Nombre:

Matricula:

Materia:
LAB. Electronica Industrial

Maestro:

Tema:
Tarea 5

Fecha
25 de octubre del 2023

1- Definir que es un transistor y sus usos en la ingeniería electrónica.

Un transistor es un componente electrónico que puede actuar como un interruptor o un
amplificador de la electricidad, dependiendo de su configuración. Un transistor está compuesto
por tres partes: un emisor, que genera las cargas eléctricas; un colector, que las recibe; y una
base, que las controla. Los transistores se pueden fabricar con diferentes materiales
semiconductores, como el silicio, el germanio o el arseniuro de galio.
Los transistores tienen múltiples usos en la ingeniería electrónica, ya que permiten manipular y
procesar señales eléctricas de baja potencia. Algunas de las aplicaciones más comunes de los
transistores son:
Amplificación: Los transistores pueden aumentar la intensidad o el voltaje de una señal
eléctrica, lo que se utiliza en dispositivos como micrófonos, altavoces, radios o televisores.
Conmutación: Los transistores pueden funcionar como interruptores que abren o cierran el paso
de la corriente eléctrica, lo que se utiliza en dispositivos como relés, temporizadores o memorias.
Oscilación: Los transistores pueden generar señales eléctricas periódicas o alternas, lo que se
utiliza en dispositivos como relojes, generadores de tonos o transmisores.
Rectificación: Los transistores pueden convertir una señal eléctrica alterna en una continua, lo
que se utiliza en dispositivos como fuentes de alimentación, cargadores o reguladores.
Los transistores son también la base de los circuitos integrados, también conocidos como
microchips, que son conjuntos de transistores y otros componentes electrónicos miniaturizados y
conectados entre sí para realizar funciones específicas. Los circuitos integrados se utilizan en una
gran variedad de dispositivos electrónicos, desde computadoras hasta teléfonos móviles y
cámaras digitales.
2- Explicar la construcción y funcionamiento de:

A) Los transistores BJT: son transistores de unión bipolar, que se basan en el flujo de dos
tipos de portadores de carga: electrones y huecos. Los transistores BJT tienen tres
terminales: emisor, base y colector. El emisor es la fuente de los portadores de carga, el
colector es el destino y la base es el control. La base es una capa muy delgada de material
semiconductor que separa el emisor y el colector. La corriente que fluye entre el emisor y el
colector depende de la corriente que fluye entre el emisor y la base. Al aplicar una pequeña
corriente a la base, se puede controlar una corriente mucho mayor entre el emisor y el
colector. Los transistores BJT se pueden clasificar en dos tipos: NPN y PNP, según el tipo
de dopaje de las capas. En un transistor NPN, el emisor y el colector son de tipo N (con
 exceso de electrones) y la base es de tipo P (con exceso de huecos). En un transistor PNP, es
al revés. Los transistores BJT se utilizan para amplificar o conmutar señales eléctricas de
baja potencia.

B) Los transistores FET: son transistores de efecto campo, que se basan en el control del flujo
de un solo tipo de portador de carga: electrones o huecos. Los transistores FET tienen tres
terminales: fuente, puerta y drenador. La fuente es la fuente de los portadores de carga, el
drenador es el destino y la puerta es el control. La puerta está separada del canal entre la
fuente y el drenador por una capa aislante, normalmente óxido. La tensión aplicada a la
puerta modifica la conductividad del canal, regulando así la corriente que fluye entre la
fuente y el drenador. Los transistores FET se pueden clasificar en dos tipos: JFET y
MOSFET, según el tipo de unión entre la puerta y el canal. En un transistor JFET, la puerta
es una unión PN que forma una barrera de potencial con el canal. En un transistor
MOSFET, la puerta es un electrodo metálico que forma un campo eléctrico con el canal.

C) Los transistores de la familia MOS: son un tipo especial de transistores FET que utilizan
una estructura metal-óxido-semiconductor para formar la puerta y el canal. Los transistores
 MOS tienen tres terminales: fuente, puerta y drenador. La fuente y el drenador son regiones
dopadas del mismo tipo (N o P) en un sustrato semiconductor del tipo opuesto (P o N). La
puerta es un electrodo metálico que está separado del sustrato por una capa muy fina de
óxido (normalmente dióxido de silicio). La tensión aplicada a la puerta crea una capa de
inversión en el sustrato, que actúa como un canal entre la fuente y el drenador. Los
transistores MOS se pueden clasificar en dos tipos: MOSFET de depleción y MOSFET de
realce, según el estado del canal cuando no hay tensión aplicada a la puerta. En un
MOSFET de depleción, el canal está formado por defecto y se reduce al aplicar una tensión
a la puerta. En un MOSFET de realce, el canal no está formado por defecto y se crea al
aplicar una tensión a la puerta.

3- Explicar la diferencia entre los transistores BJT y transistores FET.

La diferencia principal entre los transistores BJT y los transistores FET es el tipo de
portadores de carga que utilizan para conducir la corriente eléctrica. Los transistores BJT son
de unión bipolar, lo que significa que usan dos tipos de portadores de carga: electrones y
huecos. Los transistores FET son de efecto campo, lo que significa que usan un solo tipo de
portador de carga: electrones o huecos.

Otra diferencia entre los transistores BJT y los transistores FET es la forma en que se
controla la corriente entre los terminales. Los transistores BJT se controlan por medio de una
corriente aplicada a la base, que es una capa muy delgada de material semiconductor que
separa el emisor y el colector. Los transistores FET se controlan por medio de una tensión
aplicada a la puerta, que es un electrodo metálico que está aislado del canal entre la fuente y
el drenador.
4- Buscar en la red o en una página de un fabricante una hoja de especificaciones técnicas
de un transistor cualquiera.

5- Explicar DETALLADAMENTE el funcionamiento de los transistores BJT en cada uno

de sus 3 estados (corte, activa y saturación).
Estado de corte: En este estado, el transistor BJT no conduce corriente entre el emisor y el
colector, actuando como un interruptor abierto. Esto se logra al polarizar la unión base-emisor en
inversa, es decir, aplicando una tensión negativa a la base con respecto al emisor. De esta forma,
se impide el paso de los portadores de carga desde el emisor hacia la base y el colector. La
corriente de base es prácticamente nula y la corriente de colector también. La tensión entre el
colector y el emisor es igual a la tensión de alimentación.
Estado de activa: En este estado, el transistor BJT conduce una corriente entre el emisor y el
colector, proporcional a la corriente que se aplica a la base, actuando como un amplificador. Esto
se logra al polarizar la unión base-emisor en directa, es decir, aplicando una tensión positiva a la
base con respecto al emisor. De esta forma, se permite el paso de los portadores de carga desde el
emisor hacia la base y el colector. La corriente de base es pequeña y la corriente de colector es
mayor, dependiendo de la ganancia del transistor. La tensión entre el colector y el emisor es
menor que la tensión de alimentación.
Estado de saturación: En este estado, el transistor BJT conduce la máxima corriente posible
entre el emisor y el colector, independiente de la corriente que se aplica a la base, actuando como
un interruptor cerrado. Esto se logra al polarizar ambas uniones base-emisor y base-colector en
directa, es decir, aplicando una tensión positiva tanto a la base como al colector con respecto al
emisor. De esta forma, se satura el paso de los portadores de carga desde el emisor hacia el
colector. La corriente de base es mayor que la necesaria para entrar en estado activo y la
corriente de colector es igual a la máxima que puede soportar el transistor. La tensión entre el
colector y el emisor es muy pequeña, cercana a cero.

6- Investigar y explicar cómo se prueban los transistores BJT(NPN y PNP) mediante el uso
de un Tester digital.
Para probar los transistores BJT con un tester digital, se puede seguir el siguiente procedimiento:
1. Identificar el tipo de transistor (NPN o PNP) y sus terminales (emisor, base y colector). Para
ello, se puede consultar la hoja de datos del transistor o usar un código de colores o letras
que indique su configuración.

2. Colocar el tester digital en el modo de medir diodos o continuidad, que permite detectar la
caída de voltaje entre dos puntos.

3. Medir la unión base-emisor, colocando la punta positiva del tester en la base y la negativa
en el emisor. Si el transistor es NPN, se debe obtener una lectura entre 0.45 V y 0.90 V, que
indica que la unión está polarizada en directa. Si el transistor es PNP, se debe obtener una
lectura de "OL" o "Over Limit", que indica que la unión está polarizada en inversa.
4. Medir la unión base-colector, colocando la punta positiva del tester en la base y la negativa
en el colector. Se debe obtener el mismo resultado que en el paso anterior, según el tipo de
transistor.

5. Medir la unión emisor-colector, colocando la punta positiva del tester en el emisor y la

negativa en el colector. Se debe obtener una lectura de "OL" o "Over Limit" para ambos
tipos de transistores, que indica que no hay conducción entre estos terminales.

6. Invertir la polaridad de las puntas del tester e repetir los pasos anteriores. Se debe obtener el
resultado opuesto al obtenido anteriormente, según el tipo de transistor.
Si se cumplen estas condiciones, el transistor está en buen estado. Si se obtienen lecturas
diferentes o inconsistentes, el transistor está dañado o defectuoso.
Bibliografía:

Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2019). Microelectronic circuits (8th ed.). Oxford
University Press.
Scherz, P., & Monk, S. (2013). Electrónica práctica para inventores (3a ed.).
McGraw-Hill Education.
Tsividis, Y. (2001). Un primer laboratorio en circuitos y electrónica. John Wiley &
Sons.
Horowitz, P., & Hill, W. (2015). El arte de la electrónica (3a ed.). Cambridge
University Press.
García, J. (2014, 2 de febrero). Tutorial electrónico básica 06: El transistor.
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