REALIMENTACIÓN DEL COLECTOR
CONFIGURACIÓN EN EMISOR-SEGUIDOR
Existen varias configuraciones de polarización de los BJT que no concuerdan con el molde
básico de las que se analizaron en las secciones anteriores.
TRANSISTORES pnp
El análisis hasta ahora se limitó por completo a transistores npn para garantizar que el
análisis inicial de las configuraciones básicas fuera lo más claro posible y sin
complicaciones por el cambio entre tipos de transistores.
El análisis de transistores pnp sigue el mismo patrón establecido para transistores npn.
Configuraciones que resultan útiles en la práctica.
Montaje en Base Común
El circuito presenta una baja impedancia de entrada (entre 0.5 Ohm y 50 Ohm) y
una alta impedancia de salida (entre 1 kOhm. y 1 MOhm). Las ganancias de
voltaje y de potencia pueden ser altas, del orden de 150 o más, dependiendo de
la Beta del transistor. La ganancia de corriente es inferior a 1 (entre 0.95 y 0.995).
Montaje en Emisor Común
Las señales de entrada y de salida siempre están en oposición de fase.