Unidad, 1 Act.

2 – Análisis Interpretativo

• Comparación entre los semiconductores intrínsecos y extrínsecos, el dopaje de un material semiconductor.

Desarrollo:
DIFERENCIA SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS SEMICONDUCTORES
EXTRÍNSECOS
Dopaje de la impureza El dopaje o la adición de impurezas no Pequeña cantidad de impureza se
tienen lugar en semiconductores impregna en un semiconductor puro para
intrínsecos. preparar semiconductores extrínsecos.

Densidad de electrones y agujeros. El número de electrones libres en la banda El número de electrones y agujeros no son
de conducción es igual al número agujeros iguales.
en la banda de valencia.

Conductividad eléctrica La conductividad eléctrica es baja. La conductividad eléctrica es alta,

depende de la temperatura, así como de la
cantidad de impurezas dopadas en el
semiconductor puro.

Ejemplo: La conectividad electica es una función de Impureza como AS, SB, P, IN, BI, AL,
la temperatura solo. etc. Están dopadas con germanio y átomo
de silicio.
Forma cristalina de puro silicio y
germanio.

De esta forma tenemos que, resumiendo:

Material extrínseco TIPO N.

• Impurezas del grupo V de la tabla periódica

• Poca energía se ionizan (Pierden un electrón)
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor TIPO N son electrones libres.
Material extrínseco TIPO P.

• Impureza del grupo III de la tabla periódica

• A T=300 K todos los átomos de impureza han captado un electrón.
Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son HUECOS: Actúan como portadores de carga positivo.

En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor

(abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. Para una mayor ilustración de lo que
estamos hablando en la siguiente imagen se muestra el
movimiento de electrones y en un hueco semiconductor.

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