POLARIZACION TRANSISTOR BJT

Resumen En la gua de laboratorio se propuso realizar (VCE = Vcc), y si esta entre 0.25 y 0.85 se encuentra en la
diferentes circuitos centrados en la polarizacin de transistores
BJT, para esto se realizaron diseos segn cada modelo
mostrado en la gua de laboratorio, luego de realizar los
clculos pertinentes para cada circuito se procedido a hacer la
implementacin en protoboard para posteriormente realizar
las mediciones respectivas, estos datos luego seran comparados
con los datos tericos y de simulacin para realizar el anlisis
correspondiente a cada uno de los circuitos. .
I. INTRODUCCION
El Transistor tiene como propsito principal amplificar o
servir como interruptor. Para conseguir el punto ptimo de
operacin de un equipo es necesario garantizar que todos
sus componentes acten de manera que su funcionamiento
no afecte el de los dems; es por esto que los transistores
BJT pueden ser polarizados de mltiples formas cada una
dependiendo de su requerimiento especfico. En esta
prctica se conocern las caractersticas de cada una de las
polarizaciones del transitor PNP y NPN.
El transitor puede operar dentro de determinada regin de
trabajo si se adecua un circuito externo de tal forma que se
controlen sus corrientes y voltajes DC; llamado
polarizacin.
Para la correcta Polarizacin del transistor, se polariza el
diodo base emisor en directa y el diodo base colector en
inversa. Por la polarizacin del diodo base-emisor se espera
una alta corriente, pero no es as, la corriente del colector es
una corriente grande, gracias a las caractersticas fsicas del
transistor.
regin activa.
Q = Vce / Vcc
Ecuacin 3. Punto de operacin. [1]
Zona activa: La juntura base-emisor debe estar
polarizada en directo (VBE 0.7 V) y la juntura base-
colector debe estar polarizada en inverso. En esta zona la
relacin entre las corrientes IC y IB va a depender de un
parmetro intrnseco del transistor que es comnmente
llamado . [1]
Zona de corte: La juntura base-emisor se encuentra sin
polarizar (VBE 0.7), en cuyo caso no existen corrientes en
el transistor. La resistencia equivalente entre el colector y el
emisor tiende a un valor muy grande haciendo que
prcticamente se presente un circuito abierto en la trayectoria
de colector a emisor. [1]
Zona de saturacin: La juntura base-emisor se
encuentra polarizada en directo (VBE 0.7), lo que permite
que exista una corriente de base IB, que puede llegar a tomar
un valor tan alto que el transistor intentara conducir tambin
una corriente de colector muy grande, sin exceder la
corriente mxima del dispositivo gracias a RC. La resistencia
equivalente entre el colector y el emisor aparece con un valor
pequeo haciendo que prcticamente se presente un corto
circuito en la trayectoria de colector a emisor. [1]

Para el anlisis del transistor en un circuito elctrico, se

toma la ganancia de corriente como:

= Ic / Ib.

Ecuacin 1. Ganancia de corriente. [1]

Ecuacin 2. Ganancia de corriente[1]

El valor de es propio para cada transistor, pero no es un
valor constante, este sufre variaciones con la temperatura
del ambiente y segn la potencia disipada por el transistor.

El transistor de juntura bipolar se puede trabajar en tres

regiones: activa, corte y saturacin. Dependiendo de la
ubicacin del punto QDC de la reta de carga en DC.
Si el punto de Operacin se encuentra entre 0.85 y 1, se
considera que esta en corte el transistor (VCE= 0); si el
QDC est entre 0 y 0.25 se considera que esta en saturacin
 II. DESARROLLO DE LA PRACTICA 2 5 mA
Ib=
365
I.1. Medicin de los de 3 transistores PNP y NPN con tres Ib=68.5uA
multmetros diferentes.
El voltaje de base se asumi de 15v mayor que el voltaje de
Ref. transistor: 2N3906 colector segn los criterios dados en la gua .
MULTIMETRO Beta hoja tcnica: 300 - Luego se calcul la resistencia de base
400 15+ 0.7+0.55
=237.226 k
B1 B2 B3 68.5uA
Marca Posteriormente se procedi a calcular el valor de las
BK resistencias de colector y emisor, para esto se calcul la
Referencia malla en la que se encontraba la fuente de 15v y teniendo en
cuenta el Vce se dieron los valores de la Rc y la Re.
2706A
Marca
Vce+Vre +Vrc=9 v
De ah tenemos que.
BK
Vre+Vrc =9 v 7.65 v
Referencia Asumiendo Vrc y Vre iguales
2706A 1.1 v
Marca Vrc=Vre=
YFE
2
Referencia: Vce=Vre=0.55 v
Teniendo en cuanta los voltajes obtenidos se realiz el
3503
clculo de las resistencias usando ley de ohm obteniendo.
Rc=32
Ref. transistor: 2N3906
MULTIMETRO
=22
Beta hoja tcnica: 300 -
Luego se procedido a implementar el circuito en protoboard
400 y a realizar las mediciones de los distintos valores para
B1 B2 B3 corroborar el diseo, para obtener el valor de resistencia
Marca deseado se usaron trimmers en vez de resistencias
BK comerciales.
Referencia
2706A C. Polarizacion por retroalimentacion de colector:
Marca .
BK D. Polarizacion por divisor de voltaje:
Referencia E. Polarizacion dual:
2706A F. Curva caracterisitca del BJT:
Marca
YFE G. Diseo propuesto:
Referencia:
3503

Para el diseo de este circuito se tom como referencia el

promedio de los registrados con los multmetros para
realizar los clculos correspondientes para hallar las
resistencias de base, colector y emisor.

A. Polarizacion Fija:
B. Polarizacion Fija con resistencia en emisor:
Se asumi un voltaje de alimentacin de 9 v y una corriente
de colector de 25mA para el grupo el transistor a utilizar fue
un PNP y el punto de operacin dado fue de 0.85.
Para hallar la resistencia de base primero se calcul la
corriente de base.
 III. ANALISIS DE RESULTADOS dependiendo de la aplicacin en se est utilizando.
[2]
El beta es el mismo para los diferentes
transistores?

Qu diferencias y similitudes se encontraron en

las mediciones de todos los circuitos trabajados?

Qu tipo de Polarizacin es ms estable con la

temperatura y por qu?

1. La resistencia en un dispositivo semiconductor

aumenta o disminuye con el aumento de la Fig. 22. Capsula TO-126[3]
temperatura? Explique a que se debe y de un
ejemplo. Cpsula TO-92. Es muy utilizada Para la
amplificacin de pequeas seales. [2]
2. Tipos de encapsulados para transistores en BJTS
y sus principales caractersticas.

Cpsula TO-3. En transistores de gran potencia.

Como se puede ver en el grfico es de gran tamao
debido a que tiene que disipar bastante calor. Est
fabricado de metal y es muy normal ponerle un Fig. 23. Capsula TO-92[3]
"disipador" para liberar la energa que este genera
en calor [2]
Cpsula TO-18. Se utiliza en transistores de
pequea seal. Su cuerpo est formado por una
carcasa metlica que tiene un saliente que indica el
terminal del Emisor.[2]

Fig. 20. Capsula TO-3[3]

Cpsula TO-220. Debe disipar potencia algo menor
que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-
126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar
disipador, fijado por un tornillo debidamente
aislado. [2] Fig. 24. Capsula TO-18[3]

Cpsula miniatura. Se utiliza en transistores de

pequea seal. Al igual que el anterior, tienen un
tamao bastante pequeo.

Fig. 21. Capsula TO-220[3]

Cpsula TO-126. En aplicaciones de pequea a Fig. 25. Capsula miniatura [3]

mediana potencia. Puede o no utilizar disipador
 BIBLIOGRAFIA
3. Tipos de polarizaciones ms usados en
amplificadores. [1] Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Phil. Trans. Roy. Soc.
London, 8va Edicin.
CONCLUSION [2] R. L. Boylestad y L. Nashelsky, ELECTRNICA: TEORA DE
CIRCUITOS, Sexta ed., Pearson Educacin, 1997.
[3] Aladro,electronica.ugr.es.http://electronica.ugr.es,practicas/encapsula
dos/encapsulados.