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Introducción a la

Ingeniería
Electrónica
Los semiconductores
Conductor
Un material conductor, desde el punto de vista electrónico es aquel que
tiene gran cantidad de electrones libres, permitiendo el flujo de
electrones entre sus átomos (electricidad) como por ejemplo el cobre.
Conductor
Un material conductor, desde el punto de vista electrónico es aquel que
tiene gran cantidad de electrones libres, permitiendo el flujo de
electrones entre sus átomos (electricidad) como por ejemplo el cobre.
Aislante
Un aislante es todo lo contrario por lo cual se dice que no conduce
electricidad.
Conductor
Un material conductor, desde el punto de vista electrónico es aquel que
tiene gran cantidad de electrones libres, permitiendo el flujo de
electrones entre sus átomos (electricidad) como por ejemplo el cobre.
Aislante
Un aislante es todo lo contrario por lo cual se dice que no conduce
electricidad.

Semiconductor
Un semiconductor, es un material que tiene
las propiedades eléctricas de un
conductor y de un aislante, como por
ejemplo el Germanio y el Silicio
(metaloides). Este ultimo el más utilizado
en la actualidad para la fabricación de
componentes electrónicos.
Conductor
Un material conductor, desde el punto de vista electrónico es aquel que
tiene gran cantidad de electrones libres, permitiendo el flujo de
electrones entre sus átomos (electricidad) como por ejemplo el cobre.
Aislante
Un aislante es todo lo contrario por lo cual se dice que no conduce
electricidad.

Semiconductor
Un semiconductor, es un material que tiene El silicio, después
las propiedades eléctricas de un del oxígeno es el
conductor y de un aislante, como por elemento mas
ejemplo el Germanio y el Silicio abundante en la
(metaloides). Este ultimo el más utilizado corteza terrestre
en la actualidad para la fabricación de en: arena, cuarzo,
componentes electrónicos. granito, arcilla, etc.
Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-hueco
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones asociados
al enlace son libres de desplazarse bajo la
influencia de un campo eléctrico externo.
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas
Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-hueco
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones asociados
al enlace son libres de desplazarse bajo la
influencia de un campo eléctrico externo.
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas
Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-hueco
𝒏=𝒑=𝒏 𝒊=𝒑 𝒊 .
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones asociados Concentración de electrones
al enlace son libres de desplazarse bajo la intrínseco
Concentración de huecos
influencia de un campo eléctrico externo.
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas
Semiconductores: Silicio
Generación de pares electrones-hueco
𝒏=𝒑=𝒏 𝒊=𝒑 𝒊 .
A elevar la temperatura algunos enlaces
covalentes son rotos, y los electrones asociados Concentración de electrones
al enlace son libres de desplazarse bajo la intrínseco
Concentración de huecos
influencia de un campo eléctrico externo.
Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja
Corriente en un semiconductor
una carga positiva neta en la estructura de
valencia -> lagunas

Movilidad de los Movilidad de los


electrones huecos
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas

En equilibrio
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas

En equilibrio (aislante)
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas

En equilibrio (aislante)
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas

Electrones libres y zona de


En equilibrio (aislante)
conducción.
Semiconductores: Cristal de Silicio
Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos
son iguales. No tiene impurezas

Electrones libres y zona de


En equilibrio (aislante)
conducción.
(conductor)
Tipos de semiconductores
Semiconductores Extrínsecos: se le agregan impurezas, es decir átomos diferentes
de otros materiales (aleaciones). Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio.
Tipos de semiconductores
Semiconductores Extrínsecos: se le agregan impurezas, es decir átomos diferentes
de otros materiales (aleaciones). Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio.

TIPO P: TIPO N:
Portadores Portadores
mayoritarios mayoritarios
huecos (+) electrones(-)
Tipos de semiconductores
Semiconductores Extrínsecos: se le agregan impurezas, es decir átomos diferentes
de otros materiales (aleaciones). Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio.

TIPO P: TIPO N:
Portadores Portadores
mayoritarios mayoritarios
huecos (+) electrones(-)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

ZONA P: ZONA N:
Portadores Zona de
Portadores
Mayoritarios agotamiento
Mayoritarios
Huecos (Barrera de electrones
potencial)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

ZONA P: ZONA N:
Portadores Zona de
Portadores
Mayoritarios agotamiento
Mayoritarios
Huecos (Barrera de electrones
potencial)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

Átomo de silicio

ZONA P: ZONA N:
Portadores Zona de
Portadores
Mayoritarios agotamiento
Mayoritarios
Huecos (Barrera de electrones
potencial)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

Átomo de silicio

ZONA P: ZONA N:
Portadores Zona de
Portadores
Mayoritarios agotamiento
Mayoritarios
Huecos (Barrera de electrones
potencial)
La Unión PN
Unión de dos Electrodos (Diodo)
(SEMICONDUCTORES P Y N)

Enlaces covalentes

Átomo de silicio

ZONA P: ZONA N:
Portadores Zona de
Portadores
Mayoritarios agotamiento
Mayoritarios
Huecos (Barrera de electrones
potencial)
Polarización Directa de la Unión PN
Polarización Directa de la Unión PN

Zona de agotamiento se reduce


Si la unión es de Silicio, el VD
debe se superior a 0,7 V
Si la unión es de Germanio, el
VD debe ser superior a 0,3 V
Hay circulación de corriente
desde ID > 0
Polarización Inversa de la Unión PN
Polarización Inversa de la Unión PN

Zona de agotamiento se agranda.


Tensión de ruptura, es el voltaje
máximo permitido sin que se
destruya la unión.
No hay circulación de corriente
ID = 0
Circulación de corriente en un semiconductor
Circulación de corriente en un semiconductor

La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas


como corrientes de difusión.
Circulación de corriente en un semiconductor

La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas


como corrientes de difusión.
Circulación de corriente en un semiconductor

Tensión de ruptura
inversa

La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas


como corrientes de difusión.
Circulación de corriente en un semiconductor

Tensión de ruptura
inversa
Corriente de saturación inversa : es función del
área de juntura, de las constantes de difusión,
concentración de equilibrio y longitud de difusión
de los portadores minoritarios

La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas


como corrientes de difusión.
Circulación de corriente en un semiconductor

Tensión de ruptura
inversa
Corriente de saturación inversa : es función del
área de juntura, de las constantes de difusión,
concentración de equilibrio y longitud de difusión
de los portadores minoritarios

La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas


como corrientes de difusión.
El diodo como elemento
Pines de un diodo

Ánodo Cátodo
El símbolo utilizado para su
representación en diagramas de
circuitos es una punta de flecha,
Ánodo Cátodo
dirigida en el sentido convencional de la
corriente.

ánodo cátodo Patillaje de un


+ - diodo LED
I
Ánodo Cátodo
Sentido convencional de la corriente

Ánodo Cátodo
Zona de ruptura
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es aplicado,
la juntura PN experimentara una
rápida avalancha y conducirá en la
dirección inversa.
Zona de ruptura
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es aplicado,
la juntura PN experimentara una
rápida avalancha y conducirá en la
dirección inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo eléctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
Zona de ruptura
Si un voltaje negativo
suficientemente elevado es aplicado,
la juntura PN experimentara una
rápida avalancha y conducirá en la
dirección inversa.
Los electrones de valencia que son
liberados bajo la influencia del
campo eléctrico aplicado, son
acelerados colisionando con otros
electrones creando una avalancha.
En esta región, pequeños cambios en
el voltaje aplicado pueden causar
grandes variaciones de corriente n
Areas y Aplicaciones
Las Areas donde se utilizan los diodos son Aplicaciones mas divulgadas:
tan diversas como sus aplicaciones:
 Biomedicina.  Cirugía laser, fototerapia, limpieza de
 Imagen. sangre, pasteurización, etc.,
 Instrumentación industrial.  Sanitización: esterilización con luz UV.
 Telecomunicaciones.  Detectores y sensores industriales
 Telemetría.  Componentes y Sistemas de Fibra óptica
 Microscopía.  Equipos de medición de largo alcance
 Metrología y Calibración.  Fuentes y microscopios Laser.
 Espectroscopía.  Radar y Geolocalización.
 I+D materiales semiconductores.  Test y sistemas de medición en
laboratorios especializados.
En las aplicaciones mas frecuentes de
nuestra vida diaria los podemos
encontrar en equipos como:

Rectificadores.
Reguladores.
Circuitos de enclavamiento.
Circuitos lógicos.
LEDs, fotodiodos.
Rectificadore
s
Rectificador de
media onda
Rectificadore
s
Rectificador de
media onda
Rectificadore
s
Rectificador de
media onda

Rectificador de
onda completa
Rectificadore
s
Rectificador de
media onda

Rectificador de
onda completa
Rectificador de onda completa
Rectificador de onda completa
Rectificadores con filtro
RC
Rectificadores con filtro
RC
Rizado en filtros RC (ripple)
Rizado en filtros RC (ripple)
Ejemplo: Cargador de batería
Ejemplo: Cargador de batería
Reguladores
Recortadores
Recortadores
Circuitos lógicos con diodos
Circuitos lógicos con diodos

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