CIRCUITOS ELÉCTRICOS

Clasificación

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 Ley de Ohm
Establece que la intensidad de la corriente
que circula entre dos puntos de un circuito
eléctrico es proporcional a la tensión
eléctrica entre dichos puntos. Esta constante
es la conductancia eléctrica, que es el inverso
de la resistencia eléctrica.

Ley de nodos de Kirchoff

En cualquier nodo, la suma de las corrientes
que entran a un nodo es igual a la suma de
las corrientes que salen.

Ley de voltajes de Kirchoff

En un lazo cerrado, la suma de todas las
caídas de tensión es igual a la tensión total
suministrada.

Tener presente todas las técnicas para simplificar circuitos

equivalentes.

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Dispositivos semiconductores
de dos y tres terminales

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Materiales Semiconductores
• La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto
(individual) de estado sólido (estructura de cristal duro) o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de la más alta
calidad.
• Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya
conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante.
• En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de
dos clases: de un solo cristal y compuesto

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 Materiales Semiconductores
Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que
compuestos como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de
cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fosfuro de galio y
arsénico (GaAsP) se componen de dos o más materiales
semiconductores de diferentes estructuras atómicas.
Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la
construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
• Al principio se construía casi exclusivamente con Ge el diodo
(1939) y el transistor (1949).Sin embargo, se descubrió que los
diodos y transistores construidos con germanio como material
base eran poco confiables, sobre todo por su sensibilidad a los
cambios de la temperatura.
Desde 1954 se empezó el transistor de Si. Y en 1970 se empezó a
usar GaAs por la mayor capacidad de velocidad pero era más difícil
y caro fabricar. Por lo tanto el Si sigue siendo el elemento metálico
más usado para construir chips porque es abundante, porque es
barato y por que actúa como semiconductor de manera natural.

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ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRÍNSECOS
El modelo propuesto de Rutherford de
un átomo está compuesto de: un núcleo
(protones + y neutrones) y una cubierta
formada por electrones (-) que giran
alrededor del núcleo del átomo.
Los electrones son distribuidos en varias
capas ubicadas a diferentes distancias
del núcleo (la energía del electrón
aumenta conforme el radio de la órbita
se incrementa).

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ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRÍNSECOS
Los electrones en la capa superficial
son llamados electrones de valencia,
y la cantidad de estos determina la
actividad química de un material. Los
elementos en la tabla periódica
pueden ser agrupados de acuerdo a
la cantidad de electrones de
valencia.
Los átomos que tienen cuatro
electrones de valencia se llaman
tetravalentes; los de tres se llaman
trivalentes, y los de cinco se llaman
pentavalentes.
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ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRÍNSECOS
Los electrones en la capa superficial
son llamados electrones de valencia,
y la cantidad de estos determina la
actividad química de un material. Los
elementos en la tabla periódica
pueden ser agrupados de acuerdo a
la cantidad de electrones de
valencia.
Los átomos que tienen cuatro
electrones de valencia se llaman
tetravalentes; los de tres se llaman
trivalentes, y los de cinco se llaman
pentavalentes.
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ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRÍNSECOS
En un cristal de silicio o germanio puros, los
cuatro electrones de valencia de un átomo
forman un arreglo de enlace con cuatro
átomos adyacentes.
Este enlace de átomos, reforzado por
compartir electrones, se llama enlace
covalente.
El término intrínseco se aplica a cualquier
material semiconductor que haya sido
cuidadosamente refinado para reducir el
número de impurezas a un nivel muy bajo;
en esencia, lo más puro posible que se
pueda fabricar utilizando tecnología actual.

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SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y
cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de
energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica.
Un conductor intrínseco es un material semiconductor de cristal sencillo sin otro
tipo de átomos dentro del cristal. En un material intrínseco la densidad de
electrones y “agujeros” es igual.

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SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
Debido a que la concentración de electrones y
agujeros en los semiconductores intrínsecos es
relativamente pequeña, solo pequeñas corrientes son
obtenibles. Sin embargo, esta concentración puede
ser incrementada mediante la adición de ciertas
impurezas.
Los materiales que contienen átomos de impureza son
llamados semiconductores extrínsecos o
semiconductores dopados. El proceso de dopaje
(control del proceso de concentración de electrones y
agujeros) determina la conductividad y la corriente en
el material.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia se conocen como átomos donadores (tipo n).
Las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia se llaman átomos aceptores (tipo p).

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Portadores Mayoritarios Y Minoritarios

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DIODO
SEMICONDUCTOR
El diodo semiconductor, es un dispositivo
electrónico de estado sólido que se crea
uniendo un material tipo n y un materia
tipo p. Los diodos tienen numerosas
aplicaciones. Este es un dispositivo de 2
terminales.
Se dispone entonces de tres opciones:
• sin polarización,
• polarización en directa y
• polarización en inversa
En un diodo las polaridades serán
reconocidas como las polaridades
definidas del diodo semiconductor.

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DIODO SEMICONDUCTOR
SIN POLARIZACIÓN APLICADA (V=0v) EN ESTADO
DE EQUILIBRIO
La interface ubicada en x=0 es denominada
juntura metalúrgica. La región donde hay la unión
se denomina región de agotamiento o región de
deplexión. Un gradiente de gran densidad en
ambas concentraciones de electrones y agujeros
ocurre a lo largo de esta juntura. Inicialmente
existe una difusión de agujeros desde la región P
hacia la región N, y así mismo, una difusión de
electrones desde la región N a la región P. El flujo
de electrones desde la región P deja al
descubierto iones aceptantes negativamente
cargados y el flujo de electrones desde la región N
deja al descubierto iones donadores cargados
positivamente.
Sin ninguna polarización aplicada a través de un
diodo semiconductor, el flujo neto de carga en
una dirección es cero

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 DIODO SEMICONDUCTOR
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN INVERSA
(𝑽𝑫 < 𝟎 𝑽) (Reversed-biased)
Si se aplica un potencial externo el número de iones
positivos revelados en la región de empobrecimiento
del material tipo n se incrementará por la gran
cantidad de electrones libres atraídos por el potencial
positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el
número de iones negativos no revelados se
incrementará en el material tipo p. El efecto neto, por
consiguiente, es una mayor apertura de la región de
empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado
grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios
se reduce efectivamente a cero.
La corriente en condiciones de polarización en inversa La corriente de saturación inversa 𝐼𝑆 rara vez es de más de algunos
se llama corriente de saturación en inversa y está microamperes, excepto en el caso de dispositivos de alta potencia. El término
representada por 𝐼𝑆 . saturación se deriva del hecho de que alcanza su nivel máximo con rapidez y que
no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de
polarización inversa.

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DIODO SEMICONDUCTOR
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA
𝑽𝑫 > 𝟎𝑽 (Forward-biased)
La condición de polarización en directa o
“encendido” se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al
tipo n. La aplicación de un potencial de polarización
en directa VD “presionará” a los electrones en el
material tipo n y a los huecos en el material tipo p
para que se recombinen con los iones próximos al
límite y reducirá el ancho de la región de
empobrecimiento. El flujo de portadores
minoritarios de electrones resultante del material
tipo p al material tipo n no cambia de magnitud
aunque la reducción del ancho de la región de
empobrecimiento produjo un intenso flujo de
portadores mayoritarios a través de la unión.
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarización aplicada, el ancho de la región de empobrecimiento continuará
reduciéndose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un crecimiento exponencial de
la corriente como se muestra en la región de polarización en directa

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DIODO SEMICONDUCTOR

https://www.youtube.com/watch?v=oB-Q89PiuKE
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DIODO SEMICONDUCTOR

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CARACTERÍSTICAS DE Los diodos de silicio
comerciales se desvían de
DIODO SEMICONDUCTOR la condición ideal por varias
razones, entre ellas la
resistencia de “cuerpo”
interna y la resistencia de
“contacto” externa de un
diodo. Cada una contribuye
a un voltaje adicional con el
mismo nivel de corriente,
como lo determina la ley de
Ohm, lo que provoca el
desplazamiento hacia la
derecha

La dirección definida de la
corriente convencional en la
región de voltaje positivo
corresponde a la punta de
flecha del símbolo de diodo.

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CARACTERÍSTICAS DE
DIODO SEMICONDUCTOR

La dirección definida de la corriente convencional en la región de voltaje positivo

corresponde a la punta de flecha del símbolo de diodo.
Por lo común, la corriente de saturación en inversa real de un diodo comercial
será medible a un valor mayor que la que aparece como la corriente de
saturación en inversa en la ecuación de Shockley.
Hay una correspondencia directa entre el área de contacto en la unión y el nivel
de corriente de saturación en inversa.
El diodo puede ser considerado como un interruptor que en polarización inversa
actúa como si el interruptor estuviera abierto, mientras que para el caso de la
polarización directa el interruptor estaría cerrado.
Teniendo en cuenta que 𝐼𝑆 y 𝑉𝑇 son variables dependientes de la temperatura se
puede decir que las características del diodo también variarán dependiendo de
la temperatura.

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 CARACTERÍSTICAS DE DIODO SEMICONDUCTOR
DIVERSOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EFECTOS DE LA TEMPERATURA

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DIODO SEMICONDUCTOR
REGIÓN ZENER
Hay un punto donde la aplicación de un voltaje demasiado
negativo producirá un cambio abrupto de las características,
como se muestra en la figura 1.17. La corriente se incrementa
muy rápido en una dirección opuesta a la de la región de voltaje
positivo. El potencial de polarización en inversa que produce
este cambio dramático de las características se llama potencial
Zener y su símbolo es 𝑉𝑍 .
El máximo potencial de polarización en inversa que se puede
aplicar antes de entrar a la región Zener se llama voltaje inverso
pico (conocido como valor PIV) o voltaje de reversa pico
(denotado como valor PRV).
A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de
un diodo se incrementa con un incremento de la polarización en
inversa aplicada.

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DIODO SEMICONDUCTOR
VOLTAJE DE RUPTURA (breakdown)
Cuando una juntura PN es polarizada inversamente el campo
eléctrico en la zona de deplexión se incrementa. En este caso el
campo eléctrico puede llegar a ser tan grande que los enlaces
covalentes pueden romperse formando pares electrones-agujeros.
Los electrones se precipitan a la región N y los agujeros a la región P
por el campo eléctrico, generando una corriente de polarización
inversa (reverse bias current). A este fenómeno se lo conoce como
mecanismo de ruptura y se lo denomina efecto Zener. El voltaje de
ruptura depende de los parámetros de fabricación del diodo y
usualmente se encuentra en el rango de 50 a 200 V o superiores.
Una juntura de tipo PN usualmente es valorada en términos de su
voltaje pico inverso (Peak Inverse Voltage, PIV). El PIV de un diodo
nunca debe ser excedido en la operación de un circuito si se busca
evitar la ruptura. Los diodos Zener son fabricados con voltajes
específicos de ruptura y son diseñados para operar en la región de
ruptura.

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 TRABAJO INDIVIDUAL
Revisar la TABLA 1.4. (Uso
comercial actual de Ge, Si y GaAs)
para poder identificar las ventajas
y desventajas de los materiales de
RESUMEN los semiconductores.

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LO IDEAL vs. LO PRÁCTICO
El diodo semiconductor se comporta
como un interruptor mecánico en el
sentido de que puede controlar el flujo
de corriente entre sus dos terminales.
Sin embargo, también es importante
tener en cuenta que:
El diodo semiconductor es diferente del
interruptor mecánico en el sentido de
que cuando éste se cierra sólo permite
que la corriente fluya en una dirección.

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LO IDEAL vs. LO PRÁCTICO
Idealmente, para que el diodo semiconductor
se comporte como un cortocircuito en la región
de polarización en directa, su resistencia deberá
ser de 0 Ω.
En la región de polarización en inversa su
resistencia deberá ser de ∞Ω para representar
el equivalente a un circuito abierto.
Tales niveles de resistencia en las regiones de
polarización en directa y en inversa producen
las características de la figura 1.22.
Como la corriente es de 0 mA en cualquier
parte de la línea horizontal, la resistencia es de
∞Ω en cualquier punto del eje.

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 RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA
RESISTENCIA DE CD O ESTÁTICA
Aplicando CD en un circuito, en general,
cuanto mayor sea la corriente a través de
un diodo, menor será el nivel de resistencia
de CD.
RESISTENCIA DE CA O DINÁMICA
Aplicando CA en un circuito, en general,
cuanto más bajo esté el punto de operación
(menor corriente o menor voltaje), más alta
es la resistencia de CA.

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 RESISTENCIA ESTÁTICA Y DINÁMICA
Si la señal de entrada es suficientemente grande para
producir una amplia variación tal como se indica en la
figura 1.28, la resistencia asociada con el dispositivo en
esta región se llama resistencia de ca promedio. La
resistencia de ca promedio es, por definición, la
resistencia determinada por una línea recta trazada
entre las dos intersecciones establecidas por los
valores máximo y mínimo del voltaje de entrada.
Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto
más bajo sea el nivel de las corrientes utilizadas para
determinar la resistencia promedio, más alto será el
nivel de resistencia.

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RESUMEN

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