Diodos

Dr. Ricardo Cajo

Escuela Superior Politécnica del Litoral (ESPOL)
rcajo@espol.edu.ec
TIPOS DE MATERIALES
Conductores Semiconductores Aislantes
• Tienen una estructura • Son materiales que • Su estructura atómica
atómica que facilita la cambian su dificulta crear un flujo
conducción de conductividad acorde de electrones.
electrones creando un con su temperatura,
• Vidrio, diamante,
flujo eléctrico. temperaturas bajas
teflón.
actúa como aislante y
• Plata, cobre, plomo,
temperaturas altas
níquel.
como conductor.
• Silicio y Germanio
SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO O PURO

Es un semiconductor cuya estructura es pura, es decir

únicamente átomos de Si unidos por enlaces covalentes.

Es posible que por absorción de energía (térmica o

luminosa), los electrones se liberen y pasen a formar
parte de un flujo de electrones dejando un hueco. El hueco
dejado podría ocuparse con un electrón vecino. Este
efecto recibe el nombre de par electrón-hueco.

Para un semiconductor: Estructura Cristalina de

• n es la concentración de electrones libres. Silicio

• p es la concentración de huecos.
SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO O DOPADO
Si a un cristal puro como los descritos anteriormente se le añade de manera
uniforme cierto tipo de impurezas, por ejemplo átomos pentavalentes o
trivalentes.
Las impurezas que se agregan son cantidad ínfimas en proporción de 1 en 106
átomos de cristal puro. Sin embargo esto puede alterar las bandas de energía
lo suficiente para cambiar totalmente las propiedades eléctricas.

Existen dos materiales extrínsecos de importancia:

• Materiales tipo n.
• Materiales tipo p.
 SEMICONDUCTOR TIPO N
Es fabricado añadiendo a una red cristalina pura
de Silicio o Germanio elementos pentavalentes (5
electrones de valencia), por ejemplo el Antimonio,
Arsénico, Fósforo.
Como se observa en la Figura, hay un quinto
electrón adicional del Sb (Antimonio) que no está
formando un enlace covalente particular, que muy
fácilmente puede transformarse en electrón libre.
Puesto que el átomo de impureza insertado ha
donado un electrón a la estructura, se lo denomina
átomo donante Estructura de Si dopada
con Sb

A temperatura ambiente, hay un gran número de electrones en el nivel de

conducción, por lo que la conductividad del material aumenta.
SEMICONDUCTOR TIPO P
Se crean añadiendo átomos trivalentes (tres
electrones de valencia), tales como el Boro,
Galio a una base de Silicio o Germanio puro.

Puesto que la impureza agregada es capaz

de aceptar un electrón, se le denomina átomo
aceptor.

Debido al átomo aceptor menos energía es

necesaria para conducir o producir un flujo de Estructura de Si dopada
electrones. con B
DIODO SEMICONDUCTOR
Diodo semiconductor es un dispositivo electrónico de dos
terminales construido en base a materiales
semiconductores.
Símbolo del Diodo
Diodo Ideal:
El comportamiento de un diodo ideal se asemeja al
comportamiento de un simple interruptor bipolar.
1. Cuando el voltaje aplicado es mayor que cero,
el diodo actúa como un cortocircuito.
2. Cuando el voltaje aplicado es menor que cero,
el diodo actúa como un circuito abierto.
EJEMPLO
COMPOSICIÓN DEL DIODO
Los materiales usados comúnmente para la construcción de dispositivos
(elementos) semiconductores son:
• Silicio (Si)
• Germanio (Ge)

Para mejorar las características de los elementos antes mencionado se usa un

elemento adicional (ej., pentavalente o trivalente):
• Semiconductores tipo n
• Semiconductores tipo p
REPRESENTACIÓN DEL DIODO
Representación de un diodo común, con la unión de materiales tipo p y
materiales tipo n.

Materiales tipo P Materiales tipo N

(Átomo aceptor) (Átomo donante)

A una temperatura constante y en ausencia de un potencial eléctrico externo, tanto la

región n como la región p son eléctricamente neutras bajo condiciones de equilibrio.
SIN POLARIZACIÓN APLICADA (𝑉𝐷 = 0)
Se ha logrado demostrar que en condiciones de equilibrio y en ausencia de
polarización externa, el comportamiento del diodo es regulado por:
• 𝐼𝑟 es la corriente de recombinación dada por el número real de portadores
que atraviesan la barrera.
• 𝐼𝑟𝑜 es la corriente de recombinación inicial dada por el número neto de
𝑉 portadores que inician el camino a través de la unión.
− 𝐶
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟𝑜 𝑒 𝑉𝑇 [A] • 𝑉𝑇 es el voltaje térmico ≈26 [mV].
• 𝑉𝐶 es el voltaje de barrera, que tiene los valores aproximados de 0.6 [V] o
𝑘𝑇 0.3 [V] dependiendo del material.
𝑉𝑇 = [V] • K es la contante de Boltzmann= 1.38x10−23 𝐽/𝐾
𝑞
• T es la temperatura absoluta en Kelvin =273 + la temperatura en °C.
• q es la magnitud de la carga del electrón = 1.6x10−19 𝐶

En caso de existir una tensión externa inversa tenemos que la corriente de saturación
es igual a la corriente de recombinación.
Si --- 1 – 10nA
𝐼𝑟 = − 𝐼𝑠 𝐼𝑠
Ge --- 1 – 2 uA
EJEMPLO
A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en un sistema
de operación cerrado), determine el voltaje térmico VT:

T = 273 + °C = 273 + 27 = 300 K

POLARIZACIÓN DIRECTA ( 𝑉𝐷 > 0)
Si aplicamos una tensión externa (voltaje) de modo que el ánodo del elemento se conecta al
terminal positivo de una batería, y el cátodo al terminal negativo, estamos polarización
directamente al diodo; y en consecuencia tenemos:

𝑉 −𝑉
− 𝐶 𝐼𝐴𝐾 = 𝐼𝑟 − 𝐼𝑠
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟𝑜 𝑒 𝑉𝑇
𝑉 𝑉
− 𝐶
𝐼𝑟 = 𝐼𝑟𝑜 (𝑒 𝑉𝑇 ∗ 𝑒 𝑉𝑇 )
𝑉
𝑉
𝐼𝑟 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 𝐼𝐴𝐾 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)

En la fabricación de un diodo se introducen ciertas resistencias internas que de alguna

manera alteran el comportamiento ideal.
POLARIZACIÓN DIRECTA ( 𝑉𝐷 > 0)
Desde el punto de vista atómico, cuando se aplica un potencial positivo al
material p y un potencial negativo al material tipo n induce a que crezca
exponencialmente el flujo de portadores mayoritarios (𝐼𝐴𝐾 = 𝐼𝐷 ).
 VARIACIÓN DE 𝐼𝐴𝐾 COMO FUNCIÓN DE 𝑉𝐴𝐾
• Voltaje de barrera para el silicio [0.5 – 0.7] V
• Voltaje de barrera para el germanio
[0.2 – 0.3] V

Región A: 0 < 𝑽𝑨𝑲 < 𝑽𝑪

• El diodo no conduce corriente eléctrica.

Región B: 𝑽𝑨𝑲 ≥ 𝑽𝑪
• El diodo conduce corriente eléctrica.

𝑉𝐶 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑟𝑟𝑒𝑟𝑎
POLARIZACIÓN INVERSA
• Si al diodo se le aplica un voltaje exactamente opuesto al voltaje de
polarización directa tal como se muestra en la figura, entonces decimos que el
diodo está polarizado de manera inversa.
• A nivel atómico esto significa mayor dificultad para conducir un flujo de
electrones.
CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN INVERSA

• Al igual que en polarización directa es posible 𝑉𝑟 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜

obtener una característica estática para un diodo
real en polarización inversa como se aprecia en la
Figura.

Región C: 0 < |𝑽𝑨𝑲 | < | 𝑽𝑪 |

• No conduce corriente eléctrica
• Se presentan dos fenómenos, EL Efecto Zener y
el Efecto Avalancha.

Región D: 𝑽𝑨𝑲 ≥ |𝑽𝑹𝑹 |

• Conduce corriente eléctrica.
• Los diodos de Si y Ge se destruyen superado
este limite, mientras que los diodos Zener
trabajan en esta región.
EFECTO ZENER Y AVALANCHA
Efecto Zener
• Si se incrementa lo suficiente el voltaje aplicado en polarización inversa, es
posible que el campo eléctrico en la proximidad de la unión se vuelva tan
fuerte que los electrones sean desprendidos de los enlaces covalentes
generando una corriente negativa.
Efecto Avalancha
• Si los electrones se desprenden de sus átomos debido a un incremento en la
temperatura o a la existencia de un potencial excesivamente alto, pueden
ser acelerados a grandes velocidades mientras cruzan la unión, produciendo
choques entre electrones lo cuales ocasionarían mas choques (al igual que
una avalancha).
CURVA CARACTERÍSTICA PARA DIODOS REALES
CURVA CARACTERÍSTICA PARA DIODOS REALES
RESISTENCIA ESTÁTICA DEL DIODO (𝑅𝐷 )
Al aplicar al diodo un voltaje conocido, se
estará determinado la magnitud de la
corriente que atraviesa por el, referir a la
curva característica de la figura.

Se define entonces como resistencia estática

a la relación entre 𝑉𝐴𝐾 /𝐼𝐴𝐾 .

𝑉𝐴𝐾 𝑉
𝑅𝐷 = =
𝐼𝐴𝐾 𝐼

Usando los valores de voltaje y corriente, es posible sustituir al diodo por una resistencia de
valor 𝑅𝐴𝐾 para proseguir el análisis del circuito.
EJEMPLO
Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la
figura con
a) ID = 2mA
b) ID = 20mA
c) VD = −10V
RESISTENCIA DINÁMICA DEL DIODO (𝑟𝑑 )

Si el voltaje aplicado al diodo oscila alrededor

de un valor de DC, se obtendrá una variación
constante del valor de 𝑅𝑐𝑑 . Esta variación
corresponde a la siguiente expresión.

𝑑𝑉𝑑 ∆𝑉𝑑
𝑟𝑑 = =
𝑑𝐼𝑑 ∆𝐼𝑑

Mientras mayor sea la pendiente la

variación de voltaje ∆𝑉𝑑 en un punto de
operación DC será menor que la variación
de corriente ∆𝐼𝑑 . Entonces la resistencia
será menor.
EJEMPLO
Para las características de la figura
• a. Determine la resistencia de ca con ID = 2 mA.

• b. Determine la resistencia de ca con ID = 25 mA.

• c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las

resistencias de cd en cada nivel de corriente.
RESISTENCIA DINÁMICA DEL DIODO (𝑟𝑑 )
Determinamos la resistencia dinámica gráficamente, pero hay una definición básica en el cálculo diferencial que manifiesta
que:
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente trazada en dicho punto.

En general, ID >> Is en la sección de pendiente vertical de las características y

Sustituyendo n =1 y VT= 26 mV

Esta ecuación implica que la resistencia dinámica se determina con sólo sustituir el valor quiescente de la corriente de
diodo. Sin embargo, esta ecuación es precisa sólo con valores de ID en la sección de levantamiento vertical de la curva.
RESISTENCIA DINÁMICA DEL DIODO (𝑟𝑑 )

Con valores menores de ID, n=2 (silicio) y el valor de rd obtenido debe multiplicarse por un factor de 2. Con valores
pequeños de ID por debajo de la rodilla de la curva, la ecuación se vuelve inapropiada.

Todos los niveles de resistencia determinados hasta ahora fueron definidos por la unión p-n y no incluyen la
resistencia del material semiconductor propiamente dicho (llamada resistencia del cuerpo) y la resistencia introducida
por la conexión entre el material semiconductor y el conductor metálico externo (llamada resistencia de contacto).
Estos niveles de resistencia adicionales se pueden incluir en la ecuación agregando una resistencia denotada rB’:
RESISTENCIA PROMEDIO DEL DIODO (𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 )
Si la señal de entrada es suficientemente grande para
producir una amplia variación tal como se indica en la
figura, la resistencia asociada con el dispositivo en esta
región se llama resistencia de ca promedio.

La resistencia de ca promedio es, por definición, la resistencia

determinada por una línea recta trazada entre las dos
intersecciones establecidas por los valores máximo y mínimo
del voltaje de entrada
RESUMEN
DEPENDENCIA DE LA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL DIODO CON LA
TEMPERATURA

Polarización Inversa y
Polarización Directa
considerando efecto Avalancha
 DEPENDENCIA DE LA CARACTERÍSTICA ESTÁTICA DEL DIODO CON LA
TEMPERATURA

Polarización Directa Polarización Inversa y

considerando efecto Zener
En polarización directa, incremento de temperatura en 1 [ºC], el voltaje ánodo – cátodo (VAK) disminuye en
2mV mientras que la corriente 𝐼AK aumenta en un 7.5% aproximadamente, ya sea el diodo de Ge o de Si.
APROXIMACIONES DEL DIODO

Diodo Ideal
El comportamiento de un diodo ideal se asemeja al comportamiento de un simple
interruptor bipolar.
1. Cuando el voltaje aplicado es mayor que cero, el diodo actúa como un
cortocircuito.
2. Cuando el voltaje aplicado es menor que cero, el diodo actúa como un
circuito abierto.
APROXIMACIONES DEL DIODO
Primera Aproximación
• El diodo ideal es muy útil cuando queremos obtener una respuesta
aproximada del circuito. Sin embargo si buscamos acercarnos a la realidad,
tenemos que tener en cuenta la caída de potencial que se produce en el
diodo debido a la barrera de voltaje.
• El diodo puede sustituirse por una fuente de voltaje (no independiente), cuyo
valor sea igual al voltaje codo 𝑉𝑐 (voltaje de polarización).
• Cuando el voltaje en el diodo supere ligeramente al valor de 𝑉𝑐 , (0.7 V para
diodos de silicio y 0.3 V de germanio), se puede sustituir de la siguiente
manera:
 APROXIMACIONES DEL DIODO
Primera Aproximación

Esta primera aproximación es útil cuando el voltaje en el diodo es comparable con el resto de
voltajes en la red.
APROXIMACIONES DEL DIODO
Segunda Aproximación
• Si se requiere un análisis más riguroso, es posible
introducir en la resolución del problema, el valor de la
resistencia interna promedio del elemento.
• Cuando el voltaje de entrada supere el voltaje codo
(𝑉𝑐𝑆𝑖 = 0.7 V y 𝑉𝑐𝐺𝑒 0.3 V), “el diodo conduce”, pero a
medida que aumenta la corriente que circula por el
elemento se podrá verificar una caída de potencial en
la resistencia interna 𝑟𝑎𝑣 .
• La resistencia interna 𝑟𝑎𝑣 es proporcionada por el
fabricante.
APROXIMACIONES DEL DIODO
Segunda Aproximación
• Si se requiere un análisis más riguroso, es posible
introducir en la resolución del problema, el valor de la
resistencia interna promedio del elemento.
• La resistencia interna 𝑟𝑎𝑣 es proporcionada por el
fabricante.

Esta segunda aproximación del diodo, es solo de utilidad

cuando se requiere un análisis minucioso del circuito o cuando se
está llevando a cabo un proceso de diseño.
para la mayoría de aplicaciones es únicamente necesario utilizar
la primera aproximación.
APROXIMACIONES DEL DIODO