1.

Dgame cmo funciona un JFET, incluyendo en su explicacin la tensin de

estrangulamiento y la tensin de corte puerta-fuente.
El dispositivo consiste en una delgada capa de semiconductores tipo n, dentro
del cual se introducen dos capas p+. La regin entre las dos regiones p+ se
denomina canal, y los electrones pueden fluir en el canal entre los dos
contactos hmicos llamados la fuente y el drenaje. La terminal de fuente est
colocada a una polarizacin negativa con respecto al drenaje de modo que los
electrones fluyen desde la fuente hacia el drenaje. Las regiones p + forman la
compuerta del dispositivo y se aplica una polarizacin negativa a ellas. Esto
polariza inversamente las uniones p+ - n y ocasiona un incremento en la
anchura de agotamiento sobre el lado n. A medida que los electrones son
barridos fuera de la regin n, la anchura efectiva del canal de conduccin se
contrae. Como resultado la conductividad del canal es controlada por la
compuerta.
El campo elctrico que controla el canal es el resultado de la aplicacin de un
voltaje entre las terminales de compuerta y fuente.
La tensin de estrangulamiento Vto (Vp), es el valor necesario de la tensin
puerta - canal para que desaparezca el canal conductor.
Cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura del canal, se llega al corte
del canal. A la tensin necesaria para que la zona de deplexin ocupe todo el
canal se le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff Vto). Esta tensin es
negativa en los JFET de canal n.
2. Dibuje las curvas de drenador y la curva de transconductancia de un JFET.

3. Compare el transistor JFET con el transistor de unin bipolar. Sus comentarios

debern incluir las ventajas y desventajas de cada uno de ellos.
Transistor JFET:
- No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos
suelen aparecer, insertos en circuitos integrados.
- Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador
(drain), fuente (source) y puerta (gate).
- Existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal
P.
- El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones de material tipo p situadas a
ambos lados.
- La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente
polarizadas.
- En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor
que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de
canal.
- La puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que
la unin p-n se encuentre polarizado inversamente.
Transistor de unin bipolar:
- Es un elemento amplificador activo.
- La estructura interior muestra que el transistor es una especie de
"diodo doble", con dos uniones.
- La principal aplicacin del transistor es su funcionamiento como
amplificador.
- Los transistores son fundamentales en la mayora de los circuitos
electrnicos que realizan la funcin de amplificacin, control,
estabilizacin de la tensin, etc.
- Existen dos tipos de transistores, los PNP y los NPN.
- Cuando la unin emisor base est polarizada en sentido directo y la
unin base colector lo est en sentido inverso, se dice que el transistor
est funcionando en el modo activo.
- En un transistor funcionando en modo activo, se produce un traslado de
corriente desde un circuito de baja resistencia (el circuito que contiene
la unin emisor-base) a otro circuito de resistencia elevada (circuito con
la unin base-colector), producindose una amplificacin de potencia.
4. Cmo puede saber si un FET est trabajando en la regin hmica o en la
regin activa?
- Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del
canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese
momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que

los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del

canal, con lo que la resistencia global aumenta.
5. Un JFET es un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una
tensin a la puerta. Explique esta afirmacin.
Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin
bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de
la pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto
por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo
funcionan solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones,
segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores
son los electrones.
6. Nombrar las aplicaciones de los JFET y de los MOSFET.
- Aplicaciones de los JFET:
El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores
analgicos, multiplexores, control automtico de ganancia "CAG" en
receptores de radio, amplificadores de pequea seal en receptores de
radio y TV, troceadores o choppers, etc.
Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar
nicamente en dos estados, corte y saturacin.
- Aplicaciones de los MOSFET:
Resistencia controlada por tensin.
En circuitos de conmutacin de potencia.
Como mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
7. Dibuje un seguidor de fuente de JFET y explique cmo funciona.
El equivalente para JFET de la configuracin emisor-seguidor de BJT es la
configuracin de fuente-seguidor. La salida se toma de la terminal de la fuente
y cuando la fuente de dc se remplaza por su corto circuito equivalente, el
drenaje se conecta a tierra.
La seal de entrada llega a la puerta y la seal de salida esta acoplada de la
fuente a la resistencia de carga. Como el seguidor de emisor, el seguidor de
fuente tiene una ganancia en tensin menor que 1. La principal ventaja del
seguidor de fuente es su alta resistencia de entrada.

8. Qu magnitud de entrada controla la corriente de salida en un BJT? Y en un

JFET? Si las magnitudes son diferentes, explquelo.
La corriente de salida es controlada por la corriente de entrada y amplificada
en un factor llamado . De ah que se dice que la corriente de salida es una
variable que depende tanto de la intensidad de corriente a la entrada como de
la del transistor, ya que los transistores no tienen el mismo valor debido a
sus caractersticas.