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Funcionamiento de JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa
en las zonas de depleción que rodean a cada zona P al ser polarizadas
inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de
depleción se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a
drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas
de depleción, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo compuerta-fuente,
menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi
todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de
depleción van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente
de fuente .
Configuraciones básicas
Aplicaciones
El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la base
de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el
MOSFET de canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n
están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está
apagado.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal
cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal
de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están
típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente desde la fuente al
desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales
analógicas entre trayectos (multiplexación). En este concepto se basan los tablero
de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia
de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como un buffer en la
configuración de drenaje común (seguidor de fuente). Son muy comunes además
en amplificadores de audio.
Los de tipo IGBT se usan en la conmutación de las bobinas de encendido
del motor de combustión interna, donde las capacidades de conmutación rápida y
bloqueo de voltaje son importantes.