ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA

MECÁNICA Y ELÉCTRICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO

ELECTRÓNICA DIGITAL APLICADA

UNIDAD I INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA DE CONTROL

ELEMENTOS DE CONTROL ELECTRÓNICO

DIODO RECTIFICADOR Y TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

ELABORADO POR : M EN E ING. CARLOS ADRIÁN AMEZCUA MAGAÑA

ACADEMIA DE ELÉCTRICA – ELECTRÓNICA
ENERO 2020
 UNIDAD I
INTRODUCCIÓN A LA
ELECTRÓNICA DE CONTROL
OBJETIVOS PARTICULARES DE LA UNIDAD
EL ALUMNO EXPLICARÁ LOS PRINCIPIOS BÁSICOS DE LA
ELECTRÓNICA DE CONTROL Y SUS APLICACIONES EN LA
INDUSTRIA.
1.1 ELEMENTOS DE CONTROL ELECTRÓNICO
1.2 CONTROL BÁSICO EN EQUIPO ELÉCTRICO
1.3 DETECTORES EN APLICACIONES INDUSTRIALES DE
CONTROL
1.4 CIRCUITOS DE CONTROL
 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
 Los materiales semiconductores intrínsecos, son aquellos que se han refinado
cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan
puros como sea posible mediante la utilización de la tecnología moderna

En este tipo de material, los electrones libres generados exclusivamente por causas
naturales se denominan portadores intrínsecos. A esta misma temperatura, el material
intrínseco de germanio contiene aproximadamente 2.5 X 10 13 portadores libres por
centímetro cúbico. La proporción de portadores libres en el germanio comparada con
la del silicio es mayor que 103, lo que podría indicar que el germanio es mejor
conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, sin embargo ambos
materiales se consideran conductores deficientes en estado intrínseco. 3
 DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES
DOPAMIENTO DE UN MATERIAL TIPO P:

Se parte de un semiconductor intrínseco, que es un

semiconductor químicamente puro y puede ser de
silicio (si) o de germanio (ge) que tienen 4 electrones
libres en su órbita de valencia, éste material se dopa,
es decir se le agregan impurezas deliberadamente con
el fin de modificar su conductividad eléctrica,
convirtiéndolo en un material extrínseco; para generar
un semiconductor tipo P, es decir con exceso de
huecos, se dopa con impurezas trivalentes (aceptores),
como pueden ser el aluminio (al), galio (ga) o boro
(B); en este dopamiento los portadores mayoritarios
son los huecos, ya que superan a los electrones los
cuales son los portadores minoritarios.
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 DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES

DOPAMIENTO DE UN MATERIAL TIPO N:

Se parte de un semiconductor intrínseco, que

es un semiconductor químicamente puro y
puede ser de silicio o de germanio que tienen
4 electrones libres en su órbita de valencia,
éste material se dopa, es decir se le agregan
impurezas deliberadamente con el fin de
modificar su conductividad eléctrica,
convirtiéndolo en un material extrínseco; para
generar un semiconductor tipo N, es decir con
exceso de electrones, se dopa con impurezas
pentavalentes (donadores), como pueden ser
el arsénico (AS), antimonio (sb), fósforo (P);
en este dopamiento los portadores
mayoritarios son los electrones, ya que
superan a los huecos los cuales son los
portadores minoritarios.
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 UNIÓN PN
Se forma por la unión metalúrgica de dos cristales,
generalmente de silicio (si), aunque también se fabrican
de germanio (ge), de naturalezas P y N según su
composición a nivel atómico.

Los electrones libres que se encuentran en el material n,

se recombinan con los huecos que están próximos del
material p, solo hasta alcanzar un equilibrio cerca de la
unión de los 2 cristales.

Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha

creado una barrera de potencial. Una barrera de
potencial es simplemente una oposición a que sigan
pasando los electrones y huecos de un lado a otro.

Esta situación permanecerá inalterable mientras no

hagamos nada externo para modificarla, es decir,
compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro
potencial aportado por nosotros, por ejemplo, 6
conectándolo a una batería.
 UNIÓN PN
POLARIZACIÓN DIRECTA
Cuando se juntan los semiconductores tipo P y tipo N, forman lo que se conoce como diodo
semiconductor, justo en la frontera de los dos materiales se forma la unión PN y en esa unión se
forma una área conocida como zona de depleción, que es una barrera de potencial equivalente a 0.3V
cuando es material es ge y de 0.7V cuando se usa si;
Para polarizar en sentido directo esta unión se conecta el potencial positivo de la fuente en el
material P y el potencial negativo en el material N, en ésta condición, si la tensión de la batería es
menor a la barrera de potencial, los electrones no tienen la suficiente energía para atravesar la zona
de depleción y no se genera ningún flujo de corriente a través del diodo, cuando la fuente de
alimentación es mayor a la barrera de potencial, los huecos y los electrones son empujados hacia la
unión PN recombinándose con los electrones libres y los huecos libres generando un flujo de
corriente a través del diodo.

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 UNIÓN PN
POLARIZACIÓN INVERSA
Para polarizar en sentido inverso ésta unión se conecta el potencial negativo de la fuente en el
material P y el potencial positivo en el material N, en ésta condición los electrones, portadores
mayoritarios, del material N son atraídos por el potencial positivo de la fuente y los huecos,
portadores mayoritarios, del material P son atraídos por el potencial negativo de la fuente
generando un ensanchamiento de la zona de depleción, la cual depende de la magnitud del voltaje
inverso aplicado, la zona de depleción deja de aumentar en el momento en que su diferencia de
potencial es igual a la tensión inversa aplicada. Cuando la tensión inversa aplicada al diodo es más
grande al especificado, el diodo sufre un daño irreversible, se abre y deja de ser útil.

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 DIODO IDEAL
SÍMBOLO Y CURVA
CARACTERÍSTICA
ID

Voltaje
de Zona directa
ruptura
inverso

VD
Curva característica de Zona inversa

un Diodo ideal

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 DIODO REAL
• CIRCUITO EQUIVALENTE
Diodo real

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 DETECCIÓN DE AVERÍAS EN UN
DIODO SEMICONDUCTOR USANDO
Polarización directa: UN ÓHMETRO
Impedancia muy baja, Polarización inversa:
En la función de diodo, voltajes Impedancia muy alta o infinita
entre los 500 a 700 mV

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 DATASHEET DE DIODOS
• VOLTAJE DIRECTO (VF): CAÍDA DE VOLTAJE ENTRE ÁNODO Y CÁTODO AL ESTAR EL
DIODO EN POLARIZACIÓN DIRECTA Y CONDUCIENDO CORRIENTE DE ÁNODO A
CÁTODO.
• VOLTAJE INVERSO CONTINUO (VR): VOLTAJE MÁXIMO EN CONTINUO QUE SOPORTA
EL DIODO CONECTADO EN SENTIDO INVERSO

• VOLTAJE PICO INVERSO (VRRM): VOLTAJE MÁXIMO DE PICO INVERSO REPETITIVO

QUE SOPORTA EL DIODO POLARIZADO EN SENTIDO INVERSO.

• POTENCIA DISIPADA (PD): POTENCIA MÁXIMA DE DISIPACIÓN QUE SOPORTA EL DIODO

EN SENTIDO DIRECTO

• CORRIENTE EN SENTIDO DIRECTO (IF): CORRIENTE MÁXIMA QUE CIRCULA EN EL

COMPONENTE EN POLARIZACIÓN DIRECTA.
• CORRIENTE INVERSO (IR): CORRIENTE MÁXIMA EN SENTIDO INVERSO PERMITIDA A
TRAVÉS DEL COMPONENTE SIN QUE DAÑE EL DISPOSITIVO
• TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO (TSTG): MÁXIMA TEMPERATURA DE
ALMACENAMIENTO DEL COMPONENTE EN CONDUCCIÓN. 12
 Tipos de encapsulado:
Cristal,
Plástico,
Metálico,
SM: surface mounted,
SOT: Small Outline
Transistor.

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DATASHEET DE DIODO SEMICONDUCTOR SERIE 1N4000
TRANSISTOR BIPOLAR DE
JUNTURA

EMISOR
N P N COLECTOR

BASE

EMISOR
P N P COLECTOR

BASE

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 TRANSISTOR BIPOLAR
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

LA POLARIZACIÓN DIRECTA DE DEL CIRCUITO ANTERIOR SE OBSERVA

QUE:
LA UNIÓN BASE-EMISOR
DISMINUYE LA BARRERA DE IE=IB+IC
POTENCIAL VBE, MIENTRAS COMO IB << IC,
QUE POLARIZACIÓN INVERSA POR LO TANTO IE ~ IC
LA UNIÓN BASE-COLECTOR VBC
AUMENTA; LA POLARIZACIÓN A ES LA RELACIÓN DE LA CORRIENTE
DE EMISOR Y LA CORRIENTE
IC DE
BASE-EMISOR HACE QUE COLECTOR  
IE
AUMENTE LA CORRIENTE A
TRAVÉS DE EMISOR Y QUE SE
INYECTEN ELECTRONES A LA
PARA TRANSISTORES DE PEQUEÑA
BASE Y SE RECOMBINEN CON SEÑAL A ES > 0.99 Y PARA
LOS HUECOS EN UNA MÍNIMA TRANSISTORES DE POTENCIA A ES >
PROPORCIÓN, LOS DEMÁS 0.95
IC
ELECTRONES SE DIFUNDEN BDC ES LAGANANCIA
dc   hDE
FE
CORRIENTE,
HASTA EL COLECTOR. TAMBIÉN LLAMADA I B HFE
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 CURVA CARACTERÍSTICA Y
TRANSISTOR BIPOLAR ZONAS DE OPERACIÓN
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

LA CANTIDAD DE ELECTRONES
INYECTADOS AL CIRCUITO DE
COLECTOR DEPENDE SOLO DEL
CIRCUITO DE BASE, UNA VEZ QUE
SE SATURA LA BASE LA
CORRIENTE DE COLECTOR SE
MANTIENE CONSTANTE, POR LO
QUE SI SE VARIA EL VOLTAJE DE
VCC, SOLOI SE VMODIFICARÁ
BB  V BE EL
B 
VOLTAJE VCE RB
V  V V  V  I R
CE CC RC CC C C

PD  VCE I C
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 TRANSISTOR BIPOLAR
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RECTA DE CARGA DEL TRANSISTOR.

NOS INDICA, GRÁFICAMENTE, LA ZONA DE TRABAJO DEL CIRCUITO PARA LAS

CONDICIONES DE POLARIZACIÓN DADAS; EL TRANSISTOR NO SE PUEDE SALIR
DE ESTA RECTA DE CARGA EN CONDICIONES NORMALES DE OPERACIÓN.

EL PUNTO DE REPOSO Q ESTÁ DEFINIDO POR LA GANANCIA DEL TRANSISTOR Y

SU CORRIENTE DE BASE.

DE LA MAYA DE SALIDA DE TIENE LA ECUACIÓN:

VCE  VCC  VRC  VCC  I C RC

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 RECTA DE CARGA EN EMISOR
COMÚN
LOS EXTREMOS DE LA RECTA DE CARGA ESTÁN DEFINIDOS POR:
EL ESTADO DE SATURACIÓN, CUANDO VCE=0
ICSAT =VCC / RC

Y EL ESTADO DE CORTE CUANDO IC=0

VCC=VCE

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 TRANSISTOR BIPOLAR
TIPO PAR DARLINGTON
Un transistor Darlington consiste en un par de
transistores bipolares conectados en cascada; este
par Darlington se comporta como un transistor
único, solo que con mas prestaciones que un BJT
normal.
La configuración (originalmente realizada con
dos transistores separados) fue inventada por el
ingeniero de los laboratorios bell, Sidney
Darlington.
Las principales diferencias son:
VBE es aproximadamente 1.40 V
VBE= VBE1 + VBE2
Su ganancia es muy alta, va desde 1,000 a
100,000 unidades
HFE=HFE1 * HFE2
La corriente de base requerida para que conduzca
el transistor es muy pequeña
El voltaje VCE es mas alto, normalmente mayor a 19
1.2 V
PARÁMETROS PRINCIPALES DE
LA HOJA DE DATOS (DATASHEET)
• VCBO VOLTAJE MÁXIMO DE COLECTOR-
BASE

• VCEO VOLTAJE MÁXIMO COLECTOR-EMISOR

• VBEO VOLTAJE MÁXIMO BASE EMISOR

• IC CORRIENTE MÁXIMA DE COLECTOR

• PC POTENCIA MÁXIMA DE DISIPACIÓN DE

COLECTOR

• HFE GANANCIA DE CORRIENTE EN DC

• VCE(SAT) VOLTAJE DE COLECTOR-EMISOR EN

SATURACIÓN

• VBE (SAT) VOLTAJE DE BASE-EMISOR EN

SATURACIÓN
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 TRANSISTOR BIPOLAR
CIRCUITOS DE APLICACIÓN

Un circuito de control digital activa una alarma audible de 100 db

que se alimenta a 24V a través de un relevador que tiene una
bobina a 12V y 250ma;

Diseñar un circuito transistorizado para que active la alarma en las

condiciones dadas

• Solución:

Para definir el tipo de transistor se calcula la corriente mínima que

sebe soporta el transistor, agregando un 20% de factor de
seguridad a la Ic

Definir el tipo de transistor: se propone al 2N7053:

VCE(SAT)=1.50V

ICMAX=1.5A

HFE=10,000 A 1,000

Se toma 5,000 por la corriente de 250 mA

VBE=2.0V VCEO=100 V
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• Para condición de saturación fuerte Del nodo de IB Se tiene que

I1=IB+I2 IB=I2
• Cálculo de ib, partiendo de la ganancia en saturación
fuerte CÁLCULO DE R2 VR2=VBE

Por lo que
• Ecuación de la maya de entrada I2R2=VBE
Se supone a

Los valores comerciales próximos para R2 son:

Los valores comerciales próximos para R1 son:
superior 8K2 e inferior 6K8, se escoge el valor inferior
para que genere una corriente mayor y asegure el valor
requerido de ib, por lo que
superior 22K e inferior 18K, se escoge el valor
superior para que la I2 no consuma una cantidad
mayor y asegure que la ib sea suficiente para
mantener saturado el transistor, por lo tanto

R1=6K8Ω
R2=22KΩ
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 BIBLIOGRAFÍA
• MALONEY, T. (2006). ELECTRÓNICA INDUSTRIAL MODERNA. NAUCALPAN DE JUÁREZ: PEARSON PRENTICE
HALL.

• PALLÁS ARENY, R. (2007). SENSORES Y ACONDICIONADORES DE SEÑAL. MADRID: ALFAOMEGA

MARCOMBO.

• BOYLESTAD, R. L. (2009). ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS.

PEARSON EDUCACIÓN.

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HTTPS://WWW.ELECTRONICAFACIL.NET/TUTORIALES/TRANSISTOR-FET.HTML

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• MRELBERNI. (11 DE 03 DE 2020). OBTENIDO DE TUTORIALES DE ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA:

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CIENCIAS EXACTAS, INGENIERÍA Y AGRIMENSURA:
HTTPS://WWW.FCEIA.UNR.EDU.AR/ECA1/FILES/TEORIAS/TRANSISTORESDEEFECTODECAMPO.PDF
23
• T., F. (2008). DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS (8° ED.). MÉXICO: PEARSON EDUCACIÓN.