Dpto.

Electrónica Industrial
Grado: IV A-B
Fecha: 13-17/06/2016
Contenido: Transistores
- BJT
- JFET
- MOSFET
- UJT
Elementos Fotoeléctricos
- Fotoceldas

Materiales y Componentes
TRANSISTORES

Los transistores son componentes electrónicos compuestos por 3 terminales denominadas como
colector (C), base (B) y emisor (E) ya sean de los tipos más usuales como los NPN o PNP u otro
tipo de estructura. La función principal de estos componentes es la amplificación de señales y la
conmutación (on/off).
Existen diferentes tipos de transistores entre los principales podemos mencionar los siguientes:

Bipolar Junction Transistor

BJT
Por sus siglas, Transistor de unión bipolar. Es el semiconductor más usado en electrónica. Es un
componente o dispositivo semiconductor que consta en tres terminales que por lo general en la
mayoría de transistores son Base, Colector y Emisor.

Compuesto por tres cristales o capas extrínsecos, por lo gral. De silicio, de tipo P y tipo N. Estos
vienen estructurados internamente en orden de PNP y NPN.

Fig. 1- Estructura interna del transistor Fig. 2- Estructura interna del transistor
BJT tipo NPN, su simbología y terminales. BJT tipo PNP, su simbología y terminales.

Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N. Son los más comunes.
Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P. La capa de en medio
es mucho más estrecha que las otras dos.

En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico, lo que da origen a tres terminales:
 Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.
 Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
 Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio.

Estos se utilizan principalmente en la amplificación de señales. A estas amplificaciones se les

denomina en electrónica como ganancia y es simbolizada con la letra β. Esta ganancia es una
relación entre la corriente de base Ib y la corriente de colector Ic, donde la corriente de colector es
mayor a la corriente de base y la corriente de emisor Ie es casi equivalente a corriente de colector.
La corriente de colector es la corriente de base amplificada β veces, por eso es mayor.

Se utilizan también en circuitos conmutadores donde este puede operar de 3 formas:

 Corte: en este estado el transitor se considera en circuito abierto ya que la corriente de la
base es nula o casi nula, por la tanto no habrá corriente que fluya en colector.
 Activa: en este estado la corriente de base es proporcional a la corriente de colector, en
función a la ganancia, entonces a mayor corriente en la base mayor corriente en colector.
 Saturación: cuando la corriente de base ha sido amplificada β veces en colector, ésta ya no
podrá amplificarse más puesto a que se encuentra 100% amplificada, aunque se aumente
la corriente de la base.

Más de sus aplicaciones tenemos las siguientes: circuitos osciladores, sensores, circuitos
conmutadores, en sistemas de detección (sensores)

Field Effect Transistor

FET

Por sus siglas, significa Transistor de efecto de campo. Son toda una familia de transistores que
para su funcionamiento se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal
en un material semiconductor. Se plantean como resistencias controladas por voltaje.

Los FET tienen la particularidad de ser de fabricación más simple y de ocupar menos espacio que
los BJT. Estos se comportan como un interruptor controlado por la tensión que sea aplicada en la
compuerta, esta permitirá que fluya o no corriente entre el drenador y la fuente.

Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los
transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores
(electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción
dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en el canal n y de los
huecos en el canal p, pero para controlar la conductividad en dicho canal este se basa en un campo
eléctrico.
Fig. 3- Simbología del FET de tipo N Fig. 4- Simbología del FET de tipo P y
y denominación de sus respectivas denominación de sus respectivas
terminales. terminales.

Fig. 5- Estructura del FET de tipo N Fig. 6- Estructura del FET tipo P o
o canal N. canal P.

Características-Ventajas-Desventajas
 Estos pueden operarse para proporcionar una estabilidad térmica
 Hasta cierto punto es inmune a la radiación
 Posee una resistencia de entrada alta (casi 100 MΩ)
 Son sensibles a la electricidad estática
 Se comportan como resistores variables para valores pequeños de tensión entre Drenaje y
fuente.
 Son fáciles de fabricar, por lo tanto pueden caber muchos en un circuito integrado.
 La alta impedancia de entrada les permite almacenar carga, por tanto se usan como
elementos de almacenamiento.
Regiones de operación del FET:
 Zona Lineal o Región óhmica: el transistor se comporta como una resistencia variable, el
cual al aumentar la tensión el drenaje-surtidor (Vds), aumentará la corriente en drenaje
(Id).
 Zona de saturación: en esta zona, el transistor amplifica y se comporta como una fuente
de corriente controlada por la tensión entre la Compuerta (G) y la Fuente (S). Acá el voltaje
entre drenador y la fuente (Vds) produce una corriente de drenador constante (Idss).
 Zona de Corte: el transistor posee una corriente de drenador (Id) nula.
 Zona de Ruptura: indica la máxima tensión que el transistor soporta entre drenador y
fuente (Vds). Cuando la Vds es nula, la Id es máxima.

Entre los tipos de transistores FET podemos encontrar dos tipos más utilizados: MOSFET y JFET

Junction Field Effect Transistor

JFET: Por sus siglas significa Transistor uniunión de efecto de campo. Es un dispositivo
semiconductor de potencia el cual la corriente que este suministra es controlada por el voltaje. El
JFET tiene tres terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain) y Compuerta (Gate). Este último es
el terminal de control. El voltaje aplicado entre la compuerta y la fuente controla la corriente entre
la fuente y el drenador.

Existen dos tipos de JFET: tipo N o canal N y tipo P o canal P.

Fig. 7- Simbología del JFET de tipo N Fig. 8- Simbología del JFET tipo P
o canal N. o canal P.

Fig. 9- Estructura del JFET de tipo N Fig. 10- Estructura del JFET tipo
o canal N. P o canal P.

Tipo N: posee suficientes electrones libre como para que se pueda establecer un paso de
corriente. Si se somete la compuerta a una tensión negativa, los electrones libres serán expulsados
por repulsión fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos portadores de carga y,
por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que provoca una disminución de la
corriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensión sea
suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir.

Tipo P: Son los menos usados a diferencia de los de tipo N. La tensión aplicada a la compuerta se
hace ahora positiva, consiguiendo así, repeler los huecos existentes en el canal P y controlar de
esta forma, la corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de transistores unipolares, la
tensión de polarización del diodo formado por la puerta y el canal se polariza inversamente. De
esta forma evita que por esta unión fluya corriente eléctrica.

Regiones de Funcionamiento:

Zona de saturación: Es cuando Vgs

equivale a 0v por el circuito cerrado
entre compuerta y fuente, por lo tanto se
comporta interruptor cerrado.

Zona de corte: el transistor se comporta

como interruptor abierto por lo tanto no
conduce. Esto ocurre cuando la tensión
negativa de la compuerta es suficiente
para estrangular totalmente el canal.

Zona de ruptura: es cuando la tensión drenador-surtidor (VDS) aumenta excesivamente que

puede destruir el transistor.

Nótese que su comportamiento es similar al transistor FET, puesto a que se consideran casi
idénticos.

El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores analógicos, multiplexores, control
automático de ganancia, en receptores de radio, amplificadores de pequeña señal en receptores de
radio y TV, etc.

Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar únicamente en dos estados, corte y
saturación.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET: Transistor semiconductor oxido metálico de efecto de campo. Es un tipo de transistor
FET que al igual que la mayoría de transistores, amplifican señales electrónicas débiles. Pero estos
poseen internamente una capa aislante la cual separa la compuerta del canal con el fin de obtener
canales fuertes, sean P o N, con la aplicación de tensiones pequeñas en la misma compuerta y
eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho terminal en los transistores
JFET, por lo tanto no es necesario suministrar corriente en la compuerta.
Las terminales se denominan de la siguiente forma:
G -- Puerta o Gate
B -- Substrato o Body
D -- Drenador o Drain
S -- Fuente o Source

Existe una subdivisión de estos transistores en cuales tenemos los siguientes:

 Enriquecimiento: Se trata de una estructura MOS de cuatro o tres terminales en la que el

substrato semiconductor de tipo p es poco dopado. A ambos lados de la capa Oxido-
Semiconductor se han colocado capas de material n, fuertemente dopado. El terminal de
sustrato está libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor control sobre la
corriente de drenador.

La tensión positiva de la compuerta provoca un aumento o enriquecimiento de electrones

libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva, aumenta
también la corriente de drenador. Tienen un gran campo de aplicación como
amplificadores de señales débiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF).

 Empobrecimiento: La tensión negativa, aplicada a la compuerta, produce un

estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se
reduzca la corriente de drenador.

SIMBOLOGÍA DEL MOSFET

Canal Enriquecimiento Empobrecimiento Conexión de sustrato externa Conexión de sustrato interna

Fig. 11- Estructura del MOSFET de Fig. 12- Estructura del MOSFET
tipo P o canal P. tipo N o canal N.
La capa de óxido semiconductor es de Dióxido de Silicio (SiO2)

Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa
extremadamente delgada de aislante que separa la compuerta del canal. Esta capa se destruye con
suma facilidad si se aplica una tensión Vgs por encima de la máxima soportable. Por esta razón,
nunca debe operarse con una tensión superior a la Vgs (máx.) prescrita en las características del
MOSFET.

Aún así, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como pueden
ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin haber
desconectado la fuente de alimentación. También puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con
las manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga electrostática entre ellos, que
los destruya.

Características
1.- El proceso de fabricación es simple (menor número de pasos)
2.- Reducido tamaño, que conducen a densidades de integración elevadas.
3.- Se puede evitar el uso de resistencias, debido a que su comportamiento se puede modelar
mediante técnicas de circuito.
4.- Reducido consumo de energía (menor consumo de potencia).
5.- Pueden implementarse tanto funciones analógicas como digitales y/o mixtas dentro de un
mismo chip, por lo tanto se usan en los microprocesadores.
6.- Conmutación rápida en un tiempo estimable de nanosegundos

Unijunction Transistor
UJT
Por sus siglas significa transistor de unijuntura o de monounión. Este es diferente al resto de
transistores puesto a que se encarga de crear pulsos de disparo generalmente para los tiristores y
TRIACs. Sus terminales están dispuestas en Base 1, Base 2 y Emisor.

Fig. 13- Simbología del UJT de tipo N Fig. 14- Estructura del UJT tipo N

El UJT está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo,
al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy
pocos electrones libres en su estructura. R1 y R2 equivalen a la
resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales
de las bases. El diodo equivale a la unión formada por los cristales P-N
entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual a la
sumatoria de las mismas.

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos
pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR, también en el
control de motores en función a la velocidad.

Regiones del Operación:

Región de corte: el voltaje de emisor es tan pequeño

que mantiene el diodo del emisor polarizado
inversamente.
Región de resistencia negativa: si el voltaje del emisor
es suficiente para polarizar el diodo entonces el mismo
diodo entra en conducción.
Región de saturación: en esta zona la corriente de
emisor Ie es mayor que la corriente de valle Iv o de
mantenimiento. Si la Iv es menor, el UJT podría entrar en
estado de corte.

Donde:
Ve: voltaje de emisor Ip: corriente pico o mayor
Iv: corriente de valle o de mantenimiento Vp: voltaje pico o mayor
Ie: corriente de emisor Vv: voltaje de valle o de mantenimiento

Fotocélula-Celda Fotovoltaica
Un sistema fotovoltaico o de energía solar, es un conjunto de dispositivos cuya función es
transformar la energía solar directamente en energía eléctrica, adecuada a los requerimientos de
una aplicación determinada. Este sistema se compone de tres principales elementos:

1) Generación o Producción (Celdas o Módulos Solares)

2) Control (Reguladores de Voltaje o Controladores)
3) Almacenamiento (Baterías o Acumuladores)

Las células o celdas solares son dispositivos que convierten la energía solar en electricidad, ya
sea directamente vía el efecto fotovoltaico, o indirectamente, mediante la previa conversión de
energía solar a calor o a energía química.

La forma más común de las celdas solares se basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la luz que
incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas produce una diferencia del voltaje o de
potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una corriente a través de un circuito
externo de modo de producir trabajo útil para una aplicación determinada.

Fig. 16- a) Panel Solar o fotovoltaico

b) Simbología de la celda solar.

a) b)