ELECTRÓNICA I

Prof. Néstor García

Diodo Semiconductores
 Material Extrínseco

Las características de un material semiconductor se pueden modificar de manera

significativa con la adición de átomos de impureza específicos al material semiconductor
relativamente puro. Estas impurezas, aunque sólo se agregan en 1 parte en 10 millones,
pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar del todo las
propiedades eléctricas del material.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce

como material extrínseco.

Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de

dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p.
 Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman
agregando un número predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que
contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes),
como el antimonio, el arsénico y el fósforo.

Existe, un quinto electrón adicional debido al átomo de

impureza, el cual no está asociado con cualquier
enlace covalente particular. Este electrón restante,
enlazado de manera poco firme a su átomo padre
(antimonio), está en cierto modo libre para moverse
dentro del material tipo n recién formado, puesto que el
átomo de impureza insertado ha donado un electrón Impureza de antimonio en un
relativamente “libre” a la estructura. material tipo n.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como átomos donadores.
 Material tipo p

El material tipo p se forma dopando un cristal de

germanio o silicio puro con átomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e indio. El
efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base
de silicio se indica en la figura.

Observe que ahora el número de electrones es

insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recién formada. El vacío resultante se llama
hueco y se denota con un pequeño círculo o un signo
más, para indicar la ausencia de una carga positiva.
Por lo tanto, el vacío resultante aceptará con facilidad Impureza del boro en un
un electrón libre: material tipo p.
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.
 Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conducción se

muestra en la figura. Si un electrón de
valencia adquiere suficiente energía
cinética para romper su enlace covalente y
llenar el vacío creado por un hueco,
entonces se creará un vacío o hueco en la
banda covalente que cedió el electrón.

Existe, una transferencia de huecos hacia

la izquierda y de electrones hacia la
derecha, como se muestra en la figura.
 Portadores mayoritarios y minoritarios
En un material tipo n, el resultado neto, por consiguiente, es que el número de electrones
sobrepasa por mucho al de huecos. Por eso:
En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.

 Diodo Semiconductor

Ahora que los materiales tanto tipo n como

tipo p están disponibles, podemos construir
nuestro primer dispositivo electrónico de
estado sólido.

El diodo semiconductor, se crea uniendo

un material tipo n a un material tipo p

Una unión tipo p–n con polarización

interna; Símbolo de diodo, con la polaridad
definida y la dirección de la corriente
 Diodo Semiconductor
En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los huecos en la
región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la
región próxima a la unión.

Esta región de iones positivos y negativos revelados se llama región de “empobrecimiento”,

debido a la disminución de portadores libres en la región.
 Condición de polarización en inversa (VD < 0 V)
Unión p-n polarizada en inversa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de
polarización en inversa; (b) polaridad de polarización en inversa y dirección de la
corriente de saturación en inversa.

La corriente en condiciones de polarización en inversa se llama corriente de saturación en

inversa y está representada por Is.
 Condición de polarización en directa (VD > 0 V)
Unión p-n polarizada en directa: (a) distribución interna de la carga en condiciones de
polarización en directa; (b) polarización directa y dirección de la corriente resultante.
Características del diodo
semiconductor de silicio.
EJEMPLO 1 A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en
un sistema de operación cerrado), determine el voltaje térmico VT.
Comparación del diodo de
Ge, Si y GaAs
 Efectos de la temperatura

La temperatura puede tener un marcado

efecto en las características de un diodo
semiconductor como lo demuestran las
características de un diodo de silicio
mostradas en la figura.

En la región de polarización en directa las

características de un diodo de silicio se
desplazan a la izquierda a razón de 2.5 mV
por grado centígrado de incremento de
temperatura.
 Diodo Semiconductor

El diodo semiconductor se comporta como un

interruptor mecánico en el sentido de que puede
controlar el flujo de corriente entre sus dos
terminales.

Sin embargo, es importante tener en cuenta que:

El diodo semiconductor es diferente del interruptor

mecánico en el sentido de que cuando éste se cierra
Diodo semiconductor ideal:
sólo permite que la corriente fluya en una dirección.
(a) Polarizado en directa;
(b) Polarizado en inversa.
 Diodo Semiconductor
Cuando un interruptor se cierra se supone que la
resistencia entre las terminales es de 0 (ohm).

(equivalente a un cortocircuito))
A cualquier nivel de corriente sobre la línea
vertical, el voltaje a través del diodo ideal es de
0 V y la resistencia es de 0 V.

Para la sección horizontal

(equivalente a un circuito abierto))

Como la corriente es de 0 mA en cualquier parte de

Características de semiconductor ideales
la línea horizontal, la resistencia es de ∞Ω en
contra reales.
cualquier punto del eje.
 Resistencia de CD o estática
A medida que el punto de operación de un
diodo se mueve de una región a otra, su
resistencia también cambia debido a la forma
no lineal de la curva de características.

La resistencia del diodo en el punto de operación

se halla determinando los niveles correspondientes
de VD e ID

Determinación de la resistencia de cd de un
En general, por consiguiente, cuanto mayor sea diodo en un punto de operación particular.
la corriente a través de un diodo, menor será el
nivel de resistencia de cd.
EJEMPLO 2 Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura con,
a. ID = 2 mA (bajo nivel)
b. ID = 20 mA (alto nivel)
c. VD = -10 V (polarizado en inversa)