BASES DE DIFERENCIA SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOROR EXTRINSECOS

INTRINSECO

Dopaje de la impureza El dopaje o la adición Una pequeña cantidad de impureza se impregna en un

de impurezas no tienen semiconductor puro para preparar semiconductores
lugar en extrínsecos
semiconductores
El dopaje o la adición de El número de electrones y agujeros no son iguales
intrínsecos.
impurezas no tienen lugar
en semiconductores El número de electrones
intrínsecos libres en la banda de
conducción es igual al
número de agujeros en
Conductividad eléctrica la banda de valencia
La conductividad eléctrica es alta.

Dependencia de la La conductividad
conductividad eléctrica. eléctrica es baja La conductividad eléctrica depende de la temperatura, así
como de la cantidad de impurezas dopadas en el
semiconductor puro Impurezas como As, Sb, P, In, Bi, Al,
etc. están dopadas con germanio y átomo de silicio
La conductividad
eléctrica es una función
de la temperatura solo.

Comparación entre los semiconductores intrínsecos y

extrínsecos.

El dopaje de un material semiconductor.

El dopaje de semiconductores es la introducción intencional de impurezas en

un semiconductor intrínseco. 

Los dopantes que producen los cambios controlados deseados se clasifican

como aceptores o donantes de electrones

Un  semiconductor dopado , es un semiconductor, que fue dopado

intencionalmente con el fin de modular sus propiedades eléctricas, ópticas y
estructurales. En el caso de detectores de semiconductores de radiación
ionizante, el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un
semiconductor intrínseco con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Por
lo tanto, los semiconductores intrínsecos también se conocen como
semiconductores puros o semiconductores de tipo i.

un proceso que se realiza frecuentemente en electrónica, es el dopado.

Consiste en añadir átomos del grupo III o V del Sistema Periódico, es decir,
con 3 ó 5 electrones de valencia.