INSTITUTO TÉCNICO SUPERIOR COMUNITARIO (ITSC)

Nombre de la asignatura: Electrónica de Potencia I Clave: ELEC-105

Nombre: Yeuri Mingo Martinez Matrícula: 2020-0731

CUESTIONARIO

TRANSISTORES DE POTENCIA Explicar y contestar ampliamente:

1. Transistor JFET
2. Curvas de drenador
3. Curva de transconductancia
4. Polarización en la región óhmica
5. Polarización en la región activa
6. Transconductancia
7. Amplificadores JFET
8. El conmutador analógico JFET
9. Otras aplicaciones del JFET
10. Lectura de las hojas de características
11. Cómo probar un JFE

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Respuestas:

1. El JFET (junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo

de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede
ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia
controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (d),
puerta o compuerta (s) y fuente (s)..A diferencia del transistor de unión bipolar el
JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de
corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal
semiconductor (de tipo n o p) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una
tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que
ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica.

2. Curvas de drenador: En esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS

(trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente más elevada se consigue con la tensión más positiva
de VGS y el corte se consigue con tensión negativa de VGS(apag). De esta familia
de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la
relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se muestra en la
siguiente curva.
3. La curva transconductancia: nos indica la relación que existe entre VGS e ID. Ésta
posee la forma que se muestra en la siguiente curva es la característica eléctrica
que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la tensión en la entrada del
mismo. La conductancia es el recíproco de la resistencia.

4. Polarización en la región óhmica: Se da para valores de VDS inferiores al de

saturación, es decir, cuando VDS ≤ VGS - VGSoff. Para estos valores de tensión el
canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al
estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta
aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensión de puerta,
sobre todo para valores pequeños de VDS, ya que a medida que nos aproximamos
al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al
estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

5. Polarización en la región activa: Esta es una región intermedia entre las regiones de
corte y saturación. En esta región la corriente de colector (Ic) depende
principalmente de la corriente de base (Ib), de la ganancia de corriente ß (dato del
fabricante) y de las resistencias que estén conectadas al colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador.

6. Transconductancia: La transconductancia (por conductancia de transferencia),

también llamada a veces conductancia mutua, es la característica eléctrica que
relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la tensión en la entrada del
mismo. La conductancia es el recíproco de la resistencia.

7. Amplificadores JFET: El amplificador JFET de fuente común utiliza transistores de

efecto de campo de unión como su dispositivo activo principal que ofrece
características de alta impedancia de entrada. Los circuitos amplificadores de
transistores, como el amplificador de emisor común, se fabrican con transistores
bipolares, pero también se pueden hacer amplificadores de señal pequeños con
transistores de efecto de campo. Estos dispositivos tienen la ventaja sobre los
transistores bipolares de tener una impedancia de entrada extremadamente alta
junto con una salida de bajo nivel de ruido, lo que los hace ideales para usar en
circuitos de amplificador que tienen señales de entrada muy pequeñas.
8. El conmutador analógico JFET: Cuando el transistor JFET trabaja en las zonas de
corte y saturación, se dice que lo hace en conmutación, que quiere decir
exactamente eso: se considera como la acción de establecer una vía, un camino, de
extremo a extremo entre dos puntos, un emisor (Tx) y un receptor (Rx) a través de
nodos o equipos de transmisión. La conmutación permite la entrega de la señal
desde el origen hasta el destino requerido.

9. Otras aplicaciones del JFET:

● Resistencia controlada por tensión.
● Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
● Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
● Amplificador.
● Conmutador analógico.
● Multiplexado.
● Troceadores.
● Amplificador de aislamiento.
● Amplificador de bajo ruido.
● Resistencia controlada por voltaje.
● Control de ganancia automático.

10. Lectura de las hojas de características: El JFET de canal n está constituido por una
barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de
material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales
se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la
unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por
tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

11. Cómo probar un JFET: El transistor de efecto de campo no puede probarse como se
prueban los transistores bipolares NPN y PNP, la forma de probar los fet es
polarizando el transistor de forma que todos sus elementos reciban los voltajes
respectivos.

Se coloca el potenciómetro de 1M en su resistencia más alta, luego se gira hasta el

punto en que el led se encienda, si se enciende el led es indicativo que el FET está
en buen estado, de lo contrario está defectuoso. Antes de someter a prueba el FET
habrá que colocarle un alambre alrededor de sus pines y sólo se quitará cuando ya
esté colocado en la base de prueba.