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UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL Campus Arturo Ruiz Mora Santo Domingo FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERIA CARRERA DE INGENIERIA EN ELECTROMECANICA

ASIGNATURA: ELECTRONICA BASICA TEMA: CIRCUITO DE POLARIZACION DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

GRUPO: # 3 - ALVAREZ JORGE - CAMPAA ALEXANDER - SUAREZ FELIX - SANTE JAVIER

CATEDRATICO: ING. CHRISTIAN MACIAS

Tema: Circuito de polarizacin de un transistor bipolar Objetivos: Comprobar en la prctica el cumplimiento de las ecuaciones que rigen la operacin de un transistor bipolar de unin. Determinar prcticamente el Beta del BJT empleado. Marco terico: Transistor bipolar o de juntura BJT El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se encuentran los smbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor. Tensiones y corrientes en el transistor En general se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor, como las que aparecen en las figuras 2 y 3. Esta definicin es la que se usar a lo largo del presente cuadernillo y sigue una representacin fsica de las mismas (pues en funcionamiento normal todas las corrientes y tensiones definidas son positivas). Existen otras formas de indicar dichas tensiones y corrientes, aunque no se tratarn aqu.

Configuracin base comn En estos tipos de montajes en los que la entrada de seal a amplificar y la salida amplificada se toma con respecto a un punto comn, en este caso el negativo, conectado con el emisor del transistor. Este circuito nos ayudar a comprender el funcionamiento de un transistor tipo NPN.

Participemos de la base del conocimiento del circuito elctrico interior del transistor NPN, y de sus polarizaciones. Se puede decir que un transistor NPN es bsicamente un circuito hecho con dos diodos conectados en oposicin y con una toma intermedia, de la forma que vemos en la figura.

Su polarizacin correcta de funcionamiento es la siguiente: V emisor-base = directa, es decir, el diodo formado por emisor y base debe estar polarizado directamente. V basecolector = inversa. Regiones de funcionamiento Corte Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0. Activa La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en inversa. En general, y a efectos de clculo, se considera que se verifica lo siguiente:

donde V es la tensin de conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios). Saturacin En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la basecolector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se verifica slo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente). Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: IC = .IB Curvas caractersticas, punto de trabajo y recta de carga. En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de carga: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del transistor de la figura b, corresponde a una recta. Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (VCE, IC) del transistor se selecciona dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC b) IC=0, entonces VCE=VCC Estos puntos se pueden identificar en la figura b y representan los cortes de la recta de carga con los ejes de coordenadas. Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es seleccionar la situacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica.

Materiales y equipo necesario: 1 transistor 2N2222 o equivalente 1 protoboard Instrumentos de medicin 1 manual de semiconductores ECG 1 fuente de voltaje fija a 12 voltios de corriente continua 1 Rb= Resistencia de 470 K a watt. 1 Rc= Resistencia de 1,3 K a 1 RC`= resistencia de 3,8 K a 1 Re= Resistencia de 1 K a Procedimiento y desarrollo: 1. Mediante el uso del manual de semiconductores ECG buscar la disposicin de terminales del transistor 2N2222 anotndolos en un cuadro de especificaciones tcnicas. 2. Mediante el uso del Multimetro digital, utilizando la escala de prueba de diodos medir la resistencia entre las terminales del transistor 2N2222. Recordar que primero se debe detectar la base del transistor y partiendo de ella se mide la resistencia de base a colector y la resistencia de base a emisor, marcando un valor de baja resistencia. 3. Invertir las puntas del Multimetro digital y medir la resistencia entre las uniones del transistor marcando un valor de alta resistencia. 4. Elaborar una tabla que incluya la nomenclatura del transistor, la disposicin de terminales y las caractersticas tcnicas de funcionamiento. 5. Armar en protoboard el circuito de la figura 1 y obtener tanto terica como prcticamente los parmetros principales del circuito: Ib, Ic, Vce, , etc. 6. Obtener el valor aproximado de la ganancia DC () del transistor empleado y compararla con el valor terico especificado para dicho dispositivo. En qu regin de operacin se encuentra el transistor? 7. Repetir los pasos 5 y 6 para una Rc= 3,8 K. Puede emplear un potencimetro. watt. watt. watt.

Grficas:

Fig. 1 - Practica #1

Fig. 2 - Practica #2

Tablas: KSP2222A (ECG 123A)

Datos del manual ECG


ECG Type ECG 123A BVCBO 75 V BVCEO 40 V BVEBO 6V IC (mA) 800 PD (W) 500 F (MHz) 300 hFE 200 Vce(sat) 0.6 V

MEDIDAS DE RESISTENCIA DEL TRANSISTOR PRACTICA #1 BASE - COLECTOR BASE EMISOR 4.630 m 4.630 m PUNTAS NORMALES PUNTAS INVERTIDAS Valor maximo Valor maximo MEDIDAS DE RESISTENCIA DEL TRANSISTOR PRACTICA #2 BASE - COLECTOR BASE EMISOR 4.630 m 4.630 m PUNTAS NORMALES PUNTAS INVERTIDAS Valor maximo Valor maximo Valores reales de las resistencias Rb (K) Re (K) 468.6 944 470.1 983

Practica #1 Practica #2

Rc (K) 1.186 3.933

VRb
Calculados Medidos
7.89V 8.07V

VRe
3.37V 3.20V

VRc
4.03V 3.8V

Valores de la practica #1 Vbe Vce Vbc Vb


0.7V 0.648 4.61V 5.03V -3.91V -4.26V 4.06V 3.02V

Ve
3.36V 3.18V

Vc
7.97V 8.24V

Ib
16.8A 17.22A

Ic
3.36mA 3.2mA

VRb
Calculados Medidos
7.89V 8.96V

VRe
3.37V 2.44V

VRc
13.01V 9.45V

Valores de la practica #2 Vbe Vce Vbc Vb


0.7V 0.648V -4.46V 0.153V 5.16V 0.35V 4.06V 3.02V

Ve
3.37V 2.45V

Vc
-1.1V 2.59V

Ib
16.8A 19.05A

Ic
3.36mA 2.4mA

Calculos: Practica # 1 Con datos nominales Datos Rb= 470 K Re= 1 K Rc= 1.2 K Vcc= 12 V = 200 Calcular: Ib=? Ic=? Vce=? Vbc=? Vc=? Ve=? Vb=?

Malla Base Emisor

 

Malla Colector Emisor


                                       

Practica # 1 Con datos obtenidos Datos: Rb= 468.6 K Rc= 1.186 K Re= 0.994 K VRb= 8.07 V VRc= 3.8 V VRe= 3.2 V Vcc= 12.03 V
  
 

Vce= 5,03 V Vbe= -4.26 V Vbe= 0.648 V Vb= 3.02 V Ve= 3.188 V Vc= 8.24 V


 

 

 

Practica #2 Con datos nominales Datos Rb= 470 K Re= 1 K Rc= 3.9 K Vcc= 12 V = 200 Calcular: Ib=? Ic=? Vce=? Vbc=? Vc=? Ve=? Vb=?

Malla Base Emisor


 

Malla Colector Emisor


                                       

Practica # 2 Con datos obtenidos Datos: Rb= 470.1 K Rc= 3.933 K Re= 0.983 K VRb= 8.96 V VRc= 9.45 V VRe= 2.44 V Vcc= 12.03 V Vce= 0.153 V Vbe= 0,35 V Vbe= 0.648 V Vb= 3.02 V Ve= 2.45 V Vc= 2.59 V

  
 


 

 

 

Cuestionario: 1. Qu diferencia encuentra entre el obtenido en el primer circuito y el del segundo? Compare ambas, son iguales? Explique. Los betas obtenidos no son iguales debido a que en el primer circuito el transistor si cumple con la funcin de amplificar corriente, por lo tanto la formula Ic= .Ib si se cumple debido a que el voltaje colector-emisor es mayor a 1 voltio y si se asemeja a la ganancia nominal que es 200. En cambio en el segundo circuito el transistor no cumple con la funcin de amplificar corriente debido a que el voltaje colectoremisor es menor a 1 voltio y no se asemeja a la ganancia nominal del catalogo de semiconductores ECG. 2. Justifique matemticamente el valor de Ic en el segundo circuito. Depende del valor de Ib? De dnde se obtiene dicho valor? Explique. El valor de Ic no depende del valor de Ib debido a que en este caso Ic e Ib son parte de Ie y la constante de ganancia beta ( ) no es vlida cuando el transistor est trabajando en la regin de saturacin. Con lo que la sumatoria de Ib e Ic nos da el valor de Ie. Como lo podemos visualizar en la siguiente frmula: 3. Dibuje la recta de carga del circuito a)

IC (mA)
Ic=10.11mA

Regin de saturacin Vce= 0 Q (5.03 V, 3.2 mA) Regin de corte Ic= 0


Vcc=12 V

VCE (V)

4. Genere sus propias conclusiones. Que este transistor puede trabajar en la regin lineal o activa hasta un mnimo de Ic = 10.11 mA y un mnimo de Vce = 12 V. Si baja de estos valores el transistor cambia de regin, este puede cambiar a la regin de corte o de saturacin.

Conclusiones: Concluimos que al elevar el valor de la resistencia del colector podemos hacer que el transistor cambie a la zona de saturacin y que funcione como un interruptor cerrado y no como amplificador. Tambin comprobamos que el voltaje colector-emisor es menor que 1 Voltio cuando el transistor esta trabajado en la zona de saturacin. Concluimos que en el segundo circuito la formula Ic= .Ib no se cumple por que la corriente de colector medida solo es la diferencia de la corriente del emisor menos la corriente de base.

Recomendaciones: Recomendamos utilizar todas las reglas de redondeo para los clculos de los circuitos del transistor para evitar que los valores no varen mucho en relacin con los datos obtenidos a travs de la prctica. Tambin recomendamos verificar que los elementos a utilizar en el circuito tengan un rango nominal de variacin, el reglamentario.

Bibliografa: http://www.unicrom.com/Tut_caracteristicas_transistor_bipolar.asp http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf http://www.unicrom.com/Tut_emisor_com.asp http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar http://www.unicrom.com/Tut_recta_carga_estatica_transistor_bipolar.asp