Liceo Industrial A- 20

Especialidad de Telecomunicaciones
Profesor: José Fernández Salcedo
Módulo : Medición y Análisis de componentes y circuitos electrónicos

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Guía Nº1
Módulo: Medición y Análisis de Componentes y Circuitos Electrónicos
“Semiconductores Intrínsecos y Extrínsecos”

Unidad:
Diodos, Física de los Semiconductores.

Aprendizajes Esperado:
Analiza los circuitos y dispositivos utilizados en la electrónica analógica básica
y el control de potencia.

MARCO TEÓRICO
Semiconductores

Un semiconductor es un elemento con valencia 4, lo que quiere decir que un átomo aislado de semiconductor tiene 4 electrones en su
órbita exterior o de valencia. El número de electrones en la órbita de valencia es clave para la conductividad eléctrica. Los conductores
poseen un electrón de valencia, los semiconductores tienen 4 y los aislantes 8 electrones de valencia.

Semiconductores Intrínsecos

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es
un átomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta más o menos como un aislante, ya que tiene solamente
unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por excitación térmica.

Flujo de electrones libres

La figura anexa muestra parte de un cristal de silicio entre dos placas metálicas cargadas.
Supóngase que la energía térmica ha producido un electrón libre y un hueco. El electrón libre se
halla en una órbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a la placa cargada
negativamente, el electrón libre es repelido hacia la izquierda. Este electrón puede pasar de una
órbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva.

Semiconductores Dopados
Semiconductores Extrínsecos

Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado

supone que deliberadamente se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. Un
semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco.
Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.

Material tipo N

Tanto los materiales tipo n como los p se forman agregando un número predeterminado de átomos de impurezas a una base de
germanio o silicio. El tipo n se crea añadiendo todos aquellos elementos de impurezas que tengan cinco electrones de valencia
(pentavalentes), tal como el antimonio, arsénico y fósforo.

En el material tipo n, a los electrones se les conoce como portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina
portadores minoritarios.

Material tipo P

El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo. Los
elementos más frecuentemente utilizados para este fin son boro, galio e indio.
Hay que notar que ahora hay un número insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes del nuevo enrejado formado.
La vacante resultante se le denomina hueco y se representa por un pequeño círculo o un signo positivo debido a la ausencia de una
carga negativa. Puesto que la vacante resultante aceptará rápidamente un electrón "libre", las impurezas agregadas es denominada
átomo aceptor.
En este tipo de material a los huecos se les conoce como portadores mayoritarios y los electrones libres son denominados portadores
minoritarios.

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Fabricación de Semiconductores

Para que un fabricante pueda adoptar un semiconductor, debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro. Controlando
posteriormente la cantidad de impurezas, puede determinar con precisión las propiedades del semiconductor. Inicialmente resultaba
más fácil producir cristales puros de germanio que de silicio. Por esta razón los primeros dispositivos semiconductores estaban hechos
de germanio. Después mejoraron las técnicas de fabricación y se pueden obtener cristales puros de silicio. Por las ventajas que tiene, el
silicio se ha erigido como el material semiconductor más popular y útil.

Diodo Semiconductor

Si se junta un cristal dopado con material tipo P, en conjunto a un material tipo N, se presenta un dispositivo denominado Diodo como
se muestra en la siguiente figura.

La palabra Diodo proviene de las palabras DI=DOS y ODO=ELECTRODOS, es decir, elemento de dos terminales. Al terminal
conectado al lado P del diodo recibe el nombre de Ánodo y al Terminal conectado al lado N del diodo recibe el nombre de Cátodo y a
la unión de los dos materiales se denomina juntura.

Producto de la mutua repulsión que sufren los electrones libres del lado N, estos electrones son repelidos a muchas partes y algunos de
estos electrones atraviesan la juntura y se pasan al lado P uniéndose a un hueco de la banda de valencia para formar así un enlace
covalente. Al saltar el electrón desde el lado N genera un hueco en dicho lugar y por otro tanto se puede considerar que se produce un
movimiento de electrones desde el lado N al lado P y también se produce un movimiento de huecos desde el lado P al N, la siguiente
figura muestra este proceso el cual se denomina Difusión.

Polarización del Diodo

Polarizar un dispositivo electrónico, implica conectar un batería o una fuente de alimentación continua para su funcionamiento. Para el
caso del diodo, se puede realizar dos tipos de polarización, llamadas Polarización Directa y Polarización Inversa.

A) Polarización Directa: Consiste en aplicar a los terminales de la batería, de manera tal que el Terminal Positivo de la
batería quede conectado al Ánodo o Terminal P del diodo y el Terminal Negativo de la batería quede conectado al Cátodo
o Terminal N del diodo. La siguiente figura muestra lo mencionado.

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B) Polarización Inversa: Consiste en aplicar los terminales de la batería, de manera tal que el Terminal Positivo de la batería
quede conectado al Cátodo o Terminal N del diodo y el Terminal Negativo de la batería quede conectado al Ánodo o
Terminal P del diodo. La siguiente figura muestra lo mencionado.

ACTIVIDADES DE DESARROLLO en CLASES.-