1 Práctica No. 2.

Circuito con polarización fija del transistor bjt Academia de Instrumentación

ALEXIS RAMIREZ PANIAGUA

Nombres: _________________________________________________ 334-A
Grupo: __________
6/9/23
__________________________________ Fecha: _________ Equipo: __________

Polarización de CD del transistor BJT

Circuito con polarización fija

El circuito con polarización fija que se muestra en la figura 1 proporciona un punto de inicio
relativamente directo y simple de las consideraciones de la polarización de cd.

El análisis para esta configuración se hace con un transistor npn, las ecuaciones y los cálculos se
aplican de igual forma a un transistor pnp cambiando tan sólo todas las direcciones de corriente y
las polaridades de voltaje.

Figura 1. Circuito de polarización fija

Es posible considerar la polarización de un BJT analizando en forma separada los bucles (mallas,
circuitos) de polarización de cd de base a emisor y de base a colector. Recuérdese que para operar
el BJT en su región lineal, la base-emisor debe estar polarizada directamente (o bien el transistor se
corta), y la base-colector inversamente polarizada.

Del circuito con polarización fija de la figura 1, podemos determinar las corrientes y voltajes de
polarización de cd en la base y el colector del transistor, como se menciona enseguida.

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Polarización directa de base-emisor

Considérese primero el bucle (malla) de circuito de la base-emisor que se muestra en el diagrama

del circuito parcial de la figura 2. Escribiendo la ecuación de voltaje de Kirchhoff para el bucle (malla),
obtenemos

+𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0

Figura 2. Bucle (malla) base-emisor

Resolviendo la ecuación anterior para la corriente de la base 𝐼𝐼𝐵𝐵 .

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 1
𝑅𝑅𝐵𝐵

Puesto que el voltaje de alimentación VCC y el voltaje de la base-emisor VBE son valores fijos, la
selección de una resistencia de polarización de la base (RB) fija, y el valor de la corriente de la base
(IB). Con una buena aproximación, es posible incluso despreciar las pocas décimas de una caída de
voltaje VBE entre la base-emisor con polarización directa, obteniendo la forma simplificada para
calcular la corriente de la base.

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝐼𝐼𝐵𝐵 ≅ 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 2
𝑅𝑅𝐵𝐵

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Polarización inversa de base-colector

La sección del colector-emisor del circuito (figura 3) se compone de la batería de alimentación, la

resistencia del colector y la unión del colector-emisor del transistor.

Las corrientes a través del colector y el emisor son aproximadamente iguales puesto que IB es
pequeña en comparación con cualquier otra. En la operación lineal del amplificador la corriente del
colector se relaciona con la corriente de la base mediante la ganancia de corriente del transistor,
beta (β) o hFE. Expresado en forma matemática,

𝐼𝐼𝐶𝐶 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 3

Figura 3. Bucle (malla) colector-emisor

La corriente de la base se determina a partir de la operación de la sección base-emisor del circuito

en la forma que señalan las ecuaciones (1) o (2). La corriente del colector, como indica la ecuación
(3) es β veces mayor que la corriente de base y de ninguna manera depende de la resistencia de
colector. En consecuencia, la corriente del colector se controla mediante la sección de la base-
emisor del circuito y no por la sección del colector-base (o colector-emisor, en este caso).

Al calcular las caídas de voltaje en el circuito del colector-emisor, obtenemos

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 4

Para finalizar la potencia total de esta configuración puede calcular bajo la siguiente condición.

𝑃𝑃𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸 5

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Desarrollo
1. Del siguiente circuito con polarización fija realice los cálculos matemáticos para cada de
las mallas o bucles.

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2. Enumere la lista de material y equipo que necesitara para armar el circuito a efectuarse en
la práctica

1-.Protoboard.
2.-1 Resistencia de 68kΩ.
3.-2 Resistencias de 110 Ω.
4.-Pinza de Corte.
5.-Pinza de punta.
6.-Multimetro.
7.-Eliminador 12 V.
8.-1 Transistor BC 547-B.
9.-Cable calibre 22.
10.-Adaptador switch power HUAWEY polarizado de 12 VCD.
11.-Tabla de madera.
12.-Puntas del multimetro.

3. Mida los siguientes parámetros y compárelos con los valores obtenidos teóricamente.

Teórico Práctico % de error

IB
167.5 µ A 163.7 µ A 2.27 %
IC
55.778mA 53.4mA 4.26 %
VCE 6.12V -2.86 %
5.95V
VBE
0.7V 0.60V 14.29 %
PD 1.60 %
332.13mW 326.81mW

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4. De la hoja de datos del transistor (data sheet) investiga los siguientes parámetros: IB, IC,
hfe, VCEO, VBE, VCESAT, PD.

IB=100mA
IC=100mA
hFE=200-450
VCEO=45V
VBE=0.55V-7V
VCESAT=TYP:0.09V MAX:0.25V
PD=1.5 W

5. Realice una conclusión desprendida de la comparación de los datos obtenidos

prácticamente y teóricamente.

Durante la práctica aprendí a calcular la corriente de la base(IB), la corriente del

colector(IC), voltaje de colector y emisor (VCE), voltaje de base a emisor(VBE) y
la potencia (PD), y comprendí que la beta oh el hFE del transistor cambia
constantemente y esto puede afectar al momento de hacer los cálculos ya que
para eso se ocupa dicha cosa. Por último en lo aprendido de esta práctica fue
que ahora ya conecte un transistor a la corriente eléctrica.

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6. Coloca aquí las evidencias fotográficas del avance de tu práctica y de la firma

correspondiente.

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