Electrónica

Tema 1: Física de semiconductores

Prof. Néstor Gómez Lobos

Academia Politécnica Naval
Contenidos
 Conductores, semiconductores y aislantes
 Dopado semiconductores
 Diodos

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Conductores, semiconductores y aislantes

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Conductores, semiconductores y aislantes

Estructura atómica
+ protón
Neutrón
-
- Electrón
+
+ Bandas de
- energía o
capas
- -
Modelo de Bohr

Núcleo
-

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Conductores, semiconductores y aislantes

Estructura atómica
Nivel de energía
En la capa más externa de un átomo
existen electrones con un alto nivel de
energía y están relativamente enlazados
- - al núcleo

- -
La capa más externa se conoce como la
capa de valencia y los electrones
Capa 1 Capa 2 presentes en esta capa se llaman
Capa 3 electrones de valencia

Los electrones describen orbitas

más alejadas del núcleo
cuando tienen más energía

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Conductores, semiconductores y aislantes

Propiedades eléctricas de los materiales

Energía Energía Energía

La banda prohibida es la
cantidad de energía que un
Banda de conducción electrón de valencia debe
tener para saltar a la banda de
conducción
Banda de conducción
Banda prohibida
Banda prohibida
Banda de conducción
Banda de valencia Banda de valencia Banda de valencia

Aislante Semiconductor Conductor

Cuando un electrón adquiere suficiente energía adicional puede abandonar la capa de valencia,
convertirse en un electrón libre y existir en lo que se conoce como banda de conducción

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Conductores, semiconductores y aislantes

Propiedades eléctricas de los materiales

Un aislante es un material que no conduce corriente eléctrica en
condiciones normales. Los electrones de valencia están estrechamente
enlazados a los átomos (muy pocos electrones libres).
Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente.
Caracterizados por átomos con solo un electrón de valencia muy
flojamente enlazado al átomo. Los electrones flojamente enlazados se
convierten en electrones libres (Electrones libres son electrones de
valencia).

Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores

y aislantes, en lo que a su capacidad de conducir corriente eléctrica
respecta. Un semi conductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen
conductor ni buen aislante.

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Conductores, semiconductores y aislantes

Corriente en semiconductores
Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura ambiente tiene
energía calórica suficiente para que algunos electrones de valencia
salten la banda prohibida hasta la banda de conducción, convirtiéndose
en electrones libres (electrones de conducción).

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Conductores, semiconductores y aislantes

Corriente en semiconductores
Cuando se aplica un voltaje a través de un trozo de silicio intrínseco los electrones
libres generados térmicamente presentes en la banda de conducción (se mueven al
azar) son fácilmente atraídos hacia el extremo positivo. Este movimiento de electrones
es un tipo de corriente en un material semiconductor llamada corriente de electrón.

En la banda de valencia se genera otro tipo de corriente producto de los huecos

creados por los electrones libres. Los electrones en la banda de valencia no se
mueven libremente, pero se mueven al hueco mas cercano, llamada corriente de
hueco.

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Dopado semiconductores

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Dopado semiconductores

Dopado
La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente
mediante la adición controlada de impurezas al material semiconductor
intrínseco (puro). Este proceso, llamado dopado, incrementa el número de
portadores de corriente (electrones o huecos).

arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y

Tipo N antimonio (Sb)
Tipos de dopado

Tipo P boro (B), indio (In) y galio (Ga)

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Dopado semiconductores

Semiconductor tipo N
Para incrementar el número de electrones de banda de conducción en
silicio intrínseco se agregan átomos de impureza pentavalente. Estos
son átomos son cinco electrones de valencia

Semiconductor tipo P
Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco, se agregan
átomos de impureza trivalentes, átomos con tres electrones de valencia.
El átomo de boro agrega un hueco cuando se enlaza con los átomos de
silicio. Sin embargo, como el número de protones y el número de
electrones son iguales en todo el material, no existe carga neta en el
material y por lo tanto es neutro.

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 Diodos

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Diodos

Construcción de un diodo
Un trozo de silicio intrínseco es dopado de tal forma que una parte es
tipo n y la otra tipo p, se forma una unión pn en el límite entre las dos
regiones y se crea un diodo.

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Diodos

Construcción de un diodo

La región p tiene muchos huecos (portadores mayoritarios) por lo átomos

de impureza y sólo unos cuantos electrones libres térmicamente
generados (portadores minoritarios).
La región n tiene muchos electrones libres (portadores mayoritarios) por
los átomos de impureza y sólo unos cuantos huecos térmicamente
generados (portadores minoritarios).
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Diodos

Construcción de un diodo

Los electrones libres en la región n se mueven aleatoriamente en todas

direcciones. En el instante en que se forma la unión pn, los electrones
libres que se encuentran cerca de la unión en la región n comienzan a
difundirse a través de la unión hacia la región p, donde se combinan con
los huecos que se encuentran cerca de la unión.

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Diodos

Construcción de un diodo
Cuando se forma la unión pn, la región n pierde electrones libres a medida que se
difunden a través de la unión. Esto crea una capa de cargas positivas cerca de la
unión. A medida que los electrones se mueven a través de ésta, la región p pierde
huecos a medida que los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa de
cargas negativas cerca de la unión

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Diodos

Polarización directa del diodo

Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él.
Polarización en directa es la condición que permite la circulación de
corriente a través de la unión pn.

Se angosta la región de
empobrecimiento

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Diodos

Polarización Inversa del diodo

La polarización en inversa es la condición que en esencia evita
la
circulación de corriente a través del diodo.

Se agranda la región de
empobrecimiento

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Diodos

Curva característica V-I

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Diodos

Curva característica V-I

Ejemplo: Diodo de Germanio (Real, no ideal)

𝑖
𝒊 𝑞𝑣 𝑡 +
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑠(𝑒 𝑘𝑇
𝑣
−1)
−
𝒗
𝑰𝒔: cte: Corriente de saturación inversa Es un elemento resistivo
cuando v<0 (~10−4[𝐴]) controlado por voltaje
𝒒: Carga de un electrón
𝒌: Constante de Boltzman
𝑻: Temperatura en grados Kelvin

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Diodos

Modelo del diodo

Diodo Ideal
𝐼�
�

𝐼𝐹 +

𝑉𝐹

𝑉𝐹

𝐼𝐹= 0 si 𝑉𝐹 < 0 circuito abierto al estar polarizado en reversa

(OFF)
Si 𝐼𝐹 > 0 entonces 𝑉𝐹 = 0 cortocircuito, cuando está
conduciendo
(ON) La potencia entregada al diodo ideal es 𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 𝑖 𝑡 =
0∀ 𝑡 Prof. Nestor Gomez Lobos 2021 22
Diodos

Modelo del diodo

Resistencia lineal y diodo ideal.

𝑣(𝑡)
𝑣(𝑡) �
�

(𝑖 𝑡) (𝑖 𝑡)

Para 𝑖> 0 el diodo es corto-circuito → 𝑉 = 𝑅𝑖

Para 𝑉 < 0 el diodo es un circuito abierto → 𝑖= 0
Por lo tanto la conexión serie también es circuito abierto.

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Diodos

Modelo del diodo

Polarización directa

Polarización inversa

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Diodos

Modelo del diodo

Diodo practico
𝐼�
�

𝐼𝐹 +

𝑉𝐹

0.7 𝑉𝐹
𝑉

El modelo práctico incluye el potencial de barrera. Cuando el diodo está

polarizado en directa, equivale a un interruptor cerrado en serie con una
pequeña fuente de voltaje equivalente (VF) igual al potencial de barrera (0.7
V)
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Diodos

Modelo del diodo

Polarización directa

Polarización inversa

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Diodos

Recta de carga de un diodo

La recta de carga una herramienta empleada para hallar el valor exacto
de la corriente y la tensión del diodo, llamada punto de trabajo Q.
𝑰𝑭

𝐼� = 𝑉𝑠− 𝑉𝐹
�
�
�
𝑽
𝑭

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Diodos

Resistencia del diodo a corriente continua

𝑰𝑭

𝑰𝑭

𝑽 𝑽
𝑭 𝑭
�� = 𝑉𝐹
�� 𝐼𝐹

Este equivalente resistivo depende de cada tipo de diodo y su curva

característica V-I, establecida por su punto de trabajo.
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Diodos

Resistencia del diodo a corriente continua

Diodo 1N4001
Diodo 1N4001
Polarización directa
𝑽𝑭 𝑰𝑭 𝑰𝑭
0,661 0,0113
0,646 0,00835
0,635 0,00686
0,623 0,00538
0,606 0,00389
0,581 0,00242
0,534 0,000966
0,411 0,0000894
0 0

𝑽
𝑭

�� = 𝑉𝐹 0,646𝑉
𝑅� = 8,35𝑚 = 77,36 Ω
La Resistencia depende de cada
�� 𝐼𝐹 � punto de trabajo
𝐴
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Diodos

Resistencia del diodo a corriente continua

Diodo 1N4001

Polarización inversa
𝑽𝑭 𝑰𝑭
-0,5 -0,000000032
-1,5 -0,000000032
𝑅𝐹 𝑉𝐹 𝑅𝐹 = 15𝑀
-3 -0,000000032
-4,5 -0,000000032 = −0,5𝑉 = Ω
-6 -0,000000032
-7,5 -0,000000032 𝐼𝐹
-9 -0,000000032
-12 -0,000000032
−32𝑛𝐴
-0,5 -0,000000032

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