UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS

PRIMER CLAUSTRO UNIVERSITARIO DE COLOMBIA

FACULTAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Laboratorio No. 01
Caracterización de Unión pn.
Nicolas Andrés Cód.: 00000, Santiago Garzón Sierra.: 2239790
Presentado a: M.Sc. Oscar Mauricio Gelves Lizarazo.

RESUMEN: Al desarrollar este laboratorio se tomará como Diodo ideal: El diodo ideal es un componente discreto que
base el circuito propuesto en la guía, con respecto a ello se permite la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinarán los valores de la resistencia con la cual se logrará determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
imitar la máxima corriente y la máxima tensión eléctrica, contrario.
posteriormente se deberá aplicar una variación de la fuente
para lograr unos valores de tención determinada, al finalizar se
deberá comprobar por medio del osciloscopio que dicha
configuración logra recrear las curvas propuestas en el
laboratorio.

I. INTRODUCCIÓN
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales
que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de
él en un solo sentido. También cuenta con las funciones de
rectificar debido a que son dispositivos capaces de suprimir
la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para
convertir una corriente alterna en corriente continua. Y
proteger un circuito en donde convenga que la corriente
circule solamente en un determinado sentido, y nunca en el Ilustración 1 Curva característica del diodo ideal
sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que
diodo.
pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe
en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio,
con impurezas en él para crear una región que contiene
portadores de carga negativa (electrones), llamado
semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado
semiconductor tipo p.

En esta práctica se demostrarán las funciones del diodo por

medio de cálculos, simulaciones en el software OrCAD y
montaje experimental

II. MARCO TEÓRICO

Diodos: El diodo es un elemento electrónico que tiene como

propiedad permitir el flujo de electrones en un solo sentido,
por ello es comparado con un interruptor el cual abre y cierra
los circuitos. Este componente está formado por dos tipos de Ilustración 2 Curva característica del diodo real
materiales.
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización
Modelos del diodo: directa, pero como a efectos prácticos no conduce, se toma
como inversa. Con esta segunda aproximación el error es
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menor que en la aproximación anterior.

Material tipo n: para incrementar el número de electrones de

banda de conducción en el silicio intrínseco se agregan átomos
de impureza pentavalente (átomos con cinco electrones de
valencia, como arsénico, fosforo, bismuto y antimonio) El
número de electrones de conducción puede ser controlado con
cuidado mediante el número de átomos de impureza agregados
al silicio. Un electrón de conducción creado mediante este
proceso de dopado no deja un hueco en la banda de valencia
porque excede el número requerido.
Ilustración 3 Semiconductor tipo P

Los huecos son los portadores mayoritarios en un material tipo

p. Aunque la mayoría de los portadores de corriente en un
material tipo p son huecos, también existen algunos electrones
de banda de conducción que se crean cuando térmicamente se
generan pares electrón-hueco. Estos electrones de banda de
conducción no se producen por la adición de átomos de
impureza trivalentes. Los electrones de banda de conducción
en un material tipo p son los portadores minoritarios.

Comportamiento de un diodo en polarización directa: Para

polarizar un diodo se aplica voltaje de cc a través de él, en esta
Ilustración 2 Semiconductor tipo N condición permite la circulación de corriente a través de la
unión pn
Los electrones se conocen como portadores mayoritarios en
material tipo n. Aunque la mayoría de los portadores de
corriente en un material tipo n son electrones, también existen
algunos huecos que se crean cuando térmicamente se generan
pares electrón-hueco (estos huecos no se producen por la
adición de átomos de impureza pentavalentes). Los huecos en
un material tipo n reciben el nombre de portadores
minoritarios.

Material tipo p: con el fin de aumentar el número de huecos

en silicio puro se añaden átomos de impureza trivalentes
(átomos con tres electrones de valencia, como aluminio, boro,
y galio)El número de huecos se controla cuidadosamente con
el número de átomos de impureza trivalente agregados al
silicio. Un hueco creado mediante este proceso de dopado no
está acompañado por un electrón de conducción (libre).
Ilustración 4 Polarización directa
Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la
fuente de voltaje de la polarización “empuja” a los electrones
libres, los cueles son portadores mayoritarios en la región n,
hacia la unión pn. Este flujo de electrones libres se llama
corriente de electrones. El lado negativo de la fuente también
genera un flujo continuo de electrones a través de la conexión
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externa (conductor) y hacia la región n como la figura.

Ilustración 6 Polarización Inversa

Ilustración 5 Diodo en polarización directa
Una fuente de voltaje de cc conectada a través de un diodo en
La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente la dirección que produce polarización en inversa.
energía a los electrones libres para que venzan el potencial de
barrera de la región de empobrecimiento y continúen Un diodo conectado para polarización en inversa. Se muestra
moviéndose hacia la región p. Una vez que llegan a la región un resistor limitador, aunque no es importante en la
p, estos electrones de conducción han perdido suficiente polarización en inversa porque en esencia no hay corriente.
energía para combinarse de inmediato con los huecos
presentes en la banda de valencia. Entonces, los electrones
quedan en la banda de valencia de la región p simplemente
porque perdieron demasiada energía al vencer el potencial de
barrera y permanecer en la banda de conducción. Como las
cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de
voltaje de polarización atrae los electrones de valencia hacia el
extremo izquierdo de la región p. Los huecos en la región p Ilustración 7 Diodo en polarización inversa
proporcionan el medio o “ruta” para que estos electrones de
valencia se desplacen hacia la región p. Los electrones de
valencia se desplazan de un hueco al siguiente hacia la En la región p, los electrones procedentes del lado negativo de
izquierda. Los huecos, que son portadores mayoritarios en la la fuente de voltaje entran como electrones de valencia y se
región p, efectivamente (no en realidad) se desplazan a la desplazan de hueco en hueco hacia la región de
derecha hacia la unión. empobrecimiento, donde crean iones negativos adicionales.
Esto ensancha la región de empobrecimiento y agota los
portadores mayoritarios. El flujo de electrones de valencia
Comportamiento de un diodo en polarización inversa: La
puede ser considerado como huecos que están siendo “jalados”
polarización en inversa es la condición que en esencia evita
hacia el lado positivo.
la circulación de corriente a través
del diodo. III. PROCEDIMIENTO Y DESARROLLO

Para realizar el primer punto correspondiente a la practica se

nos solicitaba que halláramos unas determinadas resistencias,
con el fin de que estas nos ayuden a que el circuito y el diodo
que en este caso es el (BZX85C3V3RL) funcionen dentro de
los parámetros correctos, en la siguiente imagen se puede
observar el circuito a operar:
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Se sustituyen los respectivos valores y tenemos que:

9𝑉 − 1.2𝑉
=𝑅
100𝑚𝐴

El valor de la resistencia para el circuito cuando el diodo se

alimente de manera directa es:

𝑅 = 78 Ω

Con esta resistencia se procede a realizar la simulación del

Para solucionar este punto fue necesario analizar el datasheet circuito en el software Orcad la cual dio como resultado:
del diodo para así saber cual era su voltaje y corriente
máxima al ser polarizado de manera directa e inversa, en la
siguiente imagen se puede observar cuales son estos valores:

Al tener claros estos valores procedemos a plantear las

ecuaciones con las cuales encontraremos la respectiva
resistencia:

Polarización directa:

Primero hallamos la resistencia polarizando el diodo de

manera directa, para el diodo en polarización directa se tiene
que:

Vmax= 1.2V
Imax= 200Ma
Vin=9V

Al tener estos datos procedo a dar un valor a mi fuente para

así hallar la resistencia, esto se realiza de la siguiente manera:
En la grafica se puede observar como el voltaje llega a un
máximo y completamente racional conforme al aumento de
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑅 − 𝑉𝐷 = 0
corriente.
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 = 𝑉𝑅
Polarización inversa:
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 = 𝐼 ∗ 𝑅
Luego se procede a realizar exactamente los mismos cálculos,
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 pero esta vez para polarizar el diodo de manera inversa:
=𝑅
𝐼 Vin=9V
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Vmax=3.3V
Imax= 80mA

Al tener estos datos se procede a realizar los determinados

cálculos para obtener el valor de la resistencia:

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝑅 − 𝑉𝐷 = 0

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 = 𝑉𝑅

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 = 𝐼 ∗ 𝑅

𝑉𝑖𝑛 − 𝑉𝐷 Con estas graficas se puede apreciar que las resistencias

=𝑅 funcionan de manera adecuada para soportar mi voltaje
𝐼
preestablecido.
Se sustituyen los respectivos valores y tenemos que:
9𝑉 − 3.3𝑉
=𝑅
50𝑚𝐴

La resistencia obtenida es de:

𝑅 = 114Ω

Al realizar los cálculos se procede a realizar las simulaciones

en Orcad:

R1

114

V1
9V

D1
BZX84C3V3/ZTX