UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

TÉCNICO EN INGENIERÍA CON ESPECIALIZACIÓN EN

TELECOMUNICACIONES

TEMA

SEMICONDUCTORES

ESTUDIANTE
OMAR QUIJADA 8-896-1270

GRUPO:
1TL221

MATERIA:
ELECTRÓNICA I

PROFESORA:
RICARDO MORENO

FECHA DE ENTREGA:
2 DE ABRIL DE 2024

I SEMESTRE
2024

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 INVESTIGACIÓN No. 1

• Explicar el proceso de Conducción en aislantes y metales

Proceso de Conducción en los aislantes:
el proceso de Conducción se ve afectado ya que materiales como el vidrio o el
plástico no permite que los electrones se muevan libremente esto causa que no
haya Conducción.

Proceso de Conducción en los metales:

En el caso de los metales el proceso de Conducción es lo opuesto ya que los
materiales como el oro o el cobre permiten que los electrones se muevan
libremente y haya Conducción.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 • Explicar el proceso de Conducción en semiconductores
intrínsecos y extrínsecos denotando la estructura de los
mismos a nivel atómico

proceso de Conducción En los semiconductores intrínsecos:

como el silicio o el germanio puros, la conducción se debe principalmente a la
generación térmica de pares electrón-hueco y a la migración de portadores
resultante. A nivel atómico, los átomos de semiconductor tienen cuatro
electrones en su capa de valencia. A temperaturas normales, algunos de estos
electrones son promovidos a la banda de conducción, dejando detrás huecos en
la banda de valencia. Estos electrones y huecos pueden moverse bajo la
influencia de un campo eléctrico aplicado, lo que da lugar a la conducción
eléctrica.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 Proceso de Conducción los semiconductores extrínsecos:
En los semiconductores extrínsecos se introducen impurezas deliberadas para
modificar sus propiedades eléctricas. Por ejemplo, al añadir átomos de fósforo
(un donante de electrones) al silicio, se crea un semiconductor tipo n. A nivel
atómico, los átomos de fósforo tienen cinco electrones en su capa de valencia, y
el quinto electrón se convierte en un electrón libre que puede contribuir a la
conducción. Del mismo modo, al añadir átomos de boro (un aceptor de
electrones) al silicio, se crea un semiconductor tipo p. A nivel atómico, los
átomos de boro tienen tres electrones en su capa de valencia, lo que crea un
hueco que puede actuar como portador de carga positiva. Estos portadores
extra modifican significativamente la conductividad eléctrica del semiconductor
extrínseco.

• Describir la estructura de un cristal de Germanio y de

Silicio
R. Tanto el germanio como el silicio son cristales con una estructura cristalina
cúbica de diamante. En esta estructura, cada átomo de germanio o silicio está
unido covalentemente a otros cuatro átomos en una disposición tetraédrica.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 En un cristal de germanio o silicio, cada átomo está rodeado por cuatro átomos
vecinos, formando una red tridimensional continua. Cada átomo comparte
electrones con sus átomos vecinos, lo que resulta en una estructura cristalina
sólida y estable.
Esta estructura cristalina cúbica de diamante proporciona a los
semiconductores como el germanio y el silicio sus propiedades eléctricas
únicas, permitiendo la generación y la conducción de electrones y huecos que
son fundamentales para su funcionamiento en dispositivos electrónicos.

• Como se comportan los portadores mayoritarios y

minoritarios y sus impurezas
R. Portadores mayoritarios:
En un semiconductor intrínseco, los portadores mayoritarios son electrones y
huecos, que se generan térmicamente y contribuyen significativamente a la
conductividad eléctrica.
En un semiconductor extrínseco, los portadores mayoritarios son aquellos que
se generan debido a las impurezas añadidas. Por ejemplo, en un semiconductor
tipo n (con impurezas donantes como el fósforo), los portadores mayoritarios
son electrones libres adicionales generados por los átomos de fósforo. En un
semiconductor tipo p (con impurezas aceptoras como el boro), los portadores
mayoritarios son los huecos resultantes de la falta de electrones en los átomos
de boro.

Portadores minoritarios:
Los portadores minoritarios son los menos abundantes en el semiconductor. En
un semiconductor intrínseco, los portadores minoritarios son los electrones en
la banda de valencia y los huecos en la banda de conducción. En un
semiconductor extrínseco, los portadores minoritarios son los que no son
generados por las impurezas añadidas. Por ejemplo, en un semiconductor tipo
n, los portadores minoritarios son los huecos en la banda de valencia, mientras
que en un semiconductor tipo p, los portadores minoritarios son los electrones
en la banda de conducción.

Impurezas añadidas:
Las impurezas añadidas pueden actuar como donantes o aceptores de
electrones, lo que afecta significativamente la concentración y la movilidad de
los portadores en el semiconductor, y por lo tanto, su comportamiento eléctrico.

• Explicar que son Semiconductores dopados

Omar Quijada Materia:
Electrónica I
 R. Los semiconductores dopados son semiconductores a los que se les han
agregado deliberadamente pequeñas cantidades de impurezas, también
conocidas como dopantes, durante el proceso de fabricación. Estos dopantes
pueden ser átomos de elementos diferentes al semiconductor principal, como
fósforo, boro, arsénico, entre otros.
La adición controlada de impurezas dopantes altera las propiedades eléctricas
del semiconductor, modificando su conductividad y su comportamiento frente a
la corriente eléctrica. Dependiendo del tipo de dopante utilizado, se pueden
obtener dos tipos principales de semiconductores dopados: tipo n y tipo p.
- Semiconductores tipo n: Se obtienen al añadir dopantes donantes, como el
fósforo o el arsénico, que aportan electrones adicionales al semiconductor. Esto
aumenta la concentración de electrones libres en el material, incrementando su
conductividad eléctrica.
- Semiconductores tipo p: Se logran al introducir dopantes aceptores, como el
boro o el galio, que crean huecos en la estructura del semiconductor, lo que
facilita la conducción de corriente eléctrica mediante la movilidad de estos
huecos.
Los semiconductores dopados son fundamentales en la fabricación de
dispositivos electrónicos, ya que permiten controlar y diseñar sus propiedades
eléctricas para aplicaciones específicas.

• La Difusión de huecos y electrones

R. La difusión de huecos y electrones es un fenómeno que ocurre en
semiconductores donde estos portadores de carga se mueven desde regiones de
alta concentración hacia regiones de baja concentración. En un semiconductor
tipo n, los electrones tienden a difundirse desde áreas con mayor concentración
hacia áreas con menor concentración. Por otro lado, en un semiconductor tipo
p, los huecos se difunden desde regiones de alta concentración hacia regiones
de baja concentración.
Este proceso de difusión es impulsado por el gradiente de concentración de
portadores y sigue las leyes de la difusión, que están determinadas por la
concentración de portadores, la temperatura y las características del material
semiconductor. La difusión de huecos y electrones es esencial en la operación
de dispositivos semiconductores, ya que contribuye a la corriente eléctrica y al
funcionamiento de componentes como los diodos y los transistores.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 • La unión p-n en equilibrio, explicando en detalles las
condiciones que se dan sin polarizar, en polarización
directa y polarización inversa. Debe presentar esquemas.

Para comprender el funcionamiento de la unión PN debemos recordar que

tanto el material P como el material N, son neutros (tienen el mismo número de
electrones que de protones). Al unir un semiconductor tipo N con uno tipo P se
origina un flujo de electrones a través de la unión PN. Los electrones libres (del
semiconductor N) se unen a los hueco (del cristal P) formándose un ión positivo
en N y uno negativo en P. Esto origina una tensión de difusión que se opone al
flujo de electrones a través de la unión. Esta tensión irá aumentando con el
paso de más electrones de N hacia P, hasta llegar un punto que imposibilita el
paso de más electrones. Al valor de la tensión en este momento se le
llama barrera de potencial o tensión umbral, (aproximadamente 0,7 V para
diodos de Silicio, y de 0,3 V para diodos de Ge). En la zona próxima a la unión
PN aparece la llamada zona de deplexión, en la cual no existen portadores de
carga libres libres.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
Unión PN polarizada

Las uniones PN pueden conectarse de 2 maneras a la fuente de alimentación, es decir

existen dos modos de polarizar la unión NP:

• Polarización directa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la

zona P, y el borne negativo (ánodo) a la zona N. Al aplicar tensión directa, se
reduce la barrera de potencial de la unión, ya que la tensión aplicada impulsa
a los electrones de N y huecos de P hacia la unión (estrechando la zona de
deplexión). Por tanto, los electrones tienden a cruzar la unión de N a P y los
huecos en sentido opuesto. Si la tensión de la fuente es mayor que la tensión
umbral, el diodo conducirá la electricidad a su través.

1. Polarización inversa: conectando el borne positivo (cátodo) de la fuente a la

zona N y el borne negativo (ánodo) a la zona P. Debido a la polarización de la
batería, los electrones y los huecos se encuentran atraídos hacia los extremos
del diodo, alejados de la unión PN, de manera que se ensancha la zona de
deplexión. Así los electrones y huecos encuentran mayor dificultad para pasar a
través de la unión. Por consiguiente, el diodo no permitirá el paso de la
corriente a su través comportándose como un interruptor abierto.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 • Explicar en detalles la resistividad de los diferentes
materiales
R. La resistividad es una medida de la oposición que un material ofrece al flujo
de corriente eléctrica a través de él. Depende de varios factores, incluyendo la
composición del material, la temperatura y la estructura cristalina.

- Metales: Los metales tienen baja resistividad debido a la presencia de

electrones libres en su estructura cristalina. Estos electrones pueden
moverse fácilmente a través del material, lo que resulta en una buena
conductividad eléctrica. La resistividad de los metales aumenta
ligeramente con la temperatura debido al aumento de la agitación
térmica que dificulta el movimiento de los electrones.

- Aislantes: Los aislantes tienen una resistividad alta porque tienen pocos
electrones libres disponibles para conducir la corriente eléctrica. Los
electrones están fuertemente ligados a los átomos y no pueden moverse
fácilmente a través del material. La resistividad de los aislantes puede
disminuir significativamente con el aumento de la temperatura, ya que
algunos electrones pueden adquirir suficiente energía térmica para
liberarse y contribuir a la conducción eléctrica.

- Semiconductores: Los semiconductores tienen una resistividad

intermedia entre los metales y los aislantes. Su resistividad puede variar
ampliamente dependiendo de la concentración de portadores de carga
(electrones o huecos) y la temperatura. A temperaturas bajas, los
semiconductores pueden comportarse como aislantes debido a la baja
concentración de portadores, pero a temperaturas más altas, la
resistividad puede disminuir significativamente debido a la mayor
movilidad de los portadores.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 La resistividad de un material está determinada por su composición,
temperatura y estructura cristalina, y es un factor crucial en el diseño y
funcionamiento de dispositivos electrónicos.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I
 Conclusión
Los semiconductores han sido un avance tecnológico significativo para el
entendimiento de la conducción eléctrica esto servirá para el avance y la
innovación tecnológica en las generaciones futuras la investigación de los
semiconductores y otros materiales así como los aislantes y los metales nos
pone en un gran futuro con los avances y la innovaciones Tecnológico y nos
brinda un mayor comprendimiento en lo que es el flujo de electrones.

Omar Quijada Materia:

Electrónica I