Parámetros

Se presenta a continuación algunas de las características de los

transistores JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:

 
 DSS : Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se
 I DSS 
encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la
puerta y la fuente ( V GS
GS=0). En la práctica marca la máxima
intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en
cuenta que los transistores JFET presentan amplias dispersiones
en este valor.
 
 P  
V P (
  (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del
canal. Al igual que I DSS
DSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
 
 RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva I D /V DS
DS en la zona
lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores
de V GDGD cercanos a la tensión de estrangulamiento.
 
 BVDS   ((Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura
entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un
fuerte incremento de I D.
 
 BVGS  ( (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura
de la unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra
polarizada en inversa. Valores mayores de BVGS provocan una
conducción por avalancha de la unión.

Funcionamiento de JFET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en

realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
 Así como los
los transistores
transistores bipolares
bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto
efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa
en las zonas de depleción que rodean a cada zona P al ser polarizadas
inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de
depleción se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a
 

drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas
de depleción, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo compuerta-fuente,
menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi
todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de
depleción van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente
de fuente .

Funcionamiento del MOSFET de empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar

corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede
aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se
consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho
terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la
estructura de un MOSFET de canal N

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de

la fuente de
estrecho pueden circular
material desde el surtidor
semiconductor tipo N. hacia
Cuantoel mayor
drenadosea
a través del canal
la diferencia de
potencial VDD aplicada por la fuente, mayor será esta corriente. Como ocurría con
el JFET, la tensión negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el
canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la
corriente de drenador. Aquí se aprecia claramente que, el fenómeno de control se
realiza a través del efecto del campo eléctrico generado por la tensión VGG de la
puerta.

Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión positiva
de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET
en enriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador provoca un
aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal
forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la corriente de
drenador.
Funcionamiento del MOSFET de inducción (enriquecimiento)

Para obtener corriente drenador, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el

graduador de la compuerta.

Este tipo de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicación fundamental de este transistor
se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
Polarizaciones:

  Polarización con graduador.

 

  Polarización con divisor de voltaje

  Retroalimentación
Retroalimentac ión de drenador

Configuraciones básicas

Aplicaciones
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET.
el MOSFET. La La tecnología CMOS
tecnología CMOS es la base
de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el
MOSFET de canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n
están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está
apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal
cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal
de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están
típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente desde la fuente al
desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales
analógicas entre trayectos (multiplexación). En este concepto se basan los tablero
los  tablero
de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia
de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la
configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además
en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT
tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido
del motor
del motor de combustión interna, donde
interna, donde las capacidades de conmutación rápida y
bloqueo de voltaje son importantes.