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LABORATORIO No. 8: POLARIZACIÓN DE

TRANSISTORES BJT
William Abril Garcia
1161535
williamag@ufps.edu.co

In this practice, the analysis of the configurations of BJT temperatura y los parámetros internos del
transistors was carried out, specifically the fixed dispositivo.
polarization circuits, using them in electrical circuits which
we solve by the corresponding mathematical method and
check through the OrCAD software, we find their respective III. MARCO TEORICO
graphs, and the voltages in each of its terminals. We check Esta configuración es muy utilizada como fuente de
that the theory is fulfilled, at the same time that we corriente, también se conoce como circuito
understand how these devices work.
amplificador, la idea principal de este circuito es
Keywords - fixed bias, transistors, software, terminals,
OrCAD. proporcionar una corriente de colector (ó emisor)
In this practice, the analysis of the BJT transistors constante e independiente del ß y de la temperatura
configurations was carried out, the fixed polarization
circuits and voltage divider circuits were analyzed, using
them in electrical circuits which we solved by the
corresponding mathematical method and verified through
the OrCAD software, we found their respective graphs, and
the voltages at each of their terminals. We check that the
theory is fulfilled, at the same time that we understand how
these devices work.
Keywords — fixed bias, transistors, voltage divider,
software, terminals, OrCAD.

I. INTRODUCCIÓN
El transistor bjt es un elemento activo, es decir que da una
potencia de salida mayor que la potencia de entrada, esto se
da porque amplifica el voltaje y/o la corriente de la señal de
entrada. Para lograr esta mayor potencia de salida el
amplificador se polariza por medio de una fuente dc sencilla
ó dual y un arreglo de resistencias.
Lo que se desea en la polarización es fijar una corriente de
colector (ICQ) y un voltaje colector emisor (VCEQ), que
normalmente se denominan punto Q, que es un nivel dc tanto IV. MATERIALES
de corriente como de voltaje. Este punto Q se debe escoger
de manera óptima, de tal manera que se obtenga la máxima  Computador
señal simétrica de salida. En la siguiente figura está graficada  software OrCAD
la recta de carga estática (recta de carga en dc), en donde se  Guía de laboratorio
puede ver que el máximo voltaje colector emisor es VCC.  Cuaderno
Esta recta de carga estática es básicamente la gráfica de la
 Lápiz
ecuación que relaciona la corriente de colector con el voltaje
colector emisor.
II. OBJETIVOS V. DESARROLLO DEL LABORATORIO

 Evaluar e interpretar características fundamentales

de transistores BJT. 2.1 CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA
 Polarizar un transistor BJT npn para ubicar su punto Figura 1. Circuito No. 1
de operación en la región activa, utilizando los
circuitos de polarización fija y divisor de voltaje.
 Comprobar experimentalmente el nivel de
estabilidad del punto de operación Q de un
transistor BJT npn debido a los cambios de

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA – UFPS – 2020

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2.1.1 Determine los voltajes VCE, VBE, VC, VE,

VB, VRB, VRE, VRC. Β=150 Si no se encuentra en
el punto medio de la recta de carga varié la
resistencia RB.
2.1.2 Determine la corriente de colector y la
corriente de base.

Cambian la corriente de colector y el voltaje de colector,

esto debido a que la corriente de colector depende tanto
de la corriente de base como de beta, entonces en el
momento en el que se aumenta el valor de beta, también
aumenta el valor de la corriente de colector.

2.2 CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR

DIVISOR DE VOLTAJE

Figura 2. Circuito No. 2

2.2.1 Repita los puntos 3.1.1, 3.1.2, 3.1.3.

2.1.3 Cambie el transistor por otro Β=350,

determine nuevamente los voltajes en el circuito. Si
existen diferencias explique la razón.
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2.2.3 ¿Cuál de las configuraciones básicas para
polarizar a un BJT considera más estable respecto
al Beta?
La configuración por divisor de voltaje.
2.2.4 ¿Cómo cambian los parámetros internos del
transistor al aumentar la temperatura?
Cambia Beta.

1. PREGUNTAS PARA EL INFORME

¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 1?

Depende de la corriente de base y Beta.

¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 2?

Depende de la corriente de base y Beta.

¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para

estabilizar el punto Q?
Para compensar las variaciones de tensión y corriente
que se producen en el transistor, lo cual nos permite
estabilizar el punto Q.

Determine la ICSAT o ICmax y VCE max . Calcule los valores

para ICQ y VCEQ en cada uno de los circuitos.
Grafique.
Circuito 1, B=150
Con B=350

2.2.2 Qué ventajas y desventajas tiene esta

configuración con respecto a la anterior.
Esta es mucho más estable ya que los valores del
voltaje y corriente son menos dependientes del valor
de Beta.
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Circuito 1, B=350 ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto

se produce sobre la corriente de colector, y sobre la
corriente de base? Investigar.
Un aumento de la temperatura produce un aumento en
la corriente portadora minoritaria, y un cambio negativo
en VBE, de modo que ambos efectos conducen a un
aumento de la corriente de colector con la temperatura.

Realice la simulación de cada uno de los circuitos

diseñado. Mida el voltaje de colector a emisor, la
corriente de colector y la corriente de base. Mida los
voltajes en la base, en el emisor y en el colector.
Configuración fija:

Circuito 2, B=150

Circuito 2, B=350

Configuración divisor de voltaje:

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VI. CONCLUSIONES

 Pudimos evaluar las características

fundamentales de los transistores bjt, esto por
medio de la realización de dos ejercicios uno
de configuración fija y otro de configuración
por divisor de voltaje y observamos que la
configuración por divisor de voltaje es más
estable ya que esta es menos dependiente del
valor de Beta.
 Observamos cambiando el valor de Beta, esta
cambia las características de los transistores bjt,
lo cual nos permitió analizar el comportamiento
de los transistores cuando se aumenta la
temperatura y deducimos que al aumentar la
temperatura, aumenta la corriente de colector y
se produce un cambio negativo en el voltaje
base-emisor.

VII. BIBLIOGRAFÍA
[1]. HORENSTEIN, Mark. Microelectrónica: circuitos y
dispositivos. México D.F. Editorial Prentice Hall. 1997.
[2]. NEAMEN, Donald A. Análisis y Diseño de Circuitos
Electrónicos. México D.F. Tomo I. McGraw-Hill. 1999.
[3]. SEDRA, Adel. “Circuitos Microelectronicos” Cuarta
Edición, Oxford.