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UNIVERSIDAD DEL QUINDÍO <

Características Del Diodo De Juntura


Jheison Diaz Lopez. Programa de Tecnología en Instrumentación Electrónica, Facultad de Ciencias
Básicas y Tecnología, Universidad del Quindío - Colombia.

materiales semiconductores utilizados para fabricar diodos


son el Germanio o silicio. La mayoría de diodos en uso son
de silicio, en la siguiente figura se muestra que un diodo está
compuesto por dos partes separados por una juntura también
I. INTRODUCCION denominada barrera o unión. Los extremos están fabricados
de: Germanio o silicio tipo P y Germanio o silicio tipo NEl
El diodo es un componente electrónico de dos terminales, silicio utilizado para hacer diodos se presenta en formas
diseñado para que la corriente fluya en un solo sentido. La cristalinas, creado artificialmente en un laboratorio. Para ser
corriente fluye desde el terminal positivo (ánodo) hacia el un material tipo N dentro del cristal se introducen unas
terminal negativo (cátodo), en los diodos físicos se identifica impurezas que tienen un electrón de valencianas que
el cátodo por una franja que se coloca en uno de los el silicio. Las impurezas entonces agregan electrones extras,
extremos del diodo. Son dispositivos semiconductores que denominados portadores electrizados como se muestra en la
tienen muchos tipos y aplicaciones, tales como diodos de siguiente figura: El otro extremo del cristal es un material
señal, diodos de protección para relés, diodos rectificadores, tipo P producido mientras la impurificación con una
Los diodos son elementos que poseen propiedades únicas de impureza que tiene un electrón de valencia menos que el
los semiconductores y pueden ser encontrados en cualquier silicio los portadores electrizados en los materiales tipo P
tipo de circuito electrónico. Los diodos tienen aparecen como cargas positivas denominados huecos. En un
características diferentes entre su gran variedad, voltaje material semiconductor el hueco es producido por la
de conducción, máxima corriente, en este laboratorio ausencia de un electrón. En a juntura entre materiales tipo P
analizaremos el comportamiento de los diodos de silicio y y N existe una barrera que es el resultado de la migración de
germanio, posteriormente se hará las simulaciones en las cargas a través de la juntura. Las cargas que se combinan
proteus con sus respectivas gráficas. con cargas opuestas dejan atrás sus iones que forman la
barrera está barrera es de 0.7 volts para el silicio y 0.3 para
el Germanio. La región cerca de la barrera es denominada
II. OBJETIVOS región de refracción.

1. Estudiar el comportamiento eléctrico de los diodos Polarización directa del diodo: Cuando
de Silicio y Germanio un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa
conectándole una fuente de fuerza electromotriz o
2. Determinar la curva característica de V- I asociada suministro eléctrico (como una batería, por ejemplo), su
a los diodos de Silicio y Germanio lado “P” se vuelve más positivo, lo que ocasiona que se cree
una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte
3. Simular el comportamiento de ambos dispositivos negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en
en la herramienta Proteus esa parte alcancen la “banda de conducción” y puedan
atravesar la unión o juntura “p-n” pasando a llenar los
4. Mediante diferentes valores de voltaje de entrada, “huecos” presentes al otro lado de la unión. De esa forma
calcular la corriente que circula por el diodo y los electrones alcanzarán la banda de conducción,
hacer la respectiva gráfica. atravesarán la unión “p-n” y saltarán de un hueco a otro en
la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido
5. Calcular el porcentaje de error de la corriente que en el polo positivo de la fuente de suministro eléctrico. La
circula por el diodo y el voltaje en sus terminales situación que se produce se puede interpretar como:
entre los valores teóricos y prácticos. electrones moviéndose en un sentido y huecos moviéndose
en sentido opuesto.
III. MARCO TEORICO Polarización inversa del diodo: Cuando
el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado
Diodo: Uno de los usos primarios de los diodos es positivo “P” de la unión “p-n” se vuelve negativo (debido a
cambiar la corriente alterna (AC) a corriente directa estar conectado al polo negativo de la batería). En esas
(DC).Los diodos son representados por el símbolo: Y si condiciones el “nivel de fermi “correspondiente a esa parte
presentación física es variada la más común es: Los positiva crece en altura, impidiendo así que los electrones se
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puedan mover a través Del Cristal semiconductor. En la Diodos de germanio: El 1N4148 es un diodo discreto de
ilustración se pueden observar unas flechas indicando la uso general con una velocidad de cambio alta y una
dirección correspondiente al flujo electrónico tratando de corriente máxima y puntuación de voltaje inverso regulares
acceder al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al para aplicaciones radiales, digitales y de audio. El diodo
estar polarizado de forma inversa la “zona de depleción” se 1N4148 es un pequeño y rápido componente electrónico
amplía. Además, como se puede ver también, la diferencia fabricado de silicio, de alta conductividad, usado en el
de altura del “nivel de fermi” en la parte positiva “P” del procesamiento y detección de señales de radiofrecuencias de
diodo aumenta, mientras que en la parte negativa “N” manera muy eficaz, con un tiempo de recuperación inversa
disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones de no más de 4 ns, su nombre sigue la nomenclatura JEDEC,
presentes en la parte negativa carecerán de la suficiente se encuentra generalmente en un encapsulado de vidrio de
energía para poder atravesar la unión “p-n” tipo DO-35.
Los diodos de germanio a diferencia de los diodos de sillico
se utilizar en circuitos eléctricos que requieran de una baja
potencia; la polarización de voltaje en estos diodos es
mucho más baja y esto permite que el circuito donde se
emplee un diodo de germanio sea más eficiente
eléctricamente, es por esto que son más usados en circuitos
de precisión.
Otro diferencia entre estos diodos y los diodos de silicio es
que tiene su voltaje de polarización directa en 0.3 V, y los
diodos de silicio su voltaje de polarización directa es de 0.7
V.

Fig. 1. Diodo.

Diodos de silicio: El Diodo rectificador 1N4007 es un


rectificador de propósito general. Su función principal es la
de conducir corriente en un sola dirección. Un diodo es un
dispositivo electrónico que tiene dos terminales. Es decir
que tiene una polaridad en particular. Es decir que cuando se
polariza adecuadamente, este tiene una resistencia ideal
igual a 0 ohms. Por el contrario cuando se polariza en
inverso tiene una corriente ideal infinita. Finalmente el
diodo 1N4007 está fabricado de un material semiconductor
con una unión n-p. Esta familia de diodos de propósito Fig. 3. Diodo de germanio 1N4148.
general generalmente tienen una capacidad de corriente de
1A. Se utilizan para adecuar un voltaje de corriente alterna y
poder finalizar o regularizar voltajes. Resistencia: Se denomina resistencia (sobre todo en México
y España) o resistor (en algunos países de Hispanoamérica,
aunque también se usa resistencia en el argot eléctrico y
electrónico) al componente electrónico diseñado para
introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos
puntos de un circuito eléctrico. En otros casos, como en las
planchas, calentadores, etc., se emplean resistencias para
producir calor aprovechando el efecto Joule. Es un material
formado por carbón y otros elementos resistivos para
disminuir la corriente que pasa. Se opone al paso de la
corriente.

Fig. 2. Diodo de silicio 1N4007.


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Fig. 4. Resistencias.

Multímetro: También denominado tester, es un


dispositivo eléctrico y portátil, que le permite a una persona Fig. 6. Fuente de alimentación DC.
medir distintas magnitudes eléctricas que forman parte de un
circuito, como corrientes, potencias, resistencias,
capacitancia, continuidad, etc. Lista de materiales, herramientas y equipos:
Puede medir magnitudes en distintos rangos es decir, si
sabemos que vamos a medir una corriente de 10 A (Amper) - Protoboard.
entonces, elegiremos un rango de 1 A a 50 A. Puede medir - Multímetro.
corriente continua o corriente alterna de - Fuente de corriente DC.
forma digital o analógica. - Resistencias.
- Diodos.

IV. DESARROLLO Y EXPERIMENTOS

En esta práctica se proponen varios experimentos, como


determinar los terminales ánodo y cátodo del diodo, simular
los circuitos y variar su voltaje para observar el
comportamiento del diodo y generar sus curvas
características, en la misma simulación, modificar la fuente
de voltaje por un pulso de tensión entre (5 v/-5 v), usando el
graph mode, visualizar la corriente que atraviesa por ambos
diodos, tiempo de almacenamiento y caída. En la parte dos,
se propone la implementación en físico del circuito
anteriormente simulado, para comparar los valores reales
con los simulados.
Fig. 5. Multímetro digital.
En el apartado de simulación, se utilizó para verificar los
datos con respecto a la parte física.
Fuente: En este caso, fuente dc, es un dispositivo que
entrega una diferencia de potencial en su salida, sea alterna
o directa, se utilizara como variable física para la calibración
del instrumento.
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Fig. 9. Grafica característica Diodo de germanio.


Fig. 7. Diodo de germanio, simulación.

Fig. 10. Grafica característica Diodo de silicio.

El diodo de germanio tiene una resistencia teórica calculada


Fig. 8. Diodo de silicio, simulación.
de 2,89 ohmios, para el diodo de silicio su resistencia
calculada es de 5,53 ohmios.

A continuación obtenemos las tablas de simulaciones de


voltaje y corriente de los diodos (1N4148, 1N4007)
respectivamente, también encontraremos las tablas de los
valores medidos en el laboratorio de los dos diodos
estudiados, así mismo las tablas de porcentajes de erros de
cada uno de ellos, variaremos el voltaje desde 0.1v hasta 5.0
v, y compararemos estos voltajes y corrientes con los
obtenidos en las simulaciones.

Tabla 1. Simulación corriente, y voltaje diodo 1N4148.


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Datos voltaje, corriente y simulación del Diodo 1N4148 Tabla 3. Datos tomados en el laboratorio diodo 1N4148.
Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.1 0 0.10 Datos voltaje, corriente experimentales 1N4148
0.3 0.0025 0.30 Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.5 0.0179 0.46 0.1 0.001 0.16
0.7 0.132 0.57 0.3 0.0046 0.37
0.9 0.298 0.60 0.5 0.0536 0.47
1.1 0.478 0.62 0.7 0.1309 0.55
1.3 0.668 0.63 0.9 0.262 0.56
1.5 0.854 0.65 1.1 0.359 0.58
1.7 1.04 0.65 1.3 0.465 0.59
1.9 1.24 0.66 1.5 0.608 0.60
2.1 1.36 0.67 1.7 0.777 0.61
2.3 1.63 0.67 1.9 0.984 0.62
2.5 1.82 0.68 2.1 1.60 0.63
2.7 2.10 0.68 2.3 1.64 0.63
2.9 2.21 0.68 2.5 1.89 0.64
3.1 2.45 0.69 2.7 2.08 0.64
3.3 2.61 0.69 2.9 2.25 0.65
3.5 2.80 0.70 3.1 2.44 0.65
3.7 3.01 0.70 3.3 2.70 0.66
3.9 3.25 0.71 3.5 2.85 0.66
4.1 3.39 0.71 3.7 2.98 0.66
4.3 3.53 0.71 3.9 3.15 0.67
4.5 3.72 0.71 4.1 3.42 0.67
4.7 3.96 0.72 4.3 3.60 0.67
4.9 4.13 0.72 4.5 3.79 0.67
5.0 4.29 0.72 4.7 3.97 0.67
4.9 4.12 0.68
5.0 4.36 0.68
Tabla 2. Simulación corriente, y voltaje diodo 1N4007.
Tabla 4. Datos tomados en el laboratorio diodo 1N4007.
Datos voltaje, corriente y simulación del Diodo 1N4007
Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V) Datos voltaje, corriente experimental 1N4007
0.1 0.00002 0.10 Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.3 0.000175 0.30 0.1 0.0002 0.13
0.5 0.00514 0.45 0.3 0.0026 0.31
0.7 0.193 0.51 0.5 0.0128 0.40
0.9 0.362 0.54 0.7 0.167 0.44
1.1 0.545 0.56 0.9 0.327 0.47
1.3 0.732 0.57 1.1 0.447 0.48
1.5 0.921 0.58 1.3 0.556 0.49
1.7 1.11 0.59 1.5 0.756 0.50
1.9 1.32 0.60 1.7 0.835 0.51
2.1 1.51 0.60 1.9 0.99 0.52
2.3 1.69 0.61 2.1 1.23 0.52
2.5 1.88 0.61 2.3 1.32 0.52
2.7 2.08 0.62 2.5 1.43 0.53
2.9 2.24 0.62 2.7 1.56 0.54
3.1 2.48 0.63 2.9 1.76 0.54
3.3 2.67 0.63 3.1 1.94 0.54
3.5 2.87 0.63 3.3 2.30 0.55
3.7 3.06 0.64 3.5 2.40 0.55
3.9 3.23 0.64 3.7 2.51 0.56
4.1 3.42 0.64 3.9 2.7 0.56
4.3 3.65 0.64 4.1 3.01 0.57
4.5 3.85 0.65 4.3 3.10 0.59
4.7 4.05 0.65 4.5 3.31 0.60
4.9 4.25 0.65 4.7 3.40 0.60
5.0 4.36 0.65 4.9 3.70 0.61
5.0 3.82 0.62
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0.72 0.68 4%
Tabla 5. Porcentaje error de la corriente 1N4148.

Porcentaje error de la corriente en el diodo 1n4148 Tabla 7. Porcentaje error de la corriente 1N4007.
Simulación(A) Experimental(A, mA) Error (%)
0 0.001 0% Porcentaje error de la corriente en el diodo 1n4007
0.0025 0.0046 1% Simulación(A) Experimental(A, mA) Error (%)
0.0179 0.0536 4% 0.00002 0.0002 2%
0.132 0.1309 0% 0.000175 0.0026 24%
0.298 0.262 4% 0.00514 0.0128 128%
0.478 0.359 12% 0.193 0.167 3%
0.668 0.465 20% 0.362 0.327 4%
0.854 0.608 25% 0.545 0.447 10%
1.04 0.777 26% 0.732 0.556 18%
1.24 0.984 26% 0.921 0.756 17%
1.36 1.60 17% 1.11 0.835 26%
1.63 1.64 2% 1.32 0.99 32%
1.82 1.89 9% 1.51 1.23 28%
2.10 2.08 6% 1.69 1.32 36%
2.21 2.25 4% 1.88 1.43 46%
2.45 2.44 3% 2.08 1.56 52%
2.61 2.70 81% 2.24 1.76 51%
2.80 2.85 5% 2.48 1.94 54%
3.01 2.98 2% 2.67 2.30 37%
3.25 3.15 5% 2.87 2.40 47%
3.39 3.42 3% 3.06 2.51 57%
3.53 3.60 1% 3.23 2.7 56%
3.72 3.79 0% 3.42 3.01 46%
3.96 3.97 0% 3.65 3.10 56%
4.13 4.12 6% 3.85 3.31 56%
4.29 4.36 2% 4.05 3.40 65%
4.25 3.70 55%
4.36 3.82 55%
Tabla 6. Porcentaje error de el voltaje 1N4148.

Porcentaje error de el voltaje en el diodo 1n4148 Tabla 8. Porcentaje error de el voltaje 1N4007.
Simulación(V) Experimental(V, mV) Error (%)
0.10 0.16 0% Porcentaje error de el voltaje en el diodo 1n4007
0.30 0.37 7% Simulación(V) Experimental(V, mV) Error (%)
0.46 0.47 0% 0,1 0,13 3%
0.57 0.55 4% 0,3 0,31 1%
0.60 0.56 4% 0,45 0,4 5%
0.62 0.58 4% 0,51 0,44 7%
0.63 0.59 5% 0,54 0,47 7%
0.65 0.60 5% 0,56 0,48 7%
0.65 0.61 5% 0,57 0,49 8%
0.66 0.62 4% 0,58 0,5 8%
0.67 0.63 4% 0,59 0,51 8%
0.67 0.63 4% 0,6 0,52 8%
0.68 0.64 3% 0,6 0,52 8%
0.68 0.64 4% 0,61 0,53 8%
0.68 0.65 3% 0,61 0,53 8%
0.69 0.65 4% 0,62 0,54 8%
0.69 0.66 3% 0,62 0,54 8%
0.70 0.66 4% 0,63 0,55 8%
0.70 0.66 4% 0,63 0,55 8%
0.71 0.67 3% 0,63 0,56 8%
0.71 0.67 4% 0,64 0,56 8%
0.71 0.67 4% 0,64 0,56 7%
0.71 0.67 4% 0,64 0,57 7%
0.72 0.67 3% 0,64 0,57 7%
0.72 0.68 4% 0,64 0,59 6%
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0,65 0,6 5%
0,65 0,6 5%
0,65 0,61 4% V. CONCLUSIONES

Mientras el voltaje del diodo sea mayor al voltaje generado  Como se puede apreciar las gráfica del diodo en los
por la fuente, actuará como circuito abierto y no fluirá intervalos negativos de voltaje el diodo no conduce,
corriente. Si se sobrepasa ese voltaje entonces el diodo la corriente del diodo es cero. Cuando el diodo se
presenta las características de cortocircuito permitiendo de polariza directamente (voltaje positivo) empieza a
este modo el paso de corriente. A medid que se aumenta el conducir, con lo cual hay un flujo de corriente en
voltaje en la fuente de poder los cambios de corriente no son él.
muy grandes, sin embargo vemos que si se sigue
 En las gráficas ocurre algo similar, en los voltajes
aumentando el voltaje, la corriente en el diodo aumentará de
negativos el diodo esta polarizado inversamente
forma exponencial, como observamos en las simulaciones.
con lo cual no hay flujo de corriente, para valores
positivos el diodo se polariza directamente, hay
Para probar el estado de los diodos con el multímetro haceos
flujo de corriente y a medida que el voltaje
lo siguiente:
aumenta la corriente crecerá.
Se puede probar mejor un diodo si se mide la caída de  La corriente en los diodos aumenta cuando
voltaje a través del diodo cuando está polarizado en directo. variamos el voltaje y comienza a estabilizarse en 5
Un diodo polarizado en directo actúa como un interruptor voltios.
cerrado, lo que permite que la corriente fluya.
 El cambio de las puntas de medición del
El modo Prueba de diodos del multímetro produce un multímetro hace que el diodo se polarice
pequeño voltaje entre los cables de prueba. El multímetro inversamente, ya que al seleccionar resistencia
luego muestra la caída de voltaje cuando los cables de óhmica en el multímetro, este funciona como una
prueba están conectados a través de un diodo polarizado en fuente DC o de batería (en realidad es una batería
directo. interna la que se conecta en el circuito) y hace
posible la comprobación del estado del diodo.

 En la polarización inversa del diodo, el multímetro


(digital) no marca nada, escomo que si se esté
midiendo un circuito abierto.

 Comparando los resultados de la tablas de los


diodos se llega a la conclusión de que el diodo de
germanio es el que menos voltaje necesita para
cada corriente, al contrario el silicio necesita más
para alcanzar la misma corriente que el diodo de
germanio.

 Los Diodos son muy utilizados para proteger


Fig. 11. Ánodo, cátodo. circuitos electrónicos.

Un buen diodo polarizado en directo muestra una caída de VI. REFERENCIAS


voltaje que va de 0.5 a 0.8 voltios para los diodos de silicio
más comúnmente utilizados. Algunos diodos de germanio [1] https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
tienen una caída de voltaje que va de 0.2 a 0.3 V, Un diodo
en cortocircuito tiene la misma lectura de caída de voltaje [2]https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
(aproximadamente 0.4 V) en ambas direcciones
[3]https://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-
Un diodo está polarizado en directo cuando el cable de diodo-germanio-del-diodo-silicio-lista_153695/
prueba positivo (rojo) está conectado al ánodo y el cable de
prueba negativo (negro) está conectado al cátodo, Un diodo [4]https://www.finaltest.com.mx/product-p/art-8.htm
se polariza de forma invertida cuando el cable de prueba
positivo (rojo) está conectado al cátodo y el cable de prueba [5]https://www.studocu.com/es/document/universidad-de-
negativo (negro) está conectado al ánodo. antioquia/fundamentos-de-electronica-
>PROGRAMA DE TECNOLOGÍA EN INSTRUMENTACIÓN ELECTRÓNICA 8
UNIVERSIDAD DEL QUINDÍO <

analoga/practica/practica-3-conceptos-basicos-de-diodos-de-
juntura-ing-telecomunicaciones/3043360/view

[6]https://www.google.com/search?q=diodo+de+juntura&so
urce=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwjbhIX88IXiA
hXBJt8KHZtBA6kQ_AUIDigB&biw=1366&bih=618#imgr
c=tzcJsxYKbVDE3M:

[7]https://www.cdmxelectronica.com/nuevos_productos/co
mponentes/activos/diodos/diodo-de-germanio-1n4148/

[8]https://www.cdmxelectronica.com/nuevos_productos/co
mponentes/activos/diodos/diodo-de-germanio-1n4148/

[9]https://hetpro-store.com/diodo-1n4007/

[10]https://www.academia.edu/7851766/Informe_de_laborat
orio_electronica_CARACTERISTICAS_DEL_DIODO