UNIVERSIDAD CATÓLICA DE

SANTA MARÍA
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS
FÍSICAS Y FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
MECANICA, MECANICA-ELECTRICA Y
MECATRONICA

CIRCUITOS
ELECTRÓNICOS I
DISEÑO DE LA
POLARIZACIÓN DE
TRANSISTORES BJT
Preparado por:

-Nauca Dávila Jeanpiere

-Calle Apaza Omar Gabriel

Para:

Ing. Medina Calle Diego Alonzo

Arequipa, mayo del 2019

I.-INFORME PREVIO

 Desarrolle un breve resumen de los Circuitos de Polarización más usuales:

Polarización Fija, Polarización Estabilizada de Emisor, Polarización con
Retroalimentación de Colector (Con RE y sin RE) y Polarización por Divisor de
Tensión. Similitudes y Diferencias. Aplicaciones.
 Determine y/o estime el β del transistor a emplear en la práctica (BC548A o
equivalente) según el procedimiento de determinación de β de la guía de
Laboratorio N° 3 (procedimiento V.1).
 Con el β determinado en el paso anterior, realice los cálculos de diseño de
polarización para las diferentes configuraciones, de acuerdo a los requerimientos
y valores solicitados. Aproxime los valores calculados para las redes resistivas a
valores comerciales de las mismas.
 Con los valores de resistencias determinados según el paso anterior, haga la
simulación del procedimiento empleando Multisim 10. Consigne sus valores en
una tabla de valores simulados mostrando todas las variables eléctricas de la
configuración simulada.
 De acuerdo con el paso anterior, implemente los circuitos físicos y preséntelos
listos para realizar las pruebas de laboratorio.
 Traer la hoja de datos del transistor a emplear en la práctica de laboratorio.

II.-OBJETIVOS

 Ensayar diversos diseños de topologías de polarización de transistores.

 Comparar resultados prácticos respecto de los teóricos calculados.
 Comprobar el diseño de polarización midiendo el punto Q. II.4. Realizar
mediciones del punto de reposo Q

III.-MARCO TEORICO

 El Transistor Bipolar Polarización de la unión Base-Emisor

 Polarización de la unión Base-Colector
 Polarización del transistor en directa
 Circuitos de polarización del transistor BJT

IV.-MATERIAL Y EQUIPO
 Multímetro (2)
Protoboard
Transistor BC548A (2) y/o equivalente.
Resistencias fijas y variables de valores diferentes (de acuerdo a los cálculos
previos) IV.5. Fuente de tensión continua 0-15V
Cautín o Pistola de Soldar

V.-PROCEDIMIENTO
a) Auto polarización:
 Determine la polarización del transistor de la Figura 1, para un punto de trabajo
ICQ = 5.5 mA y VCEQ = 6 V.
 Datos: RB= 212.2 kΩ, RC= 1.09 kΩ, VCC=12V, Considere hFE = β =220 hallado
en el informe previo (I.2).

Coloque aquí sus cálculos teóricos, necesarios para determinar la polarización solicitada .

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐶𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑅𝐶 = 1.09 kΩ 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + (𝐼𝐶 /𝛽)𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

𝑅𝐵 = 212.2 kΩ

 Construya el circuito utilizando resistencias de valores comerciales y recalcule el

punto de trabajo con estos valores. Luego mida experimentalmente los valores del
punto de reposo y todas las variables eléctricas del circuito.
 Anotar en una tabla los valores teóricos y luego los valores prácticos o medidos
para todas las variables eléctricas del circuito.
 Contraste los resultados anteriores con los valores tomados en la simulación.
Comente los resultados.
Coloque aquí la tabla de valores teóricos, prácticos o medidos y los valores de la simulación tomados para todas las variables eléctricas del circuito. Contraste y
comente los resultados.

Valores Teóricos Valores Prácticos

𝑉𝐵𝐸 (V) 0.7 0.66
𝑉𝐶𝐸 (V) 6 8.33
𝐼𝐶 (mA) 5.5 5.21

b) Polarización por emisor:

 El circuito a implementar es el siguiente:

Considere en su diseño el
criterio de que V E=0.1 VCC

 Repita los pasos del 1 al 4 realizados con el primer circuito, a fin de

calcular los valores de las resistencias que polaricen el BJT según lo
solicitado. Compare y saque conclusiones.
𝑉𝐸 = 0.1𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝐼𝐸 𝑅𝑅 + 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸

𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0.1(12) 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐸 + (𝐼𝐶 /𝛽)𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 𝑅𝐶 = 1.09 kΩ

𝑅𝐸 = 218.18Ω 𝑅𝐵 = 404 kΩ
Coloque aquí la tabla de valores teóricos, prácticos o medidos y los valores de la simulación tomados para todas las variables eléctricas del circuito. Contraste y
comente los resultados.

Valores Teóricos Valores Prácticos

𝑉𝐵𝐸 (V) 0.7 0.7
𝑉𝐶𝐸 (V) 6 5.31
𝐼𝐶 (mA) 5.5 5.30

c) Polarización por Divisor de Tensión:

 El circuito a implementar es el siguiente:

 Se debe calcular R1, R2, RC y RE para que en el punto de reposo se tenga:

 ICQ = 1 mA, VCEQ = 5V, VREQ = 0.1VCC (Utilice RE= 1Kohm), VCC = 10 V Para
el cálculo de R1 y R2 emplee una Idiv >= 10 Ibase.
 Aproxime sus resultados con resistencias de valores comerciales en
combinaciones serie y/o paralelo si es necesario. Esto le permitirá obtener más
fácilmente el punto de polarización deseado. V.3.3. Repita los pasos seguidos en
los circuitos anteriores. Compare y saque conclusiones.
 𝐼𝐷𝐼𝑉 ≥ 10𝐼𝐵𝐴𝑆𝐸 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑅 𝑅1 + 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑅1 𝑅1 + 𝐼𝑅2 𝑅2
𝐼𝐶
𝐼𝐵 =
𝛽
= 4.54µ𝐴 𝑅1 = 182.8 kΩ 𝑅2 = 37.44 kΩ

𝐼𝐷𝐼𝑉 = 10(4.54µ𝐴) = 45.4µ𝐴

𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

R C = 4KΩ

Coloque aquí la tabla de valores teóricos, prácticos o medidos y los valores de la simulación tomados para todas las variables eléctricas del circuito. Contraste y
comente los resultados.

Valores Teóricos Valores Prácticos

𝑉𝐵𝐸 (V) 0.7 0.7
𝑉𝐶𝐸 (V) 5 5.20
𝐼𝐶 (mA) 1 0.99

VI.-CUESTIONARIO FINAL

1) Dibuje las rectas de carga para cada uno de los diseños del procedimiento y
determine la zona de operación del transistor fijando el rango de variación de las
variables de salida. ¿Qué variable y con qué valor determina la saturación del
transistor? ¿y el corte del transistor?
2) ¿Por qué las condiciones de corte y saturación determinan la recta de carga para
un circuito concreto?
3) ¿Por qué es inestable la polarización fija?
4) Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización fija y
de auto polarización, ante un posible incremento de β.
5) Exponer en forma resumida el comportamiento del circuito de polarización por
divisor de tensión ante un posible incremento de β.
 6) ¿Por qué es importante el tipo de polarización usada en un transistor?
7) ¿Cómo elegiría un modo de polarización al implementar un amplificador sobre
la base de transistores bipolares?

7.-CONCLUSIONES

Emita al menos cinco conclusiones entorno al trabajo de diseño de polarización de

transistores BJT realizado en el procedimiento: