Diodo semiconductor, Zener y Rectificadores

Wuilson Adolfo Estacio Rojas

Eletrónica Analógica, Departamento de Física , Universidad Nacional de Colombia, Bogotá D.C

06 de Septiembre del 2017

Resumen
Se analiza el comportamiento de diferentes diodos como son los semiconductores y el diodo Zener, se estima el voltaje
umbral y el voltaje de Zener para este ultimo tipo de diodo, se analiza el comportamiento de los diodos semiconductores
en función de la temperatura, enfriándolos con ayuda de nitrógeno liquido. Con las gráficas de corriente contra voltaje
para el diodo semiconductor, se estima la constante de Boltzmann. Por último se analiza el comportamiento de los
rectificadores con filtro, que se construye de varias manera una conectando en paralelo un capacitador de la resistencia,
se mide el voltaje pico, el voltaje de rizado, se estima el voltaje de cd y estima el factor de rizado para cada configuración
donde se varían los capacitadores. Otra forma es conectando diodos en paralelo y serie en el circuito, en donde se repiten
los cálculos y medidas de la configuración anterior, comprobando que a grandes valores de Capacitancia o resistencia,
el voltaje cd tiende a un valor estable.

1. Introducción conductividad.[1]

Los semiconductores son sólidos cuya resitividad está Impurezas como el arsénico y el antimonnio aumentan la
entre la de los conductores elétricos y la de los aislantesconductividad del silicio al incrementar la cantidad de por-
elétricos. Los trnasistores, los diodos de unión, los diodos
tadores de carga negativos (N). El silicio tipo N contiene
Zener,circuitos integrados y los rectificadores metálicos algunas cargas positivas (huecos), pero son la minoría y se
son ejemplos de semiconducoctores. les conoce como portadores minoritarios. En cambio con
impurezas como el indio y el galio elevan la conductividad
Mediante dispositivos semiconductores se llevan a cabo del silicio mediante el incremento del número de portado-
diversas funicones de control. Puede utilizarse como res de carga positivos (P,huecos), a este se le denomina
rectificadores,osciladores, y elmentos de conmutación. tipo (P). [2]
Entre sus características se encuentra en que no vibren,
consumn poca energía e irradian poco calor. No requieren
tiempo de calentamiento y empiezan a funcionar en
cuanto se les suministra energía. Además, son fuertes y se
puede configurar para que permanezcan herméticos ante
las condiciones del medio externo.

El silicio y, en menor grado, el germanio, son los materiales

con los que actualmente se construyen estos dispositivos
semiconductores, donde el silicio es el predominante por
ser más sensible al calor. Al ser la resitividad muy elevada
del germanio y silicio, estos primeramente se deben
someter a un proceso de purificación. Para aumentar la
conductividad de estos elementos se añaden cantidades Figura 1: Movimiento de los electrones libres y huecos en
minúsculas de ciertas impurezas, las cuales modifican el material tipo P. Tomada de [1]
la estructura del enlace eletrónico de los átomos, y les
proporcionan portadores de corriente que aumentan su Los huecos sientes atracción por los eletrones libres.

1
Cuando se encuentra un eletrón libre y un hueco, el
primero llena el hueco y neutraliza su carga. Entonces se
dice que el eletrón libre se ha combinado con el hueco.
Durante este proceso, tanto el hueco como el eletrón libre
se pierden como portadores de corriente. Mientras sucede
lo anterior, también se están formando nuevos portadores
de corriente en otras partes del semiconductor.
El movimiento de los portadores de corriente se puede
controlar aplicando un voltaje de una batería externa,
VAA como se muestra en la figura (1). La terminal positiva
repele los huecos del silicio tipo P que se desplazan hacia
la terminal negativa. Los eletrones libres entran al silicio
procedentes de la terminal negativa y se desplazan hacia
los heucos. Esto forma combinaciones que liberan más
eletrones y hueco móviles en el silicio. Los eletrones libe-
rados se desplazan hacia la terminal positiva de la batería
y los huecos hacia la terminal negativa de la batería, de
manera tal que se mantiene un flujo de corriete constante 1.1.
en el circuito externo.
Figura 2: Símbolo para caracterizar al diodo, una terminal
que me designa el ánodo y otro el cátodo. Tomada de [1]
tipo P el resultado es el flujo de corriente que se conoce
como polarización directa. Los electrones y lso huecos se
desplazan, al ser repelidos ,en dirección a la unión PN,
en donde se recombinan para formar cargas neutrales y
son remplazados por los electrones libres de la batería.
Este movimiento de cargas mantiene una elevada corriente
directa a través del diodo en forma de electrones libres
que pasan del material M, por la unión y el material P,
a la terminal a través de esta conexión, se dice que el
diodo tiene una resistencia direta baja. La conexión para
la polarización inversa se muestra en la figura (3) . La
conexión de polarización inversa produce una resistencia
inversa elevada en el diodo.
Para que haya un flujo de corriente, mostrada en la figura
(2), la terminal positiva de la batería debe estar en el áno-
do y la terminal negativa en el cátodo en una configuración
de polarización directa.
Característica de voltaje y corriente di-
recta
Se representa en la figura mostrada (4). Para determinar.
Para determinar la relación entre el diodo y la corriente
en el diodo, se mide la corriente de diodo correspondiente
a una cantidad sucesiva de voltajes cada vez mayores y se
traza una gráfica de la corriente en función del voltaje.

Figura 3: Polarización inversa del circuito, con una fuente

y un diodo tipo PN. Tomada de de [1] Figura 4: Caractrísticas volt -ampers en polararización
directa de un diodo de unión. Tomada de [1]
Cuando se unen silicios de tipo P y N como se muestra
en la (figura3) , se forma un diodo de unión. Este disposi- Cuando el voltaje es bajo, se observa que hay poco
tivo tiene una característica: la capacidad para permitir flujo de corriente . por lo tanto, para una polarización
el paso de la corriente sólo en una sola dirección. directa a menor a los 0.7V, el diodo atrae poca corriente.
Mayores a este valor, se activa y permite flujo de corriente.
Al conectar la terminal negativa de la batería al silicio

2
 Cuando el diodo tiene polarización inversa, la pequeña
corriente producida por los portadores minoritarios per-
manece relativamente constante, es decir, independiente-
mente del voltaje de polarización, hasta que se llega a cier-
to valor de voltaje. Después de este nivel seguro de pola-
rización inversa se produce un fenómeno conocido como
rupturab de avalancha", cuando se presenta una corrien-
te de sobrecarga fuerte,m la cual puede dañar el diodo.
Por ello, es necesario que éste funcione dentro de limites
seguros.
1.2. Características del diodo Zener
Existe otro tipo de diodo, conocido como diodo Zener,
cuyas características especiales de corriente y voltaje en
polarización inversa se utilizan en aplicaciones diferentes.
Cuando el diodo tiene polarización directa se comporta
como un interruptor cerrado y corriente directa se incre-
menta al aumentar el voltaje. La corriente directa está
limitada por los parámetros del circuito. Cuando el diodo
tiene polarización inversa, circula una pequeña corriente
inversa, Is , llamada corriente de saturación. Is es relativa-
mente constante aunque aumente el valor de la polariza-
ción inversa, hasta llegar a la región de disrupción Zener,
cercana al voltaje Zener, VZ . Alrededor de esta región la
corriente inversa empieza aumentar con rápidez debido al
efecto de avalancha. Por último se produce la disrupción
Zener (un) súbito aumento de la corriente) cuando se al-
canza el valor del voltaje Zener, como se muestra en la
figura (5).
Figura 5: Características del diodo Zener. Tomada de [1]
3
En esta región una pequeña variación del voltaje produce
un enorme cambio en la corriente. Un aumento súbito de
corriente no necesariamente provoca un factor de riesgo
para el diodo. En tanto la corriente que circula por el diodo
esté limitada por el circuito externo a un nivel dentro de
su capacidad de potencia admisible, el diodo funcionará
con normalidad. [1]
Además, al reducir la polarización inversa a valores
inferiores al del voltaje Zener, el diodo sale de su nivel de
disrupción y regresa a su nivel de corriente de saturación.
Al utiliza una pequeña energía para poder pasar a través
del diodo, de forma similar a como una persona empuja
una puerta venciendo un muelle. Esto significa que hay
un pequeño voltaje a través de un diodo conduciendo,
este voltaje es llamado caída de voltaje o tensión en dir
ecta y es de unos 0,7 V para todos los diodos normales
fabricados de silicio. La caída de voltaje en directa de un
diodo es casi constante cualquiera que sea la corriente
que pase a través de él por lo que tiene una característica
muy pronunciada como se muestra en la gráfica 5.
La relación entre tensión y corriente está dada por la ecua-
ción:
 V 
D
I = Is e nVT
−1 (1)
Donde I es la corriente a través del diodo, Is es la corriente
de saturación, VD es la diferencia de potencial entre termi-
nales, n es el coeficiente de emisión (fabricación) y VT es
el voltaje teŕmico (25mV) a temperatura ambiente. Otra
forma de escribir es:
 qV 
D
I = Is e nKB T
−1 (2)
Donde KB es la constante de Boltzman, en la parte de
análisis se hará uso de esta ecuación para determinar esta
constante.
1.3. Rectificadores
1.3.1. Media onda y onda completa
Los voltajes y corriente en cd y ca sirven para alimentar a
una gran variedad de dispositivos electrónicos. Dado que
la energía eléctrica de ca es más eficiente y su transmisión
es más económica, en general, es la que transmiten y
entregan las empresas de suministro de energía eléctrica.
Es necesario modificar o rectificar esta energía de ca,
cambiándola a voltajes y corrientes en cd. Este experi-
mento maneja los medios electrónicos que permiten lograr
rectificación.
La corriente directa es una corriente que solo fluye en una 2. Montaje experimental
sola dirección. Un diodo con características de corriente
unidireccional se presta en forma admirable para realizar Se procede a realizar el respectivo montaje para un diodo
la rectificación, ya que sólo permite el flujo de la corriente semiconductor, led y otro denomidado Zener, se hizo uso
en una dirección. Los rectificadores de silicio, selenio, de elementos como:
germanio y óxido de cobre son dispositivos de estado
sólido que se utilizan como rectificadores de alimentación. Diodos 1N4004,Zener y led rojo,verde,amarillo

Osciloscopio.
Un rectificador ideal se comporta como un interruptor
cerrado de resistencia cero cuando tiene polarización Fuente de corriente alterna.
directa y como un interruptor abierto de resistencia
infinita cuando tiene polarización inversa. Es decir, está Fuente de corriente directa
encendido cuando su ánodo es positivo respecto del
cátodo, apagado cuando el ánodo es negativo respecto del Resistencias,
cátodo. Multímeto

Las caracterísiticas de un rectificador que por lo común Un termistor

proporciona el fabricante incluyen:
Protoboard
El voltaje inverso pico (PIV), es decir, la polarización
inversa máxima que es posible aplicar a un rectifica- 2.1. Primera parte
dor sin provocar ruptura. Se procede a realizar el montaje del diodo semiconductor
Entrada de voltaje senoidal máximo (rms). 1N 4004 y los led verde y amarillo como se muestra en la
figura (6).
Corriente directa rectificada de media onda promedio
con carga resistiva, a una temperatura determinada.

Corriente directa recurrente pico, a una temperatura

determinada.

Voltaje directo máximo a valores especificados de co-

rriente y temperatura.

Corriente inversa máxima a voltaje inverso máximo

Figura 6: Montaje experimental
Temperaturas de operación y almacenamiento.

Un factor de correlación para determinar la cantidad En esta sección se hizo de una resistencia de 507Ω, un
de corriente que pasa por un rectificador a una tem- osciloscopio, una protoboard, fuente de corriente alterna,
peratura dada. multímetro, termistor y nitrogeno líquido.
valores
Se procede a conectar en el protoboard la entrada del
generador de onda senosoidal, de igual forma colocar la
Se puede calcular el voltaje de rizado Vr y el voltaje
resistencia y el diodo semiconductor en serie, colocando
Vcd a partir de las ecuaciones
las sondas como se muestra en (7) para proceder a tomar
los respectivos datos.

Vp El circuito consta de un diodo 1N 4004 de potencia

Vr = (3)
2f CRL 3.0W conectado en serie con una resistencia de 507Ω y
alimentado con una fem sinusoidal de 10.35V . Sobre el se
verifica el comportamiento y las propiedades utilizando
una fuente flotante,es decir una fuente que no tiene tierra,
 
1
Vcd = VP 1 − (4) y la corriente es tomada según el punto del embobinado
4f RL C

4
 El montaje consistió en una f em en serie con una resis-
tencia limitadora de corriente, que se determina a partir
de un valor mínimo calculado segun la potencia del diodo
zener, y todo en serie con una junto al diodo polarizado
inversamente tal como se muestra en la (figura 8).

Figura 7: Montaje para tomar las respectivos datos, con

el uso de un osciloscopio.

que se seleccione, este puede suminitrar señales senosoi-

dales con voltajes 6.02V , 10.1V .

Para comprobar el funcionamiento del diodo correcta-

mente, se procede a sacar del circuito, y haciendo uso de Figura 8: Montaje para el diodo Zener, el cual está polari-
un multímetro en la opción de diodo se puede observa zado invermente
que según la polaridad con que se conecte se encuentra
un voltaje sobre el, en este caso, cuando se polarizó El diodo es conectado en serie con una resistencia de
directamente el multímetro registro 0.563V un mensaje 694Ω y alimentado con una f em sinusoidal de 6V . Lo
que decía Good y cuando se polarizó inversamente se anterior es para caracterizar el diodo Zener, y determinar
registro en este caso un mensaje que decía Open. los parámetros de voltaje umbral, la resistencia dinámica,
la resistencias estática y la corriente inversa de saturación
Al cerrar el circuito, por medio de un osciloscopio se con la ayuda de un osciloscopio, como se muestra en la
analiza la señal de un canal que se conecta en paralelo al (figura 7).
diodo, junto con segunda señal al de otro canal conectado
en paralelo a la resistencia, con ello es posible determinar Para la toma de datos de ruptura se usa un Diodos Zener
el voltaje umbral, la resistencia dinámica, la resistencia de menos de 6V igual y para el proceso de avalancha Dio-
estática y la corriente inversa de saturación. dos Zener de mayores de 6V , aunque ambos mecanismos
son distintos se pretende averiguar si tienen el mismo
En la segunda parte se diseña un montaje que permita efecto en el osciloscopio.
analizar el comportamiento del diodo con la temperatura.
Para lo anterior se quita el diodo del circuito y por medio Posteriormente se hace el mismo procedimiento de la
de cables caiman-caiman se conecta al sitio de donde se primera parte, consiste en observar cuando se calienta
retiró, esto permite llevar el diodo a lugares de baja tem- y se enfria el diodo Zener mientras este se encuentra
peratura. Para este análisis el medio usado para enfríar el conectado al circuito. Para esto se soldan los extremos
diodo fue nitrógeno liquido que esta a una temperatura del diodo a cables que quedan conectados a los mismos
aproximada de -195.8 C. Al tener el circuito montado, se puntos que ocupaba el diodo en el circuito, con el fin
hizo uso de papel para formar un tubo largo que estaba de introducir el diodo fácilmente en nitrógeno líquido y
conectado a un vaso lleno de nitrógeno . Se fueron toman- poder enfriarlo y determinar los parámetros a medir.
do las medidas al variar la altura, esto causaba también
que haya un cambio en la temperatura. Se tomaron medi-
das para un rango amplio de temperaturas, hasta llegar a 2.3. Rectificadores de media onda, onda com-
sumergir el diodo con el punto de ebullición del nitrógeno. pleta y de puente
Se estudian 3 sistemas diferentes de rectificación: de
2.2. Segunda parte- Diodo Zener
media onda, onda completa y rectifiación usando puente
En esta sección se usaron diodos zener con voltajes de diodos. En la rectificación de punte se agrega un
menores a 5V y mayores a 6V , lo anterior se debe a los condesandor y remplazarlos para obtener un proceso
efectos de avalancha y ruptura. fino de rectificación y ver como cambia la rectificación a

5
resistencias y condensadores.

Con lo anterior se pretende estudiar el efecto de filtro de

un circuito rectificador, medir el voltaje de rizado Vriz y
el factor de rizado, y los factores que influyen sobre los
anterior, además se pretende calcular la potencia máxima
de la fuente.

En el rectificador de media onda el montaje del circuito

consta de un un diodo conectado en serie a una resistencia
de carga RL de 1.2kΩ, y todo a su vez conectado a la
fuente flotante. Sobre este circuito se estudia el proceso
de filtrado observando con el osciloscopio el voltaje en
función del tiempo sobre la resistencia.
Figura 10: Montaje experimental para el circuito como rec-
tificador de onda comlpleta

Figura 9: Montaje para el rectificador de media onda.

Figura 11: Montaje experimental construido como rectifi-
En el rectificador de onda completa se requirió adicionar cador de puente. En el circuito se varía tanto el capacitor
a un diodo al circuito de rectificación de media onda. como la resistencia.
Este consta de dos mallas que comparten una resistencia
de carga RL que se conecta a una derivación central
de embobinado de la fuente flotante; de esta forma la
corriente es filtrada mientras recorre las mallas en sentido Despues se construye una tabla usando los voltajes pico
horario y antihorario. rectificados y los voltajes minimos obtenidos por medio
del osciloscopio y de las siguientes relaciones se completa
El rectificador construido con un puente de diodos, se la información del voltaje de rizado Vr y del voltaje
construye conectando 4 diodos junto a una resistencia de promedio Vcd :
carga RL , este circuito no requiere una derivación central
de la fuente flotante, y vale la pena indicar que no es Vr
posible observar al mismo tiempo en el osciloscopio un Vcd = Vp −
2
voltaje de entrada al circuito y un voltaje rectificado,
dado que estas dos mediciones no comparte tierra. Por
ello se debe realizar una medida a la vez.
3. Resultados y análisis
Luego se selecciona uno de los tres rectificadores,
en este caso, Rectificador con filtro, y sobre el realizan 3.1. Diodo semiconductor
mediciones alternando inicialmente la resistencia de carga,
y luego los condesadores para encontrar una relación La variación de la corriente del circuito en función del
entre los voltajes de rizado Vris y el voltaje promedio voltaje del diodo es presentada en la figura 12. Se aprecia
Vcd , en función de la resisitencia y la capacitancia. Esta que a medida que disminuye la temperatura, la pendiente
informacion se debe comparar con los voltajes Vcd yVr de la gráfica también lo hace, razón por la cual el voltaje
obtenidos teoricamente. es función también de la temperatura.

6
Tabla 1: Voltajes correspondiente a los voltajes para los
diodos empleados en el montaje experimental. Estos valo-
res fueron tomados de una tabla de características de dio-
dos. Estos valores son conocidos como el voltaje el umbral.

Diodos V ± ∆V (V)
1N4004 0.618 ± 0.001
Verde 1.913 ± 0.029 (a) Valor a T = 295.15K (b) Valor a T = 264, 15K
Amarillo 1.815 ± 0.089
Zener 0.752 ± 0.028

(c) Valor a T = 196, 15K (d) Valor a T = 161, 15K

Figura 13: Datos tomados con el osciloscipio, para distin-

tos valores de diferencia de potencial

Figura 12: Curvas de corriente en función del voltaje pa-

ra diferentes temperaturas. La resistencia tiene un valor
de R = 0.507kΩ y el diodo es de referencia 1N 4007 de
acuerdo a la figura 6.

3.2. Led Amarillo Figura 14: Corriente en función del voltaje para las tem-
peraturas mostradas. La resistencia tiene un valor de R =
0.507kΩ.
Al reemplazar el diodo por el led amarillo se obtiene la
serie de curvas en función de la temperatura tal como se
muestra en la figura 14.

3.3. Led Verde

Al reemplazar el diodo por el led amarillo se obtiene la

serie de curvas en fnción de la temperatura tal como se
muestra en la figura 15.

7
En las gráficas se observa que la medida de la temperatura medida que la temperatura varía, así lo hace la pendiente.
es mayor cuando las curvas se desplaza a la izquierda, es Ésto es presentado en la tabla 2.
decir el voltaje umbral, al cual comienza a conducir dismi-
nuye, excepto para el diodo Zener, que su valor se mantiene
Tabla 2: Valores de resistencias dinámica y Zener calcula-
casi igual, esto se encuentra resumido en la figura (16), al-
dos a partir de las pendientes de la figura 16 a partir de la
go similar ocurre el con diodo 1N4007. Esto es coherente
polaridad directa e inversa respectivamente.
con la ecuación (2), que muestra la relación entre I y V,
ya que a menores temperaturas la parte exponencial tiene T(K) 299 277 269 234 192 157 131
un valore bastante grande y su crecimiento es más lento, RD (kΩ) 53.6 54.0 44.0 40.8 58.3 58.3 74.0
cosa opuesta ocurre al considerar temperaturas altas. RZ (kΩ) 1.2 80.2 84.1 80.9 222.3 85.0 74.3

3.4. El diodo Zener

Los diodos zener están diseñados para mantener un
voltaje constante en su terminales, llamado Voltaje de
Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, es decir
cuando está el cátodo con una tensión positiva y el ánodo
negativa. Un zener en conexión con polarización inversa
siempre tiene la misma tensión en sus extremos (tensión
zener).
Se muestra en la figura 17 el voltaje de salida en función
del de llegada en el diodo de zener de 6,99V, en donde
se aprecia que el voltaje de zener es de 20,8V, un voltaje
umbral de 19,8V. Aquí se produce una multiplicación por
avalancha Zener.
25

Diodo 1
Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el y = 0.99x + 0.09
20 y = 0.09x + 17.95
diodo conduce y mantiene la tensión Vz constante aun-
que nosotros sigamos aumentando la tensión en el circuito.
Voltaje Salida (V)

15
En la figura (16) se muestra la variación de la corriente
en función del voltaje. En ella se observa como cambia
para distintas temperaturas. 10

0
0 10 20 30
Voltaje Entrada (V)

Figura 17: Multiplicación por avalancha Zener. Voltaje de

salida en función del de entrada, las curvas azul y verde
representan el ajuste lineal para el momento en el cual se
produce avalancha, se observa cómo la recta verde tiene
una pendiente muy pequeña.

Se muestra ahora la gráfica 18 el voltaje de salida en

función del de llegada en el diodo zener de 3,6V, en donde
se aprecia que aproximadamente que a partir del valor del
voltaje del diodo, la gráfica ya carece de la linealidad que
Figura 16: Corriente en función del voltaje para el diodo tenía al principio y luego se curva.
Zener, en este parte se hace variar con la temperatura (T)
Se puede calcular la resistencia dinámica del diodo zener
Analizando la resistencia dinámica del diodo Zener, la cual para el diodo a 277,65 K aproximando los últimos datos a
se calcula como la pendiente de la gráfica para el cual el una recta lineal y teniendo en cuenta que ∆V = Zr ∆I ,
diodo comienza a conducir en directo, se observa que a se tiene que Zr = 34, 96Ω

8
 4 Vm
Vrms =
Diodo 3.6 V 2
Ajuste
Teniendo en cuenta que Vm = 13.6V , entonces
3 Vrms = 6, 8V , que comparándolo con el valor medido está
desviado en un 12 %.
Corriente (A)

De manera similar se puede hallar también el voltaje de

2
corriente directa (Vcd ), teniendo en cuenta que éste es el
promedio temporal.
1 T
Z
1
Vcd = VL dt
T 0
1 T
Z
0 Vcd = Vp sin (wt)dt
0 2 4 6 8 10 T 0
Voltaje (V)    
−Vp wT
Vcd = cos −1
Figura 18: Voltaje de salida en función del de entrada pa- wT 2
ra el diodo de 3.6V, aproximadamente para éste valor se Vp
presenta un cambio en la gráfica. Vcd =
π
De donde se obtiene un voltaje cd de Vcd = 4, 32V .
3.5. Constante de Boltzmann
Por otro lado, para calcular la constante de Boltzmann 3.6.1. Parte 1: Variando capacitancia
se ajustó cada una de las curvas de la corriente contra el
voltaje usando la expresión (2) con n = 2 puesto que los Respecto al montaje 3, se medían los valores de voltaje de
diodos son de silicio. Con esto se encontraron diferentes rizado (Vr ) y voltaje pico (Vp ) para calcular el voltaje cd
valores de la constantes a diferentes temperaturas, y se a partir de:
obtuvo el promedio entre ellos. Para tener un buen ajuste Vr
Vcd = Vp − (5)
de las gráficas es recomendable no tomar los puntos en 2
los cuales la figura tiende a una recta. De igual manera, teniendo en cuenta el valor de resistencia
usado de RL = 1.2kΩ, y con las ecuaciones (3) y (4), se
Posteriormente se procedió a despejar de la ecuación (2) calcularon los valores de voltaje de rizado y voltaje cd
KB arrojando un valor de kB = 1, 58×10−23 ±0, 0368J/K respectivamente de manera teórica. Éstos valores, tanto
con un error porcentual del 14, 4 % comparado con el valor los calculados como los medidos, se presentan en la tabla
teórico de kB = 1, 38 × 10−23 J/K [3]. 3.
A medida que el valor de la capacitancia aumenta, tanto
3.6. Rectificadores los valores de voltaje cd, como los de rizado medidos
concuerdan con los teóricos puesto que la ecuación (4) se
En ésta parte, se miden los valores del voltaje pico a hace para valores grandes de la multiplicación RL C, en
pico Vpp y root mean square Vrms para luego compararlos éste caso, como se tenía una resistencia fija, los valores
con los calculados teóricamente. Para el montaje 1 se calculados eran más precisos a medida que aumentaba el
obtuvieron valores para los voltajes de Vpp = 29, 6V y valor de C.
Vrms = 10.3V , similarmente para el montaje 2 los voltajes
medidos fueron Vpp = 13.6V y Vrms = 5.92V . El comportamiento del voltaje a medida que transcurre el
tiempo para cada uno de los capacitores es mostrado en
Se puede estimar el valor de Vrms mediante la integral. la figura 19. Como se indicó anteriormente, el valor del
voltajecd se calculó mediante la ecuación (5), mientras
s que el voltaje de rizado se medía directamente desde el
Z T
1 osciloscopio. Se muestra que el aumento del valor de la
Vrms = V 2 dt
T2 0 L capacitancia se ve reflejado en la tendencia del voltaje
s a un valor estable, el cual es mostrado como las líneas
Z T /2
1 trazadas naranjas y tiende a 13.66V .
Vrms = 2
(Vp sin (wt))2
T 0

9
 15 C = 0.1f 15 C = 0.33f 15 C = 0.47f

10 10 10
Voltaje(V)

Voltaje(V)

Voltaje(V)
5 5 5

0 0 0
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03
Tiempo(s) Tiempo(s) Tiempo(s)

15 C = 1f 15 C = 4.7f 15 C = 22f

10 10 10
Voltaje(V)

Voltaje(V)

Voltaje(V)
5 5 5

0 0 0
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03
Tiempo(s) Tiempo(s) Tiempo(s)

15 C = 100f
15 C = 47f 15 C = 68f

10 10 10

Voltaje(V)
Voltaje(V)

Voltaje(V)

5 5 5

0 0 0
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,01 0 0,01
Tiempo(s) Tiempo(s) Tiempo(s)

15 C = 220f 15 C = 470f

10 10
Voltaje(V)

Voltaje(V)

5 5

0 0
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03
Tiempo(s) Tiempo(s)

Figura 19: Voltaje en función del tiempo para 11 capacitores diferentes. Las líneas continuas azules y verdes representan
el voltaje pico y el voltaje mínimo respectivamente. La línea trazada naranja representa el voltaje dc (Vdc ). A medida
que el valor del capacitor aumenta, los voltajes pico y mínimo coinciden con el voltaje dc.

10
Tabla 3: Valores de capacitancia usados con sus voltajes pacitancia, es debido al factor RL C de las ecuaciones (3)
calculados y medidos. Los subíndices que acompañan a los y (4). El valor al cual tiene el voltaje cd para éste caso es
voltajes de rizado y cd, T y G, representan si los voltajes 13.7V .
fueron calculados teóricamente o medidos del osciloscopio
respectivamente. Se observa cómo los valores de los volta-
jes son más similares a medida que crece el valor de C. 4. Conclusiones

C(µf ) Vr,T (V ) Vr,G (V ) Vcd,T (V ) Vcd,G (V ) A partir de los gráficos de corriente en función del voltaje
(figuras 12 a 16), se evidencia un cambio de la respuesta
0.10 504.20 14.04 -237.70 7.38
de los diodos semiconductores, led y Zener no solo en el
0.33 152.79 14.04 -61.99 7.38
voltaje y la corriente, sino también en la temperatura. De
0.47 108.02 14.20 -39.51 7.40
igual modo, al variar las pendientes de las curvas para
1.00 50.42 13.20 -10.81 7.80 éstos dispositivos, así también lo hacen las resistencias
4.70 10.73 9.10 9.04 9.85 dinámicas; en el caso del diodo Zener cuando se polariza
22 2.29 2.00 13.25 12.40 en inverso, el valor de la resistencia Zener es también va-
47 1.07 1.10 13.86 13.20 riable, y aumenta a medida que la temperatura disminuye.
68 0.73 0.70 13.83 13.35
100 0.49 0.48 13.85 14.10 A partir del diodo semiconductor, se estimó un cálculo pa-
220 0.22 0.26 13.77 13.38 ra la constante de Boltzmann de 1.58×10−23 ±0.0368J/K
330 0.15 0.14 13.73 13.40 que se desvía del valor actualmente aceptado en un
14.14 %. En las figuras 17 y 18, se muestran lo dos casos
de ruptura del diodo, por avalancha y ruptura Zener, los
3.6.2. Parte 2: Variando resistencia
cuales dan cuenta de procesos distintos que suceden al
Posteriormente, el circuito se mantenía con una capacitan- interior del mismo.
cia constante y se variaba la resistencia, cuyo comporta-
miento se describe en la serie de gráficos de la figura 20. Finalmente, tal como se corroboró en la sección de rec-
Se observa una tendencia a un valor constante a medida tificadores, el uso de los mismos al trabajar circuitos de
que aumenta el valor de RL , nuevamente debido a que la voltaje variables se torna útil cuando bien la capacitancia
ecuación (4) es una aproximación para valores grandes del y la resistencia tengan valores altos, puesto que de éste
producto RL C. En la tabla 4, de manera similar a la ta- modo el voltaje tiende a un valor estable.
bla 3, se presentan las variaciones de los voltajes cd y de
rizado a medida que cambia el valor de la resistencia.
Referencias
Tabla 4: Variaciones de los voltajes de rizado y cd a medida
que cambia la resistencia. Análogo a la tabla 3, los subíndi- [1] Zbar-Malvino-Miller. Prácticas de eletrónica. Séptima
ces T y G representan los valores que fueron calculados de edición
forma teórica y medidos del osciloscopio respectivamente. [2] J ulio Evelio Rodríguez. Guía Eletrónica Analógica,
Igualmente a medida que aumenta el valor de la resisten- Diodos Semiconductores
cia, la ecuación tiende a ser más precisa respecto al valor
medido. [3] Rybicki, G., Lightman, A. P. Radiative processes in
astrophysics, 1985
RL (kΩ) Vr,T (V ) Vr,G (V ) Vcd,T (V ) Vcd,G (V )
0.12 7.11 5.60 10.25 11.00
0.15 5.68 5.00 10.96 11.30
0.20 4.26 4.00 11.67 11.80
0.22 3.93 3.60 12.03 12.20
0.27 3.20 3.40 12.40 12.30
0.30 2.88 3.20 12.56 12.40
1.50 0.58 1.40 13.91 13.50

Al comparar los valores de los voltajes teóricos con los

calculados, se observa que se parecen más a medida que
aumenta la resistencia, que como en el caso de variar ca-

11
 15 R = 120Ω 15 R = 150Ω 15 R = 200Ω

10 10 10
Voltaje(V)

Voltaje(V)

Voltaje(V)
5 5 5

0 0 0
-0,06 -0,04 -0,02 0 0,02 0,04 0,06 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03
Tiempo(s) Tiempo(s) Tiempo(s)

R = 220Ω R = 270Ω 15 R = 300Ω

15 15

10 10 10
Voltaje(V)

Voltaje(V)

Voltaje(V)
5 5 5

0 0 0
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03
Tiempo(s) Tiempo(s) Tiempo(s)

15 R = 1500Ω

10
Voltaje(V)

0
-0,06 -0,04 -0,02 0 0,02 0,04 0,06
Tiempo(s)

Figura 20: Voltaje en función del tiempo para 7 resistencias diferentes. Las líneas continuas azules y verdes representan
el voltaje pico y el voltaje mínimo respectivamente. La línea trazada naranja representa el voltaje dc (Vdc ). A medida
que el valor de la resistencia aumenta, los voltajes pico y mínimo coinciden con el voltaje dc.

12