INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y

ELÉCTRICA

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA.

ACADEMIA ELECTRÓNICA.

DISPOSITIVOS.

GRUPO 5CV3.

Luis Raúl Heredia de la Cruz.

PRACTICA 7.

TRANSISTORES EN CA.
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OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones,

mediante el análisis e interpretación de las mediciones y de las gráficas.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA

✓ Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los transistores bipolares

de silicio (Si) y germanio (Ge), con señal de C.A.
✓ Investigar las curvas características de entrada y salida, así como la recta de carga y los
puntos de operación de entrada y salida, de los transistores bipolares de silicio (Si) y
germanio (Ge), con señal de C.A.
✓ Realizar la simulación de los circuitos para obtener las curvas características eléctricas de
los transistores bipolares de Silicio o bien de Germanio, con señal de C.A.
✓ Traer hojas de especificaciones de los transistores bipolares que se emplearán en la
práctica ya sea de Silicio o bien de Germanio.
✓ Consultar las hojas de especificaciones del fabricante, para obtener las características de
funcionamiento del transistor que se va a emplear en la práctica, con señal de C.A.
✓ Realizar una tabla que contenga los datos del fabricante más importantes, para el buen
funcionamiento del transistor con señal de CA.
✓ Analizar el funcionamiento de los circuitos de la práctica, y reportar los cálculos realizados.
✓ Traer los circuitos armados

FUNCIONAMIENTO DE LOS BJT’S EN CORRIENTE ALTERNA

El circuito de partida es una configuración en emisor común con transistor en polarización de

emisor o de puente resistivo.

Fig. 1: Amplificador transistorizado mediante BJT

Los pasos que debemos seguir, según lo que necesitemos calcular, son los siguientes:

a) Se cortocircuitan los condensadores existentes.

b) Se cortocircuitan las fuentes de tensión continuas y alternas.

c) Se abren las fuentes de corriente existentes.

El circuito resultante con el modelo del transistor sustituido y aplicando lo anterior, queda como
sigue:

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La impedancia de entrada del transistor se expresa como

La impedancia de entrada del circuito completo queda como

La impedancia de salida del circuito.

La ganancia de tensión, cuya nomenclatura puede ser AV o G, viene definida por la relación
VOut/VIn, por tanto

Recta de carga en corriente alterna

Como no existe igualdad entre los circuitos de corriente continua y corriente alterna, podría
intuirse que, se modificarán los valores extremos de la recta de carga desde su funcionamiento en
continua a su funcionamiento en alterna. Partiendo de la malla de colector en alterna y aplicando
la segunda Ley de Kirchoff a la malla de colector, nos queda:

Obteniendo los extremos de corte con los ejes de esta recta, es decir, haciendo ICeje = 0 y VCEeje
= 0, obtenemos

Esto nos provocará un cambio en la inclinación de la recta de carga, que puede ser para
incrementar o disminuir su pendiente, dependerá de esta circunstancia y de la posición del punto
de trabajo. Este hecho nos ofrecerá un valor de tensión de salida sin distorsión u otro.

Amplificador en clase A
En este tipo de amplificadores el transistor está conduciendo todo el tiempo, es decir, el punto Q
nunca alcanza el estado de corte ni saturación. Esto quiere decir que, incluso sin entrada alterna,
el transistor está disipando potencia. Por este motivo la eficiencia o rendimiento de un
amplificador trabajando en clase A no es muy alta. Su límite teórico es del 25%

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Amplificador en clase B
Dado que el rendimiento de los amplificadores en clase A no es muy alta, se ideó otra
configuración para tratar de aumentar el rendimiento de los amplificadores de audio. Se
denominaron amplificadores en clase B, también llamados Push-Pull o de simetría
complementaria. En estos circuitos conduce un transistor en cada semiperiodo de la señal. En
estos montajes son necesarios dos transistores, un NPN y un PNP, éstos deben ser
complementarios para un mejor funcionamiento del conjunto. Además, necesitamos dos fuentes
de alimentación, una positiva y otra negativa.

Amplificador en clase AB

Si deseamos aprovecharnos de la muy baja distorsión de los amplificadores en clase A y obtener

un rendimiento mayor que éstos, la solución viene de la mano de los amplificadores que trabajan
en la denominada clase AB. Conjugando las mejoras de los amplificadores anteriores.

La incorporacion de señales de corriente alterna en el circuito un circuito con transistores define

el uso de la recta de carga para ca, o tambien llamada recta de carga dinamica. Este nuevo
elemento permite describir el comportamiento de las variables del BJT cuando este recibe señales
tipo ca, pues establece los valores entre los cuales actuara la corriente iC y el voltaje vCE. Para
definir esta nueva recta de carga de ca, se debe establecer el punto Q para un valor determinado.
Si se quiere lograr una prestacion lineal del amplificador, el punto Q debe estar en el centro de la
recta de carga de ca, esto se conoce como maxima excursion simetrica.

DESARROLLO:

I Caracterización de los transistores bipolares (de silicio o bien de germanio), para obtener la
gráfica de entrada del transistor.

1.1 Armar el circuito como se indica en la figura 1, para obtener las gráficas de entrada del
transistor (graficador XY, ambos canales con acoplo en CD) a temperatura ambiente y dibujar
las gráficas en la gratícula o en el papel milimétrico. Realizar y reportar las medidas como se
indican en la tabla, en la gráfica correspondiente, para distintos voltajes de VCE. La señal de la
fuente de alimentación (VS) de CA se tomará del generador funciones, seleccionando la señal
sinusoidal o triangular con máxima amplitud, y una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y
1KHz). La fuente de polarización VCC se tomará del variac en CD. Recordar que por la base la
corriente que fluye debe ser del orden de micro amperes. Al ir variando la fuente de VCC se
debe ir midiendo el voltaje entre las terminales colector-emisor, esta medición se debe
realizar con el voltímetro en CD, así como el voltaje entre las terminales colector-base del
transistor y el voltaje en RC.

NOTA1: Si se mide el voltaje de RB con el multímetro en VCD, y se calcula la IB (con el valor de

VRB/RB), se tendrá la corriente de base en CD. Si se toma el valor medido de voltaje de RB con
el osciloscopio, este será en valor pico; por lo que la corriente de base también será en valor
pico, en este caso la corriente de base pico se divide entre π para obtener el valor promedio
de la corriente de base.

VCE VCC VBEpol dir VBEpol inv VCB IB IC IE Β(IC/IB)

0V 0V 7.354V 7.354V 7.346V 405.55uA 494.515mA 81.762 uA 1.2193
0.5V 1v 7.333V 7.354V 7.858V 73.33uA 476.37mA 549.719uA 6.4962
5V 9V 7.299 7.299 12.294V 72.93uA 3.996mA 4.069 mA 54.7922

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2.1.1 Anotar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.

2.2 Variar la frecuencia del generador; observar que pasa en la gráfica en modo XY del
osciloscopio, reportar los cambios observados en la gráfica.

Al variar la frecuencia del generador de frecuencias no se

notan grandes cambios en la grafica en función de XY del
osciloscopio sin embargo si es posible percibir que los
extremos de la grafica se alargan un poco lo suficiente para
percibirlos mas no para generar un cambio que modifique la
grafica inicial .

2.4 Armar el circuito como se indica en la figura 2, y obtén la gráfica de entrada del transistor con
el emisor abierto. Realiza las medidas como se indica y registrarlas la tabla y en la gráfica
correspondiente, a temperatura ambiente. La señal VS se tomará del generador (señal senoidal
con máxima amplitud, con una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y 1KHz). Dibujar la gráfica
en la gratícula o en el papel milimétrico. La gráfica se observa en modo XY del osciloscopio.

VCB pol dir VCB pol inv IB VBE VCE

7.333V 7.333V 73.33uA 56.611mV 7.389V

2.4.1 Anotar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.

Los voltajes que medí fueron en corriente directa con el osciloscopio voltajes medios aunque no
entendí muy bien la parte de polarización inversa ya que al ser alimentado con una senoidal al
polarizarlo desde el generador no note que hubiera cambio al medir el voltaje sin embargo se puede
ver en la gráfica que al dejar el emisor libre las otras 2 terminales conectadas conducen en cierto
punto y la corriente de la base sigue tomando el orden de micro amperios como debería ser.

2.5 Armar el circuito como se indica en la figura 3, y obtener la gráfica de entrada del transistor con
el colector abierto. Realizar las mediciones como se indica y registrarlas la tabla y en la gráfica
correspondiente (gratícula o papal milimétrico), a temperatura ambiente. La señal VS se tomará del
generador (señal senoidal con máxima amplitud, con una frecuencia que se encuentre entre 60Hz y
1KHz). La gráfica se observa en modo XY del osciloscopio.

VCB pol dir VCB pol inv IB VBE VCE

388.684mV 388.684mV 73.56uA 7.359V -7.094V

2.5.1 Anotar los comentarios y las conclusiones, a partir de las observaciones.

Al igual que el caso anterior la polarización inversa igual podemos ver que en las 2 terminales
conectadas el transistor conduce en el semiciclo positivo y deja de conducir en el semiciclo negativo

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y el voltaje colector-emisor se mantiene de igual modo la corriente base se mantiene en el orden

de micro amperios

3. Caracterización de los transistores bipolares (de silicio o bien de germanio), para obtener la gráfica
de salida del transistor.

3.1 Armar el circuito como se muestras en la figura 4, para obtener las gráficas de salida del
transistor a diferentes voltajes de Vs (se toman del variac en CD y el osciloscopio debe estar con
acoplo en CD y en modo graficador XY). Para obtener la señal pulsante de onda completa, utilizar el
transformador entre extremo-derivación y el arreglo de 4 diodos ó el de 2 diodos para que el
rectificador tenga una amplitud entre 10Vp o 15Vp. Medir lo que se indica en la tabla y dibujar la
gráfica para cada variación de Vs. En la misma hoja milimétrica o gratícula dibujar cada una de las
gráficas para obtener la familia de curvas de salida del transistor. Colocar los valores medidos y las
unidades, en las tablas y en las gráficas. Las gráficas observadas en cada cambio de Vs, se realizaran
para cada valor medido del VCE y para cada valor medido de IC. Las mediciones de los voltajes entre
las terminales base-emisor y colector-base, se realizarán con el voltímetro en CD, así como la
medición del VRB.

NOTA2: Si se mide el voltaje de RC con el multímetro en VCD, y se calcula la IC (con el valor de

VRC/RC), se tendrá la corriente de colector en CD. Si se toma el valor medido de voltaje de RC con
el osciloscopio esta será en valor pico; por lo que la corriente de colector también será en valor pico.

NOTA3: El resistor de base puede ser de un valor más pequeño (pero no menor a 100KΩ a 1W o
½W), para no dañar el transistor y tener un rango mayor de medición.

NOTA: SE VAN A USAR 10Volts pico y 800Hz

VS VCB VBE VRB VCE IC IB IE β=(Ic/IB)

0V 16.698V 5.572V 2.241mV 11.078V 27.9nA 22.41nA 16.633nA 0

2V 11.206V 630.402mV 1.37V 11.838V 3.751mA 13.7uA 3.766mA 273.7956204

4V 7.015V 657.061mV 3.343V 7.671V 7.859mA 33.43uA 7.893mA 235.0882441

6V 4.575V 669.1mV 5.331V 5.245V 10.285mA 53.31uA 10.338mA 192.9281561

8V 3.06V 676.745mV 7.323V 3.737V 11.778mA 73.23uA 11.851mA 160.8357231

10V 2.064V 682.816mV 9.317V 2.747V 12.761mA 93.17uA 12.857mA 136.9646882

12V 1.366V 687.624mV 11.312V 2.053V 13.458mA 113.12uA 13.57mA 118.9710042

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Todas las curvas que nos da a la salida de cada uno de los voltajes es la familia de curvas de dichas
salidas que nos describe el comportamiento del transistor agrupándolas todas tenemos una gráfica
de corriente IC vs VCE para cada una de las corrientes de base y que sus parámetros cambian como
deberían debido al comportamiento del transistor podemos ver como la corriente del emisor es la
suma de las corrientes del colector y la base y aunque la corriente en el emisor no se mantiene
estable como el BJT de la práctica pasada si es posible ver su funcionamiento .

Conclusiones

Esta práctica vimos el comportamiento de otro BJT y su comportamiento dejando libres su emisor
o su colector que son situaciones que no habíamos evaluado con anterioridad la última parte de la
practica pudimos caracterizar el transistor BJT sin embargo este se diferencia del que habíamos visto
ya que según los datos no nos daba un valor de corriente emisor estable a la salida, sin embargo,
esta corriente-emisor aumentaba considerablemente a medida que aumentábamos el voltaje Vs ,
esto nos da la pauta a estudiar los transistores en corriente alterna para observr que se pueden
implementar como amplificadores por ejemplo.

Bibliografia

El transistor como amplificador-R. Carrillo J.I.Huircan

funcionamiento de los bjt’s en corriente alterna- upct. etsii. dpto. de tecnología electrónica