PRACTICA DE LABORATORIO N°2 DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODOS SEMICONDUCTORES
Samuel Esteban Cortés Delgado 161004810
secortes@unillanos.edu.co
Miguel Ángel Rodríguez Payares 161004834
marodriguez.payares@unillanos.edu.co
RESUMEN: El presente informe corresponde al
segundo laboratorio de Electrónica Análoga I, en el
cual se enfoca sobre las características del Diodo
semiconductor; sus funcionalidades y Silicio y el diodo de Germanio.
comportamientos, son algunos de los casos que se
presentan en este informe, así como también el
procedimiento realizado para poder analizar,
experimentar y comprender en la totalidad del diodo,
mostrando resultados analíticos y gráficos, por medio
de aparatos electrónicos, poder determinar y observar
de una manera más detallada cómo se comportan en
diferentes aspectos y situaciones, teniendo de tal
manera, un claro conocimiento sobre los Diodos y
entender de manera clara y concisa su funcionamiento,
como también un conocimiento clave que nos ayudara
a lo largo de este curso.
PALABRAS CLAVE: Diodo, semiconductor,
datasheet, LED, diodo Zener
1. INTRODUCCIÓN
Un diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales
que se comporta de manera diferente bajo polarización
directa y bajo polarización inversa. Su
comportamiento se aproxima a un cortocircuito para
tensiones positivas y un circuito abierto para tensiones
negativas.
Para polarización directa ( V positivo e I positivo), el
diodo puede conducir una corriente grande con una
tensión de encendido relativamente pequeña.
Para polarización inversa ( V negativo e I negativo),
el diodo presenta una pequeña corriente relativamente
constante, independientemente de la tensión. Un gran
aumento de la corriente del diodo con un voltaje
negativo específico puede resultar en degradación del
dispositivo.
Existen diodos diseñados para funcionar con una
tensión específica de ruptura, éstos se conocen como
diodos Zener.
En el siguiente laboratorio se determina la curva
característica del diodo semiconductor y se identifican
sus parámetros fundamentales.
2. OBJETIVOS
• Verificar, analizar y comparar las características de
los diodos semiconductores de Si y Ge, diodos
emisores de luz (LED), diodos Zener.
1
• Obtener las curvas características de los diodos
antes mencionados.
• Determinar un circuito equivalente para el diodo de
3. MARCO TEÓRICO
3.1 Materiales semiconductores:
Los materiales semiconductores son aquellos que
tienen propiedades eléctricas intermedias entre los
conductores y los aislantes. A diferencia de los
conductores, que permiten un flujo fácil de corriente
eléctrica, y los aislantes, que no permiten el flujo de
corriente, los semiconductores pueden controlar y
modular la conductividad eléctrica mediante la adición
de impurezas o la aplicación de voltajes externos.
La propiedad fundamental de los semiconductores es
su capacidad para cambiar su conductividad eléctrica
bajo diferentes condiciones. La conductividad de un
semiconductor puede aumentar o disminuir mediante
el proceso de dopaje, en el cual se introducen átomos
de impurezas en la estructura cristalina del material.
Estos átomos adicionales pueden donar o capturar
electrones, creando regiones cargadas positiva o
negativamente llamadas "p" y "n", respectivamente.
Cuando se combinan las regiones "p" y "n" en un
dispositivo semiconductor, como un diodo o un
transistor, se forma una unión "p-n". Esta unión tiene
propiedades especiales que permiten el flujo de
corriente en una dirección y bloquean el flujo en la
dirección opuesta. Esto se conoce como diodo de
unión y es la base de muchos componentes
electrónicos.
Los semiconductores también pueden mostrar otras
propiedades interesantes, como la emisión de luz
cuando se aplica corriente eléctrica, conocida como
electroluminiscencia. Esto ha llevado al desarrollo de
dispositivos como los diodos emisores de luz (LED) y
los láseres.
Algunos ejemplos de materiales semiconductores
comunes son el silicio (Si) y el germanio (Ge), que se
utilizan ampliamente en la industria de la electrónica.
Estos materiales han sido fundamentales para el
desarrollo de la tecnología de semiconductores y los
circuitos integrados que se encuentran en la mayoría
de los dispositivos electrónicos modernos [1].
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3.1.1 Semiconductor extrínseco tipo n:
Un material tipo n se crea introduciendo
semiconductores con 5 electrones de valencia
(antimonio, arsénico y fósforo). Las impurezas
difundidas con 5 electrones de valencia se conocen
como átomos donadores.
Fig. 1. Representación gráfica del material tipo n.
3.1.2 Semiconductor extrínseco tipo p:
Un material tipo p se forma dopando un cristal de Si o
Ge con átomos con impureza de 3 electrones de
valencia (boro, galio, indio). Las impurezas difundidas
con 3 electrones de valencia se llaman átomos
receptores.
Fig. 2. Representación gráfica del material tipo p
3.2 ¿Qué es un diodo semiconductor?
Los diodos semiconductores son componentes
electrónicos fundamentales en la electrónica moderna.
Son dispositivos de dos terminales que permiten el
flujo de corriente eléctrica en una dirección y bloquean
el flujo en la dirección opuesta.
Los diodos semiconductores se basan en el principio
de la unión p-n, que es la unión entre dos materiales
semiconductores con diferentes características de
conducción: uno tipo p (con exceso de huecos) y otro
tipo n (con exceso de electrones). Un diodo
semiconductor se basa en la formación de una barrera
de potencial en la unión p-n. Cuando se aplica una
tensión directa positiva (polarización directa) al diodo,
la barrera de potencial se reduce, permitiendo que los
portadores de carga (electrones y huecos) se muevan a
través de la unión y se establezca una corriente
eléctrica. En cambio, cuando se aplica una tensión
directa negativa (polarización inversa), la barrera de
potencial aumenta, bloqueando el flujo de corriente y
limitando el paso de portadores a través del diodo [2].
2
3.2.1 Diodos con polarización inversa, directa o
sin polarización ( VD = 0V ):
Sin ninguna polarización aplicada a través del diodo
semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección
es cero. La corriente en condiciones sin polarización
es cero.
Fig. 3. Diodo sin polarización.
3.2.2 Polarización inversa:
En esta situación, el diodo actúa como un interruptor
abierto, lo que significa que no permite el flujo
significativo de corriente a través de él. En la
polarización inversa, la zona p del diodo se conecta al
terminal negativo de la fuente de alimentación, y la
zona n se conecta al terminal positivo. Esto crea una
barrera de potencial más grande en la unión p-n, lo que
dificulta el flujo de corriente a través del diodo. En un
diodo ideal, bajo polarización inversa, no debe haber
flujo de corriente. Debido a la polarización inversa se
presenta un crecimiento de la región de agotamiento lo
cual impide que los portadores mayoritarios de cada
material la puedan superar.
Fig. 4. Polarización inversa de un diodo.
3.2.3 Polarización directa:
Cuando un diodo está polarizado directamente,
significa que se le aplica una tensión positiva en su
ánodo (terminal p) y una tensión negativa en su cátodo
(terminal n). En esta configuración, el diodo permite
el flujo de corriente a través de él y se encuentra en su
estado de conducción. Una vez que la tensión directa
aplicada supera la tensión umbral, también conocida
como tensión de encendido o tensión directa de avance
( VF ), el diodo comienza a conducir corriente
significativa. La cantidad de corriente que fluye a
través del diodo aumenta rápidamente a medida que se
incrementa la tensión directa, siguiendo una relación
exponencial. La polarización directa “empuja” a los
electrones del material tipo n y los huecos del material
tipo p hacia la región de empobrecimiento,
provocando una recombinación con los iones.
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Fig. 5. Polarización directa de un diodo.
Un diodo rectificador recoge unos parámetros muy
importantes para definir una curva característica. Esta
gráfica nos sirve para analizar la región de
polarización de un diodo y cuál es el corriente umbral
a la que opera el dispositivo.
3.2.4 Curva característica del diodo.
Fig. 6. Curva característica del diodo.
3.2.4.1 Tensión umbral ( V  ):
La tensión umbral (también llamada barrera de
potencial) de polarización directa coincide en valor
con la tensión de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la
barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del
1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión
externa supera la tensión umbral, la barrera de
potencial desaparece, de forma que para pequeños
incrementos de tensión se producen grandes
variaciones de la intensidad de corriente.
3.2.4.2 Corriente máxima ( I M ):
Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es función de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del
mismo.
3.2.4.3 Corriente inversa de saturación ( I S ):
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares
electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose
que se duplica por cada incremento de 10 °C en la
temperatura.
3
3.2.4.4 Corriente superficial de fugas:
Es la pequeña corriente que circula por la superficie
del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es
función de la tensión aplicada al diodo, con lo que, al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial
de fugas.
3.2.4.5 Tensión de ruptura ( VR ):
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha [3].
3.2.5 Tipos de Diodos semiconductores:
Existen varios tipos de diodos semiconductores, cada
uno con características y aplicaciones específicas. A
continuación, se presentan algunos de los tipos más
comunes de diodos:
3.2.5.1 Diodo rectificador:
Es el tipo más básico de diodo y se utiliza
principalmente para convertir corriente alterna (AC)
en corriente continua (DC). Los diodos rectificadores
son capaces de conducir corriente en una dirección y
bloquearla en la dirección opuesta. Cualquier diodo
rectificador lleva consigo las siguientes
características:
• Corriente directa máxima ( I F ).
• Tensión directa ( VD ), para una corriente I F
determinada.
• Tensión inversa máxima de pico de trabajo ( VRWM ).
• Tensión inversa máxima de pico repetitiva ( VRRM ).
Corriente máxima de pico ( I FSM ).
• Corriente inversa máxima de pico ( I RM ), medida a
VRRM .
• Potencia total ( PTOT ).
Estas características deberán ser tenidas en cuenta en
el momento de la elección del modelo más adecuado
para cada aplicación, procurando no ajustarse
demasiado a los valores límites, ya que ello acortaría
excesivamente la duración del componente.
3.2.5.2 Diodo Zener:
El diodo Zener es un tipo especial de diodo
semiconductor diseñado para operar en la región de
ruptura inversa. A diferencia de los diodos
rectificadores convencionales, que están diseñados
para bloquear por completo el flujo de corriente en la
dirección inversa, los diodos Zener se caracterizan por
tener una tensión de ruptura controlada y bien
definida. Cuando se polariza inversamente un diodo
Zener y se aplica una tensión inversa superior a su
tensión de ruptura (conocida como tensión Zener), el
diodo entra en la región de ruptura inversa y comienza
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a conducir corriente significativa. A medida que la
tensión inversa aumenta más allá de la tensión Zener,
la corriente a través del diodo se mantiene
prácticamente constante, manteniendo una tensión
estable a través de sus terminales. La característica
fundamental de los diodos Zener es su capacidad para
mantener una tensión constante, independientemente
de las variaciones en la corriente. Esto los convierte en
componentes esenciales en aplicaciones de regulación
de voltaje y protección contra sobretensiones. Cuando
se utilizan en un circuito de regulación de voltaje, el
diodo Zener se coloca en paralelo a la carga y se ajusta
a la tensión deseada. Cuando la tensión del circuito
alcanza el valor de la tensión Zener, el diodo entra en
conducción y mantiene la tensión constante.
3.2.5.3 Diodo LED:
Los diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en
inglés) son diodos semiconductores que emiten luz
cuando se aplica una tensión directa. Se utilizan
ampliamente en iluminación, indicadores, pantallas y
señalización. Los LED están compuestos por
materiales semiconductores de dos tipos: el material
tipo p, que tiene un exceso de huecos, y el material tipo
n, que tiene un exceso de electrones. La unión p-n en
un LED es conocida como la unión emisora. Cuando
se aplica una tensión directa al LED, los electrones en
el material tipo n se recombinan con los huecos en el
material tipo p en la unión emisora. Durante esta
recombinación, se libera energía en forma de fotones
de luz. La energía y la longitud de onda de la luz
emitida dependen del material semiconductor
utilizado en la fabricación del LED.
Voltaje en
Color Construcción directa
típico (VF)
Ámbar AlInGaP 2,1
Azul GaN 5,0
Verde GaP 2,2
Naranja GaAsP 2,0
Rojo GaAsP 1,8
Blanco GaN 4,1
Amarillo AlInGaP 2,1
Tabla 1. Materiales de los LED.
3.2.5.4 Diodo Schottky:
Este diodo tiene una caída de tensión directa más baja
y una recuperación más rápida que los diodos
rectificadores convencionales. Se utiliza en
aplicaciones de alta frecuencia, rectificación de alta
velocidad y como protección contra la inversión de
polaridad.
3.2.5.5 Diodo de avalancha:
Este tipo de diodo está diseñado para operar en la
región de avalancha, donde se produce una
multiplicación de portadores de carga en la unión p-n.
Se utiliza en aplicaciones de alta potencia y como
elemento de protección contra transitorios de tensión.
4
3.2.5.6 Diodo de recuperación rápida (FRED):
Estos diodos tienen una recuperación más rápida que
los diodos rectificadores estándar, lo que los hace
adecuados para aplicaciones de conmutación de alta
frecuencia y baja pérdida de conmutación.
3.2.5.7 Diodo PIN:
Este diodo tiene una capa intrínseca (I) entre las capas
p y n, lo que permite una mayor sensibilidad a la luz y
una respuesta rápida en aplicaciones fotodetectores,
fotovoltaicas y de modulación óptica [4].
3.2.6 Parámetros de los diodos:
3.2.6.1 VF : Tensión directa:
Es la tensión mínima requerida para polarizar
directamente un diodo y permitir que fluya corriente a
través de él. Para los diodos rectificadores, VF se
refiere a la tensión en la dirección directa en la cual el
diodo empieza a conducir corriente de manera
significativa. Para los LED, VF es la tensión requerida
para encender el LED y emitir luz.
I
VF = Vk + m log( ) (1)
I DO
Donde:
• Vk es la tensión de umbral o tensión directa inicial
en condiciones específicas (generalmente en torno
a 0.6-0.7 voltios para diodos de silicio).
• m es el coeficiente de temperatura de la tensión
directa del diodo.
• I es la corriente que fluye a través del diodo.
• I DO es una corriente de referencia o corriente de
prueba a la cual se midió Vk (generalmente en el
rango de mA).
3.2.6.2 I O : Corriente directa máxima:
Es la corriente máxima que un diodo puede conducir
de manera continua sin dañarse. Exceder esta corriente
puede causar el calentamiento excesivo del diodo y
eventualmente llevar a su falla.
T j max − Ta
IO = (2)
Rthja + Rthc
Donde:
• T j max es la temperatura máxima permitida en la
unión del diodo.
• Ta es la temperatura ambiente.
• Rthja es la resistencia térmica entre la unión del
diodo y el aire ambiente.
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• Rthc es la resistencia térmica entre la unión del La resistencia estática de un diodo en polarización
diodo y el punto de montaje. directa se llama resistencia directa, y se puede
aproximar utilizando la ley de Ohm:
3.2.6.3 VR : Tensión inversa máxima:
VF
RD = (5)
IF
Es la máxima tensión inversa que un diodo puede
soportar sin entrar en la región de ruptura y dañarse.
Aplicar una tensión inversa más allá de VR puede Donde:
hacer que la barrera de potencial se rompa y la
• RD es la resistencia directa del diodo en
corriente fluya a través del diodo, lo que puede dañarlo
irreversiblemente. polarización directa.
• VF es la tensión directa en el diodo.
VR = VPR + I R RZ (3) • I F es la corriente directa que fluye a través del
diodo.
Donde:
3.2.6.6 I D : La corriente de drenaje:
• VPR es la tensión de ruptura inversa de pico (Peak
Reverse Voltage) especificada por el fabricante. Se refiere a la corriente que fluye a través del drenaje
• I R es la corriente inversa máxima que el diodo de un transistor de efecto de campo (FET) o de un
puede soportar (generalmente especificada en la transistor bipolar cuando está en modo activo. En el
hoja de datos). caso de un diodo, I D se refiere a la corriente que fluye
• RZ es la resistencia en serie del diodo cuando está a través del diodo cuando está polarizado en la
polarizado inversamente. dirección directa:
 VD 
I D = I S  e nVT − 1 (6)
3.2.6.4 trr : Tiempo de recuperación inversa:  
 

Es el tiempo que tarda un diodo en pasar de su estado Donde:

de conducción a bloqueo después de que se invierte la
polaridad de la tensión en él. Durante el cambio de
polaridad, el diodo puede almacenar cargas que deben
disiparse antes de que el diodo se apague
completamente. El trr es el tiempo que lleva eliminar
estas cargas y volver al estado de bloqueo.
trr = t f + tr (4)
• I S es la corriente de saturación inversa del diodo.
• VD es la caída de tensión en el diodo.
• n es el factor de emisión, que es aproximadamente
igual a 1 para diodos de silicio.
• VT es la tensión térmica, que es aproximadamente
igual a 26mV a temperatura ambiente.

Donde: 3.2.6.7 VD : La caída de tensión:

• t f es el tiempo de caída o tiempo de transición de Se refiere a la diferencia de potencial o voltaje que se

conducción a corte, que es el tiempo que tarda el produce a través del dispositivo semiconductor cuando
diodo en dejar de conducir después de que la fluye corriente a través de él. En el caso de un
corriente directa se ha reducido a cero. transistor FET, VD se mide entre el drenaje y la fuente
• tr es el tiempo de subida o tiempo de transición de del transistor. En el caso de un transistor bipolar o un
corte a conducción, que es el tiempo que tarda el diodo, VD se mide entre el ánodo y el cátodo del
diodo en comenzar a conducir después de que se ha dispositivo.
aplicado una corriente inversa y la tensión inversa
ha sido reducida a cero. I 
VD = VT ln  D + 1 (7)
 S
I 
3.2.6.5 RD : Resistencia estática de un diodo:
Donde:
La resistencia estática de un diodo se refiere a la • VT es la tensión térmica, como se mencionó
resistencia eléctrica que presenta el diodo cuando está
polarizado en una dirección específica (ya sea en anteriormente.
polarización directa o en polarización inversa), y se • I D es la corriente de drenaje en el diodo.
mide a través de la caída de tensión y la corriente que • I S es la corriente de saturación inversa del diodo.
fluye a través del diodo en ese estado. 3.2.6.8 rD : Resistencia dinámica:

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Es un parámetro que describe el comportamiento de un
diodo en polarización directa a medida que la corriente
a través de él varía. Representa el cambio en la tensión
del diodo ( VD ) en respuesta a cambios en la corriente
( I D ) que fluye a través de él.
recuperación inversa en el diseño del circuito para
evitar problemas de conmutación, como distorsión de
la forma de onda y pérdida de energía [5].

La resistencia dinámica se puede aproximar utilizando

la siguiente fórmula:

VD
rD = (8)
I D

Donde:

• rD es la resistencia dinámica. Figura 7. Ejemplo del datasheet de un diodo.

• VD es el cambio en la caída de tensión del diodo.
• I D es el cambio en la corriente del diodo.
3.2.6.9 rAV : Resistencia AC promedio:
Es un parámetro que describe la resistencia efectiva de
un diodo cuando se le aplica una señal de corriente
alterna (AC). También se conoce como resistencia
dinámica promedio o resistencia efectiva.
A diferencia de la resistencia estática (resistencia DC),
que se refiere a la relación lineal entre la tensión y la
corriente en polarización directa de un diodo, la
resistencia AC promedio tiene en cuenta los efectos de
la capacitancia y la inductancia parasitaria del diodo
en aplicaciones de alta frecuencia.
La resistencia AC promedio se puede calcular
utilizando la siguiente fórmula:
VD
rAV = (9)
I D
Donde:
4. EQUIPOS UTILIZADOS
Para el desarrollo de la práctica se usaron los
siguientes materiales: 1 diodo de silicio 1N4003, 1
diodo de germanio 1N60P, 2 LED de distinto color,
Diodo Zener 1N735A con Vz = 6V y P = 500mW , 1
resistencia de R = 1k  y P = 250mW . Como
implementos de laboratorio se usaron una protoboard,
un osciloscopio con 3 sondas, un generador de señales,
una fuente dual de voltaje DC, un multímetro y un
cautín.
5. PROCEDIMIENTO
5.1 Pruebas con multímetro:
5.1.1 Seleccione un diodo rectificador 1N4003. Las
pruebas deben hacerse con los diodos
desconectados de cualquier circuito.
Seleccione la opción de diodos en su
multímetro digital.
Forward: Conecte el terminal positivo al
ánodo y el negativo al cátodo para una
polarización directa.

• rAV es la resistencia AC promedio. RTA:

• VD es el cambio en la caída de tensión del diodo
en un ciclo de la señal AC.
• I D es el cambio en la corriente del diodo en el
mismo ciclo de la señal AC.

Es importante tener en cuenta que esta fórmula es una

aproximación y puede variar según el tipo de diodo, la
geometría del paquete, las condiciones de operación y
el diseño térmico del circuito. Además, los diodos
pueden tener diferentes niveles de corriente máxima Figura 8: Diodo de Si 1N4003 conectado de
en diferentes temperaturas. modo directo (forward).

Es recomendable consultar las hojas de datos 5.1.2 Reverse: Conecte el terminal positivo al
(datasheets) o las especificaciones del fabricante del cátodo y el negativo al ánodo para una
diodo para obtener valores más precisos del tiempo de polarización en inversa.
recuperación inversa en diferentes condiciones. RTA:
También es importante considerar el tiempo de

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Figura 13: Diodo Zener 1N735A conectado de

modo inverso (reverse).
Figura 9: Diodo de Si 1N4003 conectado de
El diodo de Ge 1N60P es el que menor voltaje
modo inverso (reverse).
forward tiene con un valor de 0.2263V, le sigue
el de Si 1N4003 con 0.5434V, por último, el
Se comprueba el correcto funcionamiento del
Zener 1N735A con 0.6878V todos obteniendo
diodo ya que arroja las medidas esperadas,
el comportamiento esperado por lo tanto se
0.6V conectado en directo y 0V en inverso.
comprueba su correcto funcionamiento.
5.1.3 Repita para cada uno de los diodos. ¿Cómo
5.1.4 Usando la referencia de cada diodo busque las
compara las medidas del voltaje forward?
hojas de datos (datasheet) en internet, estudie
los parámetros ( VF , IO , VR , TRR ) en las hojas y
RTA:
compare los voltajes forward medidos con los
esperados.

RTA: A continuación, se relacionan los valores

medidos de voltaje directo y los esperados
según el datasheet de los diodos estudiados.

Vm VF IO VR TRR
Si 1N4003 0,54V 0,6V 1A 200V 2µs
Ge 1N60P 0,23V 0,24V 50mA 45V 1ns
Zener 1N735A 0,69V - - 75V -
Figura 10: Diodo de Ge 1N60P conectado de Tabla 2. Valores de voltaje medido ( Vm ),
modo directo (forward).
voltaje de barrera ( VF ), corriente directa
máxima ( IO ), voltaje inverso máximo ( VR ) y
tiempo de recuperación inversa ( TRR ).

5.1.5 Frótese los dedos y péguelos a los diodos antes

de medir el voltaje forward nuevamente ¿Qué
sucede?

En su informe incluya una tabla con las

Figura 11: Diodo de Ge 1N60P conectado de
modo inverso (reverse).
referencias de los diodos y los voltajes forward
(medidos y esperados). Discuta los resultados,
compare con hojas de datos de sus diodos y
explique cómo se ven afectados por el cambio
en temperatura.

RTA: Se disminuye el voltaje de barrera

comparado con el esperado (voltaje directo
medido), se relacionan los cambios en la
siguiente tabla:

Vm Vm2
Si 1N4003 0,54V 0,53V
Figura 12: Diodo Zener 1N735A conectado de Ge 1N60P 0,23V 0,22V
modo directo (forward). Zener 1N735A 0,69V 0,68V
Tabla 3. Valores de voltaje directo esperado (
Vm ) y voltaje directo medido aplicando el
cambio de temperatura ( Vm 2 ).
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5.2 Curva característica por tabulación de datos:

5.2.1 Seleccione un diodo 1N4001 e implemente el

circuito de la figura que utiliza una fuente DC.
(sección izquierda).

Figura 16: I D respecto a VD del diodo Ge

1N60P.

Figura 14: Circuito de diodo en DC.

Varíe el valor de la fuente de voltaje DC en los

valores que aparecen en la tabla, y en cada caso
mida y registre el valor de corriente I D . Efectúe
este procedimiento con cada uno de los diodos
(Si, Ge, Zener, LED1, LED2).

RTA: Los valores medidos con la variación de Figura 17: I D respecto a VD del diodo Zener
voltaje se expresan en la siguiente tabla: 1N735A.

Voltaje (V) Corriente (mA) ID

VD Si 1N4003 Ge 1N60P Zener 1N735A LED Rojo LED Verde
0,1 0,000 0,100 0,000 0,000 0,000
0,2 0,000 0,042 0,000 0,000 0,000
0,3 0,000 0,156 0,000 0,000 0,000
0,4 0,010 0,210 0,005 0,000 0,000
0,5 0,065 0,300 0,010 0,000 0,000
0,6 0,128 0,460 0,040 0,000 0,000
0,7 0,256 0,500 0,070 0,000 0,000
0,8 0,340 0,570 0,184 0,000 0,000
0,9 0,383 0,700 0,270 0,000 0,000
1,0 0,488 0,840 0,340 0,000 0,000
2,0 1,430 1,830 1,350 2,270 0,000
3,0 2,470 2,820 2,340 1,240 0,330
Figura 18: I D respecto a VD del LED rojo.
5,0 4,410 4,830 4,300 3,160 1,830
10,0 9,400 9,810 9,340 8,100 6,430
20,0 19,500 19,900 19,500 18,100 16,100
Tabla 4. Corriente ( I D ) respecto al voltaje
directo ( VD ) aplicado a los diodos de prueba.

5.2.2 Realice la gráfica de los datos de la tabla

anterior y determine el valor de voltaje forward
(polarización directa). Compárelo con el
obtenido en la prueba de diodos con multímetro
y el que aparece en la hoja de datos. Figura 19: I D respecto a VD del LED rojo.
RTA: Los gráficos que se muestran a
De acuerdo a los puntos marcados en cada
continuación es el resultado de graficar la
gráfica, el voltaje forward de los diodos se
corriente del diodo respecto al voltaje aplicado:
puede determinar entre los siguientes intervalos
ya que es donde se realiza un cambio de
comportamiento en la curva característica:

Diodo Intervalo de VF
Si 1N4003 0,3V-0,4V
Ge 1N60P 0,1V-0,2V
Zener 1N735A 0,3V-0,4V
LED Rojo 1V-2V
LED Verde 2V-3V
Figura 15: I D respecto a VD del diodo Si Tabla 5. Intervalo en el que puede estar el VF
1N4003. de cada diodo.

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5.2.3 Determine la resistencia estática ( RD ) para tres

puntos de la curva.

RTA: Aplicando la ecuación 5 para hallar la

resistencia dinámica de los diodos en 3 puntos
diferentes de las curvas de cada diodo, se
obtiene la siguiente tabla:

Resistencia
VD (V) ID (mA)
estática RD (kΩ)
3 2,47 1,215
Si 1N4003 5 4,41 1,134
Figura 22. Curva característica del diodo Ge
10 9,40 1,064 1N60P en el osciloscopio.
3 2,82 1,064
Ge 1N60P 5 4,83 1,035
10 9,81 1,019
3 2,34 1,282
Zener 1N735A 5 4,30 1,163
10 9,34 1,071
3 1,24 2,419
LED Rojo 5 3,16 1,582
10 8,10 1,235
3 0,33 9,091
LED Verde 5 1,83 2,732
10 6,43 1,555

Tabla 6. Resistencia estática ( RD ) en 3 puntos

de la curva de cada diodo estudiado.
5.3 Curva característica en osciloscopio:
5.3.2 Determine el voltaje de barrera o potencial de
5.3.1 Implemente el circuito de la figura anterior que
utiliza una fuente de corriente alterna (sección
derecha), ajuste en el generador de señales los
parámetros requeridos.
Figura 23. Curva característica del diodo
Zener 1N735A en el osciloscopio.
conducción ( VF ) de la curva característica para
cada diodo.
RTA: Se tabulan los datos obtenidos gracias a
las gráficas representadas en el osciloscopio
donde se toma un valor VF cuando la gráfica
cambie de comportamiento en el eje I :

VF
Si 1N4003 0,7V
Ge 1N60P 0,25V
Figura 20: Circuito de diodo en AC.
Zener 1N735A 0,7V
Coloque el osciloscopio en modo XY (acople Tabla 7: Voltaje de barrera ( VF ) según las
DC) y obtenga la curva característica I D vs VD gráficas suministradas por el osciloscopio.
para cada diodo (Si, Ge, Zener). Recuerde
guardar la imagen de la gráfica o tomar foto 5.3.3 Determine la resistencia dinámica ( rD ) en dos
para incluir en el informe. regiones de la curva.
RTA: Las siguientes gráficas muestran las RTA: Aplicando la ecuación 8 para hallar la
magnitudes de VD e I D de los diodos montados resistencia dinámica de los diodos en 2 puntos
en el mismo circuito y medidos con el diferentes de las curvas mostradas por el
osciloscopio en el modo XY: osciloscopio de cada diodo, se obtiene la
siguiente tabla:

P1 P2
Resistencia Dinámica rD (kΩ)
VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA)
1 0,3 2 1,3 1,00
Si 1N4003
2 1,3 3 2,3 1,00
1 0,7 2 1,7 1,00
Ge 1N60P
2 1,7 3 2,7 1,00
1 0,2 2 1,2 1,00
Zener 1N735A
2 1,2 3 2,2 1,00

Figura 21. Curva característica del diodo Si Tabla 8: Resistencia dinámica ( rD ) en 2 puntos
1N4003 en el osciloscopio. de la curva de cada diodo estudiado.
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5.3.4 Determine la resistencia AC promedio ( rAV ).

RTA: Se aplica la ecuación 9 para hallar la

resistencia AC promedio rAV de los diodos
estudiados, y se tabulan los datos en la
siguiente tabla:

P1 P2 Resistencia AC promedio rAV

VD (V) ID (mA) VD (V) ID (mA) (kΩ)
1 0,3 2 1,3 1,00
Si 1N4003
2 1,3 3 2,3 1,00
Figura 27. Curva característica del diodo Ge
1 0,7 2 1,7 1,00
Ge 1N60P
2 1,7 3 2,7 1,00
1N60P cuando se aplica calor con un cautín.
1 0,2 2 1,2 1,00
Zener 1N735A
2 1,2 3 2,2 1,00 5.4 Cuestionario:
Tabla 9: Resistencia AC promedio ( rAV ) en 2
puntos de la curva de cada diodo estudiado. 5.4.1 ¿A qué se deben las diferencias del valor del
potencial o voltaje de conducción ( VF ) entre
5.3.5 Con los datos obtenidos, para el diodo de Si y los diodos de Si y Ge?
Ge dibuje el modelo equivalente lineal por
segmentos con sus valores correspondientes RTA: Esto se debe a las propiedades físicas de
para cada diodo (Si y Ge). cada material, es decir, el material de germanio
presenta una menor resistividad eléctrica
RTA: El circuito equivalente del diodo revela comparado con el de silicio, es por esto, que al
las características mas relevantes como su momento de presentar una conducción de flujo
voltaje de barrera y su resistencia dinámica, se eléctrico el germanio opondrá menor oposición
representan en las siguientes imágenes para que el del silicio.
cada diodo.
5.4.2 ¿Cómo se ve afectada la curva característica de
los diodos por un incremento en la temperatura
ambiente?

Figura 24. Circuito equivalente del diodo Si RTA: La temperatura es un importante factor
1N4003. que hay que tener en cuenta al momento de
utilizar un diodo, por ejemplo, el diodo de
germanio y de silicio para empezar su
conducción rondan entre los 3V y 7V
respectivamente más sin embargo este voltaje
puede variar por la temperatura, estos dos
Figura 25. Circuito equivalente del diodo Ge
diodos al tener influencia de la temperatura
1N60P.
tienden a reducir su barrera de potencia, es
decir, conducen con menos voltaje,
dependiendo de qué tanta es la influencia de
temperatura así mismo reducirán su voltaje de
conducción, por otro lado, al ser la temperatura
Figura 26. Circuito equivalente del diodo Si
cada vez menor estos tienen a elevar su barrera
1N735A.
de conducción, tal como se muestra en la
siguiente imagen.
5.3.6 Modifique la temperatura de los diodos de Si,
Ge y Zener, acercándoles un cautín caliente.
Observe lo que sucede en la curva
característica.

RTA: En la siguiente imagen se representa la

curva característica de un diodo con un
aumento de temperatura procedente de un
cautín medido en un osciloscopio:

Figura 28. Curva característica de un diodo.

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5.4.3 Utilice la relación matemática:
26mV
rD = (10)
ID
Compare los valores obtenidos en el numeral 3
de la sección anterior. Explique las diferencias.
RTA: En la siguiente tabla se presenta el
cálculo de la resistencia dinámica con la
formula establecida.
rD =26mV/ID
Resistencia Dinámica rD (kΩ)
1,00
Si 1N4003
1,00
1,00
Ge 1N60P
1,00
1,00
Zener 1N735A
1,00
Tabla 10: Comparación de la resistencia
dinámica de los diodos estudiados.
6. CONCLUSIONES
De este laboratorio podemos concluir como los diodos
son componentes esenciales en el campo de la
electrónica, debido a su capacidad para controlar y
regular el flujo de corriente eléctrica, que, además, se
clasifican como semiconductores, lo que significa que
pueden conducir electricidad en ciertas circunstancias
y actuar como aislantes en otras.
La capacidad de un diodo para permitir el paso de
electrones depende de la polaridad de sus terminales,
el ánodo y el cátodo. Cuando un diodo se polariza
directamente, se comporta como un conductor y
permite que la corriente fluya a través de él. La
cantidad de voltaje necesario para activar el flujo de
electrones varía según el tipo de material
semiconductor utilizado en el diodo, en este caso
podemos observar diferentes materiales como el
Germanio y el Silicio, además de otros. Por otro lado,
cuando un diodo se polariza inversamente, actúa como
un aislante y no permite que los electrones pasen a
través de él.
Es importante tener en cuenta la polaridad de un diodo
al utilizarlo en un circuito con múltiples fuentes de
voltaje que lo polarizan de diferentes maneras. En este
caso, el diodo tomará la polaridad de la fuente con el
voltaje más alto, lo que puede influir en su
comportamiento y funcionamiento en el circuito.
Cada tipo de diodo tiene características únicas, como
se demostró, un ejemplo de aquello es como el diodo
de Silicio (Si) se comporta de una mejor manera en
comparación al diodo de Germanio (Ge), como
también se logro observar, como el diodo de Germanio
(Ge) se comportaba de mejor manera a exponerlo a
altas frecuencias, en comparación con el de Silicio
(Si), cosas como estas, es debido a la variación de sus
características, tales como la barrera de potencial, la
barrera de ruptura inversa y la corriente máxima que
puede soportar. Estas características específicas se
pueden encontrar en las hojas de datos técnicos
(datasheets) de cada tipo de diodo, o existen cálculos
matemáticos los cuales nos ayudan a comprender de
una manera más empírica, algunas maneras de
encontrar estas características, otra forma de hallarlas,
a través de aparatos electrónicos, tales como el
osciloscopio, que a lo largo de este laboratorio, fue una
pieza indispensable para hallar algunas de sus muchas
características. Consultar el datasheet correspondiente
facilita la elección y uso adecuado del diodo en un
circuito, ya sea este complejo o simple.
(kΩ)
32,50
Al utilizar un diodo, es crucial considerar las
16,25
21,67 condiciones en las que se utilizará, ya que diversos
factores pueden afectar su funcionalidad, como la
11,82
43,33 temperatura. La barrera de potencial de un diodo
puede variar en función de la temperatura, un clave
16,25
ejemplo de esta variación, sería el diodo de Germanio
(Ge) como observamos en el punto 5.4.2, que al
exponerlo a un cautín, se logró observar como a
medida que la temperatura aumenta, el diodo se
comporta más como un conductor, y a medida que
disminuye, se asemeja a un aislante. Si no se tienen en
cuenta estos factores y otros al utilizar un diodo, se
pueden generar problemas y daños en el circuito
debido al mal funcionamiento del diodo.
Para culminar, los diodos son componentes cruciales
en electrónica que permiten el control del flujo de
corriente eléctrica. Su polaridad determina si actúan
como conductores o aislantes, y cada tipo de diodo
tiene características únicas que se deben considerar al
seleccionar y utilizar en un circuito. Además, factores
como la temperatura pueden influir en su
comportamiento, por lo que es esencial tener en cuenta
estas consideraciones para garantizar un
funcionamiento adecuado del circuito.
7. REFERENCIAS
[1] Nuevas Tecnologías Electrónicas (NTE),
Manual de Semiconductores y Componentes
Electrónicos, NTE, 1999.
[2] L. González, Diodos y Transistores, Marcombo,
2010.
[3] J. &. H. C. Millman, Electrónica: Dispositivos y
Circuitos, McGraw-Hill Interamericana, 2001.
[4] L. González, Circuitos Eléctricos y Electrónicos,
Marcombo, 2013.
[5] C. Díaz, Fundamentos de Electrónica, Paraninfo,
2006.
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