INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE CÓMPUTO

Electrónica analógica

Alumno: Portocarrero Rodríguez Habid Profesor: Santillán Luna Raúl

INVESTIGACIÓN FET.

Concepto del FET.

Un transistor FET (Transistor de efecto de campo) es un transistor que se utiliza para modificar la
corriente de un campo eléctrico. Como ya vimos, un transistor normal tiene la capacidad controlar
el flujo de corriente a través de un circuito, puede amplificar señales, mejorar la potencia o invertir
las señales. El transistor FET es muy útil para controlar grandes cantidades de corriente con muy
poca energía y eso lo hace un gran candidato para una gran variedad de usos en la electrónica
analógica y digital. A comparación de los BJT, los transistores FET son más pequeños y eficientes,
lo cual lo hace un dispositivo ideal para el transporte y la eficacia.

Podemos conseguir estos logros gracias a que el transistor FET utiliza un campo eléctrico para
controlar el flujo de corriente “en lugar de depender del flujo de corriente a través de una unión
PN como lo hacen los transistores bipolares. Esto significa que los transistores FET tienen una alta
impedancia de entrada y consumen muy poca corriente cuando están en estado de reposo, lo que
los hace ideales para dispositivos electrónicos portátiles y móviles que requieren una larga
duración de la batería”.

Características y funcionamiento.

-) es un transistor que se utiliza para modificar la corriente de un campo eléctrico.

-)Es fácil fabricación e integración.

-)Tiene un bajo producto ganancia-ancho banda

-)Presenta alta impedancia de entrada. La corriente de entrada es nula.

-)Es un dispositivo unipolar, tiene un tipo único de portadores.

-)Es una barra semiconductora (Tipo N o P) y tiene un canal de difusión (tipo P o N).

-) Tiene extremos identificados como fuente (S) y drenaje (D).

-) Tiene zonas de funcionamiento: Zona de corte, Zona de resistencia, zona de estrangulación o

saturación y zona de ruptura.
Aquí podemos observar que la corriente fluye entre la fuente y el drenador, la puerta que controla
en ancho de un canal de conducción,o sea que, modifica el ancho de corriente en el material
semicondutor que conecta la fuente y el drenador. Prácticamente funciona para controlar el flujo
de corriente a través de FET.

Cuando se aplica una carga eléctrica a la puerta, se modifica el ancho del canal, lo que a su vez
controla el flujo de corriente. Por lo tanto, el FET es un dispositivo de control de corriente eléctrica.
Los FET pueden ser de canal N o canal P, dependiendo del tipo de carga eléctrica que fluye a través
del canal de conducción. Ya a través de la corriente applicada, podemos distinguir las siguientes
zonas de trabajo:

Modos de operación.

Zona de corte: En esta zona, el FET no conduce corriente. Esto ocurre cuando no se aplica tensión
suficiente a la puerta.

Zona de resistencia: En esta zona, el FET comienza a conducir corriente. La resistencia entre el
drenador y la fuente es menor que en la zona de corte, pero no es tan baja como en la zona de
saturación. En esta zona, la corriente que fluye a través del FET es proporcional a la tensión
aplicada a la puerta.

Zona de saturación: En esta zona, el FET está completamente encendido y conduce la máxima
corriente posible. La resistencia entre el drenador y la fuente es muy baja, y la corriente que fluye
a través del FET ya no es proporcional a la tensión aplicada a la puerta.

Zona de ruptura: En esta zona, el FET se daña debido a la tensión excesiva aplicada a la puerta. En
esta zona, la corriente que fluye a través del FET crece exponencialmente con la tensión aplicada
a la puerta, lo que puede dañar el dispositivo. (Información de las zonas de trabajo extraída de
Notion AI).
Historia del FET.

El transistor FET fue inventado en EEUU en Diciembre de 1847 por Jhon Bardeen, Walteer Houser
Brattain y William Bradford, al principio utilizaban transistores bipolares, luego inventaron los
transistores FET, luego, por último apareció el MOSFET (Semiconductor metal-óxido). Los MOSFET
permitieron un diseño muy compacto de los dispositivos de hoy en día, es un material
importantísimo en la tecnología de hoy en día.

Aplicaciones del FET

- Amplificadores de señales de radio y televisión: Los transistores FET también se utilizan en estos
dispositivos debido a su alta impedancia de entrada y baja distorsión armónica.

- Convertidores de potencia: Los transistores FET se utilizan en circuitos de conmutación, como en

los convertidores de potencia.

- Amplificadores de audio: Los amplificadores de audio suelen utilizar transistores FET debido a
su alta impedancia de entrada y baja distorsión armónica.

- Dispositivos portátiles y móviles: Los transistores FET son más pequeños y eficientes que los
transistores bipolares, lo que los hace ideales para dispositivos portátiles y móviles, como
teléfonos inteligentes y tabletas.

- Sistemas de control: Los transistores FET se utilizan en sistemas de control para controlar el flujo
de corriente en motores y otros dispositivos eléctricos.

Conclusiones.

Quizás el FET pueda parecer un material extremadamente complejo cuyo estudio y análisis puede
remontar meses de comprensión y muchísimos exámenes. Sin embargo, tenemos aquí ante uno
de los dispositivos más importantes de toda nuestra carrera, y con los cuales, podemos lograr
grandes avances tecnológicos a través de estos circuitos altamente integrados. Los FET sirven para
controlar los flujos de corriente, pero los MOSFET sirven para prácticamente de todo en la
electrónica analógica. Muy importante para el consumo, telecomunicaciones, industrias
tecnológicas y automotrices.
Referencias

NOTION AI. La información proporcionada en este documento se basa en la fuente

bibliográfica:

https://www.notion.so/Circuitos-el-ctricos-aae5df7e94174054afee00f3e6e70eb9

Ing, María Isabel SCHIAVON, Transistores de efecto de Campo,

https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf

Resumen e historia de los FET,

https://www.sase.com.ar/2011pre/Ejemplo_resumen_poster.pdf?attredirects=0&d=1#:~:text=en
%20diciembre%20de%201947%20por,efecto%20de%20campo%20(FET).