Electrónica Aplicación a la

Automatización.
Unidad 2:Aplicación de dispositivos semiconductores en circuitos
electrónicos analógicos
Clase 1

Docente: Mauricio Lyon.

Objetivo General

• Conocer tipos de transistores y sus características.

136
TRANSISTORES

Introducción

Los transistores son dispositivos que mueven nuestro mundo de la

electrónica. Son una fuente de control crítico en la mayoría de los circuitos
modernos.

Los transistores se pueden utilizar para crear interruptores electrónicos

simples, lógica digital, y circuitos amplificadores de señal.
TRANSISTORES

Historia del Transistor

El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples

aplicaciones fue posible gracias a la invención del
transistor, ya que este superó ampliamente las
dificultades que presentaban sus antecesores, las
válvulas de vacío ( Válvula termoiónica). En efecto, las
válvulas, inventadas a principios del siglo XX, habían
sido aplicadas exitosamente en telefonía como Transistor y Válvula
amplificadores y posteriormente popularizadas en
radios y televisores.
TRANSISTORES

Historia del Transistor

Uno de los mayores inconvenientes de las

válvulas de vacío, era que consumían mucha
energía para funcionar. Esto era causado
porque calientan eléctricamente un filamento
(cátodo) para que emita electrones que luego son
reunidos en un electrodo (ánodo), estableciéndose
así una corriente eléctrica. Luego, por medio de un
pequeño voltaje, aplicado entre una puerta y el
cátodo, se logra el efecto amplificador, controlando
el valor de la corriente, de mayor intensidad, entre
cátodo y ánodo. Lámpara incandescente de Thomas Edison
TRANSISTORES

Historia del Transistor

Los transistores, desarrollados en

1956 por los físicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos estos
inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras invenciones –
como la de los circuitos integrados–
potenciarían el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes,
sin necesidad de disipar energía (como
era el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin partes
móviles o incandescentes que pudieran
Fotografía del primer transistor construído por W.
romperse. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain (1947)
TRANSISTORES

141
Transistores
PNP
BJT
NPN
Canal P
JFET Canal N

FET Acumulación
Canal P
MESFET Canal N Canal N

MOSFET Deplexión Canal P

Canal N

BJT: Transistores bipolares de unión.

FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
TRANSISTORES

¿Qué es un transistor?
https://www.youtube.com/watch?v=GwrUC23M5xc

¿Cómo funciona un transistor?

https://www.youtube.com/watch?v=w14cvydBC8g

143
TRANSISTORES

Transistor PNP o NPN

En el transistor en NPN la corriente, fluye de colector al emisor

y de la base al emisor

En el transistor PNP la corriente fluye del emisor al colector y

del emisor a base.
Constituido por tres
zonas semiconductoras,
las cuales se llaman:
-Base.
-Emisor.
-colector.
TRANSISTORES

Características

 Los materiales empleados para su elaboración son, entre otros, el Germanio y el Silicio, porque
tienen la propiedad de que puede generar el movimiento de los electrones por medio de una
corriente eléctrica.

 En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:

Emisor: Que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al

cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

Base: Que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la rejilla cátodo
en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

Colector: Que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la
placa en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
TRANSISTORES

Colector

Base
NPN

Emisor

146
TRANSISTORES

147
TRANSISTORES

La medición realizada entre los terminales:

Para reconocer los terminales del transistor debemos configurar el multímetro en la función de diodo, si medimos la
unión base-emisor en forma directa al igual que los diodos indicará la tensión de conducción, el mismo caso sucederá
cuando se realice la medición en directa de la unión base-colector, no obstante, la unión B-E indicará una mayor
tensión que la unión B-C. Por último, si medimos los terminales colector-emisor en ningún caso conducirá.

148
 ENCAPSULADO
DE TRANSISTORES

149
TRANSISTORES

Transistor NPN

El transistor en NPN empieza a conducir cuando la unión base

emisor, es polarizada en directo (fluye corriente de la base al
emisor). El emisor está conectado al negativo de la batería y la
base a un voltaje positivo pero menor que el de la batería.

Carga

Transistor NPN B= Base

C= Colector
E= Emisor
TRANSISTORES

Transistor PNP

En cambio en el transistor PNP empieza a conducir cuando la unión

base emisor está polarizado inversamente (fluye corriente del emisor a
la base). El emisor está conectado al positivo de la batería y la base a un
voltaje positivo menor que el de la batería. Voltaje debido a la caída de
tensión en la resistencia R.

Transistor PNP
B= Base
C= Colector
E= Emisor
TRANSISTORES

152
TRANSISTORES

Concepto del Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
"transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de
audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras automáticos, automóviles,
equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
reproductores mp3, celulares, etc.
TRANSISTORES

Características

 Posee amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).

 Sirve como generador de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia).

 Permite la conmutación, actuando en interruptores (control de relés, fuentes de alimentación

conmutadas, control de lámparas).

 Es detector de radiación luminosa (fototransistores).

 El consumo de energía es sensiblemente bajo.

TRANSISTORES

Funcionamiento Básico
TRANSISTORES

Funcionamiento Básico

Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula

intensidad por la Base del transistor por lo que la
lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión
se encuentra entre Colector y Emisor.

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy

pequeña circulará por la Base. Así el transistor disminuirá
su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará
una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la
lámpara.
De tales criterios se establece:
IE > IC > IB ; IE = IB + IC
TRANSISTORES

Modos de Trabajo

Existen cuatro condiciones de polarización posibles.

Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización
en cada una de las uniones del transistor pueden ser :

Región activa directa: Corresponde a una polarización directa

de la unión emisor - base y a una polarización inversa de la
unión colector - base. Esta es la región de operación normal del
transistor para amplificación.

Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa

de la unión emisor - base y a una polarización directa de la
unión colector - base. Esta región es usada raramente.
TRANSISTORES

Modos de Trabajo

• Región de corte: Corresponde a una polarización

inversa de ambas uniones. La operación en ésta
región corresponde a aplicaciones de conmutación
en el modo apagado, pues el transistor actúa como
un interruptor abierto (IC = 0).

• Región de saturación: Corresponde a una

polarización directa de ambas uniones. La operación
en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el
transistor actúa como un interruptor cerrado.
Transistores Bipolares (BJT: NPN-PNP)

Transistores de Efecto de Campo

( JFET, MESFET, MOSFET )

Fototransistores
TRANSISTORES

Transistores Bipolares

BJT de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junción Transistor).

Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control para obtener la señal
y su comportamiento como dispositivo conmutador.

Estos solo funcionan cuando están en polarización directa (se dice que están en
saturación) y en polarización inversa no funcionan (se dice que están en corte). A base
de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.
TRANSISTORES
Transistores Bipolares
Pueden ser de dos tipos:
NPN PNP

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o

"huecos" (cargas positivas).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente componentes entre ellas.

Su diferencia radica en la dirección del flujo de la corriente, indicada por la flecha que se ve en ambos
esquemas.
TRANSISTORES
Transistores Bipolares

En principio es similar a dos diodos:

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor

tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la
otra entre la base y el colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos, mientras que el colector y
la base forman el otro diodo.

Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el

de la izquierda en este caso) y "Diodo de colector" (el
de la derecha en este caso).
TRANSISTORES

Transistores de Efecto de Campo

FET Transistor Efecto De Campo (del inglés, Field Effect Transistor)

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es
el terminal equivalente a la base del BJT.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET

JFET ( del inglés, Junction Field Effect Transistor):

También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de campo en la

práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de
la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la
forma más básica.

G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain) y
S=Fuente(Source).
Canal P Canal N
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo

JFET

Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta (Gate)-surtidor, las zonas de deplexión se hacen
más grandes, lo cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga más dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo
puerta (Gate)-surtidor, menor es la corriente entre surtidor y drenador.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que
pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenador, por lo que la corriente de
drenador es igual a la corriente de surtidor
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo

MOSFET (del inglés, Metal-Oxide-Semiconductor FET):

Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-Semiconductor) la cual consiste en un

condensador, una de cuyas armaduras es metálica y llamaremos "puerta"; el dieléctrico
se forma con un óxido del semiconductor.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los

MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las
otras terminales, no siempre puede ser despreciada.
PRUEBA DE TRANSISTOR
Tipo MOSFET

https://www.youtube.com/watch?v=C6UXwaGHYK0

167
TRANSISTORES

Fototransistores

Es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras
diferentes:

• Como un transistor normal con la corriente

de base (IB) (modo común)

• Como fototransistor, cuando la luz que incide Símbolo

en este elemento hace las veces de corriente

de base. (IP) (modo de iluminación). Nota: ß es la ganancia de corriente
del fototransistor.
TRANSISTORES

Ic= Ib × β
Ie= Ib + Ic
β =Ganancia es proporcionada por el fabricante.
Debemos verificar el Datasheet de cada elemento.
TRANSISTORES

La suma de las caída de tensión en cada elemento, va a ser igual a la tensión de alimentación del circuito.

Vbb= (Rb*Ib) + Vbe + (Re* Ie)

Se suele considerar el valor Vbe constante e igual a 0.6v. Si no hay resistencia en el emisor. El termino de la
ecuación Re*Ie, seria = Tensión en Re.

Vcc= (Rc * Ic ) + Vce + (Re * Ie)

170
TRANSISTORES

Si la corriente de colector es menor a la corriente de Base por la Ganancia, el transistor

se encuentra en estado de saturación.

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Ejercicio
Determinar el estado en el que se encuentra el transistor (Corte o Saturación).

Datos:
G:100
Vbe (sat)= 0.2 [v]
Vce (sat)=0.7 [v]

Obtener:

I. El valor de la intensidad de corriente . 𝑉 = 𝐼 𝑥𝑅 + 𝑉

II. El valor intensidad de corriente de . 𝑉 −𝑉 𝑉 −𝑉
𝐼 = 𝐼 =
𝑅 𝑅
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Ejercicio

Malla Colector: 𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑚𝑜𝑠: 𝑉 = 𝐼 𝑥𝑅 + 𝑉

𝑉 −𝑉 10 v − 0,7𝑣
𝐼 = 𝐼 = 𝐼 = 4,23 mA
𝑅 2,2 𝑘Ω

Malla de base:
𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑚𝑜𝑠: 𝑉 = 𝐼 𝑥𝑅 + 𝑉

𝑉 −𝑉 5v − 0,2 v
𝐼 = 𝐼 = 𝐼 = 0,12 mA
𝑅 40 kΩ

Por lo tanto el transistor se encuentra en saturación.

173
Gracias¡¡

Nos vemos la próxima clase.

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